中子束流第一狭缝调整装置设计

中子衍射测量残余应力通过控制样品前后两个精密狭缝装置来限定入射、出射中子束流的大小（入射和出射束流交叉部分限定了样品内部标样体积的大小），达到精确测定样品所取标样体积内部的平均应变、应力大小，标样体积最小可至1mm×1mm×mm。     

中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子     

79Se—AMS测量样品的化学形式选择及其制备方法

中国原子能科学研究院的AMS小组在原蒋菘生、何明等对79Se—AMS测量的基础上，发展了基于SeO2-分子负离子引出形式的79Se—AMS测量方法，测量灵敏度由原来的3．0×10^-9提高到好于1．0×10^-12。     

二甲基羟胺存在下四价钚的反萃动力学

用恒界面池法实验考察了DMHAN／H_N03／TBP-煤油-Pu（Ⅳ）体系中Pu（Ⅳ）的反萃动力学。实验结果表明：在选定实验条件（转速295r／min，温度18．8℃，钚浓度1．30×10^-6～1．30×10^-4mol／L）下，DMHAN／HN03／TBP-煤油-Pu（Ⅳ）体系q~Pu（IV）的反萃属于扩散控制。     

表面线圈垫补二极铁磁场均匀性

高分辨率的离子质谱计要求分析磁铁具有很高的磁场均匀性。串列加速器升级工程ISOL要求质量分辨率20000，分析磁铁均匀性好于1×10^-5。现有的机加工和装配水平磁铁均匀性只能做到±1．5×10^-4，磁铁加工完成后还需对磁铁进行垫补。本文采用表面线圈（图1）的方法对现有的1块C型二极铁进行垫补。     

中子辐照注量对单晶硅中缺陷退火行为的影响

用正电子湮没寿命和多普勒加宽测量研究了不同注量中子辐照的氩气氛区熔单晶硅中缺陷的退火行为，发现不同中子注量辐照时，辐照致空位型缺陷的退火行为十分类似，并均在５５０℃时退火消除；但辐照致双空位浓度、二次双空位和四空位型缺陷的产生、浓度和消除温度很不相同。简单陷阱模型不适用于５００℃以下退火的离中子注量辐照的单晶硅，但能部分适用于中等注量辐照的单晶硅。     

实验低温冷板排气装置的设计

正在研制的100MeV紧凑型回旋加速器要求主真空的真空度为5×10^-6Pa，其主真空泵的抽速要求为140000L／s，为此需采用低温冷板排气系统。为了熟悉低温技术和模拟低温冷板排气系统，特设计和研制了实验低温冷板排气装置。     

k0-NAA中子活化分析方法在HANARO研究堆NAA3号辐照孔道的应用

韩国原子能研究院（KAERI）30MW的HANARO研究堆，其堆内中子活化分析辐照孔道NAA3号的热中子注量率为1．26×10^14cm^-2·s^-1，可用作基于临界增殖系数％的中子活化分析（k0-NAA）。本工作的目的是：①通过确定该中子活化分析方法所需要的中子谱参数来描述NAA3号辐照孔道；②通过建立探测效率曲线来标定Y射线能谱仪系统；③通过分析6种认证参考物来评定k0-NAA中子活化分析方法的性能，其中3种为天然生物物料，另3种为环境物料。从获得的结果可以看出，对生物样品和环境样品采用k0-NAA方法，可以分别定量确定多达25或35种元素。已确定元素的实验值与认证值之间的偏差通常在12％以内，大部分考虑不确定度后实验值与认证参考值的估计偏差（u-score）值低于2。结果证明：HANARO研究堆上实施的k0-NAA中子活化分析方法适用于生物样品和环境样品的多元素分析，具有较高的分析精度，而且k0-NAA中子活化分析方法还可进一步获得实际应用。     

光中子源的优化设计

文章研究了基于9MeV电子加速器的光中子源的优化设计问题,提出了使X射线最有效地转换为中子的光中子转换靶的最优形状。利用蒙卡程序MCNP5设计了体积为20L的重水光中子转换靶,当加速器的平均电流为100μA时,中子产额可达2.3×10^11n／s。通过增加特定形状的石墨反射层使更多的中子向前发射,正前方10m处中子注量率可达8.55×10^4n／（cm^2·s）。文中还计算了出射中子的能谱、空间分布和时间特性。     

电桥应力系统在强脉冲中子场中的辐照效应

以快中子脉冲反应堆为试验平台,简要描述了电桥应力系统在强脉冲中子辐射场中的辐照效应表象,以效应试验结果为基础,分析了辐照效应产生机理,并据此提出了减小或消除辐照效应的基本方法.验证试验结果表明:精密桥臂电阻的瞬态中子辐射损伤是导致应变信号出现突变的根本原因,而采用辐射屏蔽和"背片法"的措施可以有效地减小或消除应力系统的辐照效应.     

裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究

采用自电子湮没寿命测量方法研究了注量为６．５×１０＾１５／ｃｍ＾２和１．４×１０＾１４／ｃｍ＾２，Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变中子辐照在掺Ｓｉ，Ｎ型单晶ＧａＡｓ产物的缺陷，此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺限，缺陷浓度于比于辐照注量，高温退火产生三空位缺陷及小空位团，单空位，双空位和三空位缺陷的退火温度分别为２５０，４５０，６５０℃。     

低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型，利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系，分析了工艺参数，如氧化物陷阱浓度、能级，含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明，最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果，且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素，因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显，是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。     

Purex流程中溶剂辐解稳定性研究

在乏燃料后处理Purex流程中，TBP／稀释剂由于辐照作用降解对工艺造成危害。本工作采用三种稀释剂：正十二烷，加氢煤油，特种煤油。30％TBP／稀释剂分别以0．1～3mol／LHN03溶液平衡后用60Co源辐照至剂量为5×10^3-5×10^6Gy。对Purex流程中几种主要的辐解产物进行分析测定，对辐照后的样品进行了钚保留试验观测。     

堆内辐照及退火对SiC片电阻率的作用研究

<正>SiC陶瓷在中子辐照下会发生高能中子与晶格的弹性碰撞,产生点缺陷,增大悬挂键密度,减小电阻率;同时发生嬗变引入施主掺杂,增大载流子浓度,因此材料电阻率会下降。辐照之后再对SiC进行退火,当退火温度超过堆内辐照峰值温度时,SiC内的点缺陷迁移会移除大部分悬挂键,电阻率会出现陡增。将3种SiC陶瓷片送至49-2堆内进行中子辐     

中子辐照对15MnTi钢力学性能影响

通过冲击试验、单向拉伸试验研究了中子辐照对15MnTi钢拉伸、冲击性能影响。中子辐照温度50℃、累计快中子注量1.5066×10~(18)cm~(-2),获得15MnTi钢母材、热影响区辐照前后冲击功及15MnTi钢室温、300℃下辐照前后拉伸曲线。试验结果表明,中子辐照导致15MnTi钢母材、热影响区韧脆转变温度上升,其中母材增幅较热影响区大,但冲击功上平台变化不大;15MnTi钢母材屈服强度、拉伸强度上升,其中室温屈服强度变化大,高温拉伸性能变化不明显。     

辐照后的铝焊缝残余应力的中子衍射测量

利用中子衍射方法测量分析退役后的反应堆部件上铝焊缝的残余应力,研究反应堆辐照对铝焊缝残余应力的影响。测量结果表明:最大残余应力位于热影响区;反应堆辐照剂量越大,铝焊缝部位的残余应力由压应力变化为张应力的震荡越大;远离焊缝位置,辐照后样品的应变不为零。     

79Se-AMS示踪研究亚毒性剂量亚硒酸钠摄入的硒代谢

长寿命放射性核素79Se的半衰期长达2．8&#215;10^5a，其放射性比活度（单个原子的活度）约1&#215;10^-14Bq。79Se衰变时仅放射出能量为150．7keY纯β射线，对生物组织甚至细胞的辐射损伤远小于75Se，而79Se的加速器质谱测量方法（795e—AMS）具有灵敏度高、相对测量准确性高以及测量精度高等特点，因而适合于长周期、无损伤的生物示踪研究。     

西安地区大气环境气溶胶样品中放射性核素监测

利用大流量气溶胶采样器和HPGeγ谱仪系统对西安大气气溶胶中放射性核素^7Be、^212Pb和^214Pb进行了为期一年的采样监测。得到各核素年平均浓度分别为6.68&#215;10^-3Bq&#183;m^-3、0.65 Bq&#183;m^-3、16.06 Bq&#183;m^-3。-7Be的浓度在春季较高,最高值为16.64&#215;10^-3 Bq&#183;m^-3,浓度变化有明显的季节性特征;^212Pb和^214Pb的浓度在冬季达到最大值1.71 Bq&#183;m^-3和50.11 Bq&#183;m^-3。浓度变化有显著的季节性特征。通过分析表明,降水是影响^7Be、^212Pb和^214Pb浓度的主要因素,各核素的月平均浓度在降水量最大的八月达到最小值。监测过程中,未测到^137Cs等人工放射性核素。     

中子辐照直拉硅退火后的施主行为

利用多种实验手段对中子辐照直位硅退火过程中特有的施主效应进行了研究；探讨了不同中子辐照注量以及氧对施主形成的影响；报道了低于７５０℃热处理所产生的“施主平台”现象。实验结果表明，该施主在禁带中产生￣４３ＭｅＶ的浅施主能级，它的结构为辐照缺陷与硅、二氧化硅以及碳等组成的亚稳态络合物，其电话性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。     

151Sm半衰期及其γ射线强度测定

151Sm为裂变产物核素，有较高的裂变产额。本工作开展对151Sm半衰期的精确测定。151Sm利用反应堆照射通过150Sm（n，γ）反应得到。照射后经过冷却后利用热电离质谱对151Sm／150Sm原子比进行了测定，测定结果为151Sm／150Sm原子比=（3．750&#177;0．002）&#215;10^-3.