衍射光学元件制作中的基片涂胶方法

在基片上涂布一层厚度均匀的光刻胶层,是衍射光学元件制作中的一个重要步骤。介绍了目前用于衍射光学元件制作的两种主要涂胶方法———提拉法和旋转法,分析了这两种方法的特点和影响胶层厚度的主要因素,尤其是对其均匀性的影响,并提出了获得均匀胶厚的途径。对于提拉涂胶,选择粘度较高的光刻胶溶液与合适的提拉速度将有助于减小Marangoni流动和Van derWaals力对膜厚均匀性的影响;对于旋转涂胶,可以通过密封基片所在空间,或者通过气流控制器使基片上方空气流动处于层流状态来获得均匀一致的溶剂挥发速率,从而提高胶层的均匀性。     

RRC工艺涂胶胶厚均匀性优化研究

为降低涂胶工序的生产成本,减少光刻胶的用量,需要在涂胶工艺上不断改进和提高。从原来传统的涂胶工艺到RRC(Reduced Resist Consumption)工艺,能够使光刻胶的用量减少,而随着光刻胶用量的减少,圆片上胶厚的均匀性也在发生剧烈的变化。同时光刻涂胶工序最重要的工艺要求就是胶厚和均匀性,它直接影响着后续曝光工艺的稳定性。在RRC工艺下,通过对喷胶转速、排风、喷胶速率等涂胶参数进行多次试验,最终找出影响胶厚均匀性的参数及其调整方法,来达到工艺要求的胶厚及均匀性,保障工艺生产的稳定性。     

喷雾式涂胶的新应用

介绍了喷雾式涂胶(SprayCoating)的多种新应用。在形貌起伏很大的表面均匀地涂布光刻胶(抗蚀剂)是一项非常有挑战性的工作,喷雾式涂胶正是为了满足这个挑战而开发的。实践证明,与传统的旋涂技术相比,喷雾式涂胶可以在保持光刻胶均匀性良好的同时显著地节约光刻胶的用量。已经发现此技术可用于非圆形基片和多件基片同时涂布。此外,此技术也可以为脆弱的结构提供保护性涂胶以及悬空结构的填充。     

全自动涂胶设备及涂胶工艺的研究

涂胶作为光刻工艺的重要环节,为了保证涂胶工艺质量,提高涂胶设备的自动化程度,减少中间污染环节,开发了一种全自动涂胶设备,通过对涂胶腔体和机械手等关键部件的改进,更好地满足了用户生产线要求;并通过对涂胶工艺中影响膜厚均匀性的重要因素进行研究、实验和分析,得出了适合用户生产线的工艺配方。     

S—RRC中膜厚均一性的实现

本文主要介绍了通过采用S-RRC(SUPPER REDUCED RESIST CONSUMPTION)技术来进行光刻胶膜厚均匀性的调整，从而降低光刻涂胶中光刻胶的使用量，最终达到降低光刻成本目的。     

AZ4620光刻胶的喷雾式涂胶工艺

对于一些MEMS应用,需要在形貌起伏很大的晶圆表面均匀地涂布光刻胶。喷雾式涂胶工艺满足了这些要求。研究了几种稀释的AZ4620光刻胶溶液的雾化喷涂性能,在沈阳芯源微电子设备有限公司KS-M200-1SP喷雾式涂胶机上进行了雾化喷涂试验,分别对裸片及深孔不同尺寸的晶圆进行喷雾式涂胶实验;特别研究了决定喷涂薄膜膜厚和均匀性...     

光刻技术的现状和发展

着生从涂胶、曝光（包括光源和曝光方式等）、光刻胶和深度光刻等方面介绍了光刻技术的现状和未来的发展趋势。     

框架与芯片粘接中两种涂胶工艺分析与优化

红外探测器框架涂胶工艺具有胶粘剂种类多、涂胶精度要求高等特点,难以同时兼顾工艺效率和工艺效果。为了探索较优的涂胶工艺,基于一种框架,对比分析了手工涂胶和丝网印刷两种涂胶工艺对框架芯片粘接工艺效果的影响。结果表明,丝网印刷涂胶和手工涂胶工艺均能满足胶粘剂正常固化、耐受100次温度冲击、电路片四周溢胶均匀的基本要求。当丝印网版为集中穿孔模式时,丝网印刷涂胶工艺下的胶层气泡率小于1%,是手工涂胶工艺的0.09倍。使用不同的胶粘剂时,手工涂胶工艺效果不受胶粘剂的填充物直径变化的影响,而丝网印刷更适合含有小直径填充物的胶粘剂。最后,根据网版设计的迭代数据,提出了漏印面积的经验计算公式,为精确、快速的网版设计提供了支持。     

MEMS微结构电沉积层均匀性的有限元模拟

利用有限元软件ANSYS对MEMS微电铸Ni工艺进行电场模拟,研究了光刻胶厚度、线宽以及片内辅助电极参数对微结构表面电场分布均匀性的影响.根据模拟结果,利用微电铸试验研究了微结构单元尺寸以及辅助极距离和大小对于微结构层厚度均匀性的影响.模拟和试验结果均表明,微结构单元尺寸是影响其均匀性的主要因素之一,合理添加片内辅助极是提高微结构铸层厚度均匀性的有效方法.而且,有限元分析软件ANSYS可以对微结构的电镀过程进行有效的模拟分析.     

基于斜拉涂胶法光学胶膜厚度的精确模型

提出一种斜拉涂胶法。此方法增加了角度控制因子，使得胶膜的厚度更易控制。采用流体力学理论对斜拉涂胶的力学机理进行分析，建立定常流动条件下和非定常流动条件下，斜拉涂胶的数学模型，最终得到胶膜厚度与胶液粘度、斜拉角度、斜拉速度和胶液粘度变化规律之间的精确表达式。     

光学薄膜膜厚监控中极值法的应用

极值法是目前国内外真空镀膜膜厚监控中应用最广泛的方法。本文阐述了此法的膜厚监控原理、系统、方法。重点讨论了为提高监控精度而采取的一些改进措施。     

高PPI产品下的取向膜画面品质改善研究

为了实现TFT LCD高PPI产品的高分辨率,高开口率,低功耗全面提升,分析了不同因素的影响程度,加强了对取向膜印刷品质的管控。同时对涉及该过程相关因素进行研究分析。对取向膜画面品质相关的产线印刷和干燥条件、APR版制作工艺、取向膜膜厚变化、APR版线数开口率进行优化测试,找到了可以提高取向膜画面品质的方法。实验结果表明:通过对取向膜印刷和干燥条件优化,确定了TN产品画面品质提升的产线管控方案;在APR版制作过程中引用扩散保护膜,ADS产品Particle类不良降低2%,Scratch类不良降低1%;对取向膜膜厚提升,ADS产品的段差和残像得到改善,对比度提升30~120,Zara Particle不良降低30%;通过对APR版的网点,开口率优化:400L,30%,普通曝光的APR版更新为600L,20%,高PPI有机膜类产品的Sand Mura发生率降低为0%。可以满足高PPI产品对取向膜印刷稳定的管控要求,适应高分辨率、高开口率、低功耗等要求。     

大规模集成电路膜厚测量仪器校准检定初步探索

在半导体圆片制造过程中，膜厚（Sio2,SiN、多晶Si等）测量是非常重要的工艺参数，本文介绍了几种主要的膜厚测量仪器以及这些仪器的鹇准检测方法，并着重介绍了校准用膜厚标准的制定及应用。     

耐电镀光致抗蚀干膜对化学镀镍镀层的影响

文章从FPCB生产案例金裂问题出发,研究讨论了耐电镀光致抗蚀干膜对化学镀镍药水pH值、镀层厚度、表面形貌和脆性的影响,并采用弯折法定性研究了干膜对化学镀镍镀层脆性的影响。结果显示干膜在化学镀镍药水中长时间浸泡使溶出物大量积累会增大化学镀镍镀层脆性。     

集成电路镍铬薄膜的电阻特性与热处理效应

在利用磁控溅射方法制作用于ＩＣ的镍铬薄膜电阻过程中，发现在对薄膜热处理时薄膜的电阻特性发生了有规律的变化，这种变化不是单纯的线性增大或减小。针对这种现象，我们经过分析认为，由于金属膜薄的电阻率不同于块状金属的电阻率，已不是定值，它与金属膜厚有着一定的关系，而热处理所产生的凝聚效应、氧化效应、和稳态效应对不同厚度的薄膜电阻率的影响程度是不一样的，因此电阻经热处理后的变化值最终表现出不同的变化趋势。这一现象的发现对我们今后在ＩＣ镍铬合金薄膜电阻的设计优化方面具有较高的参考意义。     

Thickness dependence of the structural and electrical properties of copper films deposited by dc magnetron sputtering technique

This paper addresses the influences of film thickness on structural and electrical properties of dc magnetron sputter-deposited copper (Cu) films on p-type silicon. Cu films with thicknesses of 130-1050 nm were deposited from Cu target at sputtering power of 125 W in argon ambient gas pressure of 3.6 mTorr at room temperature. The electrical and structural properties of the Cu films were investigated by four-point probe, atomic force microscopy (AFM) as well as X-ray diffraction (XRD). Results from our experiment show that the grain grows with increasing film thickness, along with enhanced film crystallinity. The root mean square (RMS) roughness as well as the lateral feature size increase with the Cu film thickness, which is associated with the increase in the grain size. On the other hand, the Cu film resistivity decreases to less than 5 μΩ-cm for 500 nm thick film, and further increase in the film thickness has no significant effects on the film resistivity. Possible mechanisms of film thickness dependent microstructure formation of these Cu films are discussed in the paper, which explain the interrelationship of grain growth and film resistivity with increasing Cu film thickness.     

Effect of Film Thickness on Properties of a-Si∶H Films

The a-Si∶H films with different thickness smaller than 1 μm were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) under the optimum deposition conditions. The effect of different thickness on film properties is analyzed.The results show that,with the increase of the film thickness,the dark conductivity, photoconductivity and threshold voltage increase, the optical gap and peak ratio of TA to TO in the Raman spectra decrease, the refractive index keeps almost constant, and the optical absorption coefficient and current ratio of on/off state first maximize and then reduce.     

薄膜气敏元件响应与膜厚的关系

建立了薄膜气敏元件响应与膜厚的关系。指出随着膜厚减小，元件响应呈上升、下降、再上升的规律，且较好地解释了实验发现的响应与膜厚的关系对还原性气体种类的依赖。     

Fabrication of thick, high-quality strained SiGe layer on ultra-thin silicon-on-insulator and modeling of film strain

Fabrication of a thick strained SiGe layer on bulk silicon is hampered by the lattice mismatch and difference in the thermal expansion coefficients between Si and SiGe, and a high Ge content leads to severe strain in the SiGe film. When the thickness of the SiGe film is above a critical value (90 nm for 18% Ge), drastic deterioration of the film properties as well as dislocations will result. In comparison, a silicon-on-insulator (SOI) substrate with a thin top Si layer can mitigate the problems and so a thick SiGe layer with high Ge concentration can conceivably be synthesized. In the work reported here, a 110 nm thick high-quality strained Si_0.82Ge_0.18 layer was fabricated on an ultra-thin SOI substrate with a 30 nm top silicon layer using ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD). The thickness of the SiGe layer is larger than the critical thickness on bulk Si. Cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) reveals that the SiGe layer is dislocation-free and the atoms at the SiGe/Si interface are well aligned, even though X-ray diffraction (XRD) data indicate that the SiGe film is highly strained. The strain factors determined from the XRD and Raman results agree well.     

高速全晶圆薄膜厚度均匀图像在CMP工艺快速评定中的应用

应用高速度、高点密度熏覆盖全晶圆的薄膜检测仪得到的膜厚均匀图像来对CMP工艺进行快速评定。高点密度、全晶圆的膜厚均匀图像能即时显现出CMP工艺中的非对称性膜厚均匀问题并为根源分析和工艺改进提供快速反馈。对一些用常规的稀疏抽样点薄膜测量方法难以检测到但常见的CMP工艺中导致非对称性膜厚均匀问题熏例如垫片异常熏抛光机头安装不当熏空白晶圆nanotopography等进行比较分析和探讨。