B2O3—Y2O3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响

研究了以Ｂ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３作为助烧结剂的ＡｌＮ陶瓷的烧结特性及显微结构。结果表明，晶界处存在ＹＡｌＯ３，Ｙ４Ａｌ２Ｏ３及Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２等各种铝酸钇结晶物，Ｂ２Ｏ３可固溶到铝酸钇中形成固溶体。     

反应烧结制备AlN－Al_2O_3复合陶瓷的机理研究

探索性地研究了用反应烧结技术在Ａｌ_２Ｏ_３陶瓷中引入原位生成的纳米（或亚微米）级的ＡｌＮ，制备ＡｌＮ－Ａｌ_２Ｏ_３纳米复合陶瓷，结合衍射仪，微热分析仪及扫描电镜研究了其反应烧结机理。     

Al_2O_3－AlN－TiC复合陶瓷的制备与微观结构

用反应烧结和气氛烧结技术制备Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＡｌＮ－ＴｉＣ复合陶瓷，用ＸＲＤ，ＳＥＭ等测试手段进行了微观结构的研究，结果表明，用该技术制备的复相陶瓷含有纳米级的ＡｌＮ晶粒，从而使得在较低的烧结温度下可以制得比较致密的Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＡｌＮ－ＴｉＣ复合陶瓷。     

反应烧结制备AlN—Al2O3复合陶瓷的机理研究

探索性地研究了用反应烧结技术在Ａｌ２Ｏ３陶瓷中引入原位生成的纳米级的ＡｌＮ，制备ＡｌＮ－Ａｌ２Ｏ３纳米复合陶瓷，结合衍射仪，微热分析仪及扫描电镜研究了其反应烧结机理。     

Al2O3添加量对Y—TZP陶瓷烧结及力学性能的影响

研究了Ａｌ２Ｏ３添加量对Ｙ－ＴＺＰ陶瓷烧结及力学性能的影响，结果表明，微量Ａｌ２Ｏ３可固溶于ＺｒＯ２中而提高材料致密度，使Ｙ－ＴＺＰ的强度、耐磨性等力学性能也同时得到提高，过量Ａｌ２Ｏ３处ＺｒＯ２晶界上阻碍致密化，２０ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３，１５５０℃，４ｈ未能烧结，使各项力学性能明显下降。     

AlN陶瓷中的晶界第二相

晶界第二相是ＡＩＮ陶瓷显微结构的重要组成部分，对ＡＩＮ陶瓷的热导率有重大的影响。本工作研究了以Ｙ＿２Ｏ＿３为烧结助剂的无压烧结ＡＩＮ陶瓷中，晶界第二相的组成、含量及其分布，结果表明：晶界第二相的组成主要取决于配料中的Ｙ＿２Ｏ＿３／Ａｌ＿２Ｏ＿３比值，同时也受工艺因素影响；随着Ｙ＿２Ｏ＿３加入量增多，晶界第二相含量呈线性增加，其分布也变成从三个晶粒连接处延伸到所有晶界。还讨论了晶界第二相对热导率的影响。认为只要ＡＩＮ晶格完整无缺，ＡＩＮ相保持连通，即使存在少量的Ｙ＿４Ａｌ＿２Ｏ＿９和／或Ｙ＿２Ｏ＿３第二相材料，预期仍可获得高的热导率。     

纳米Al2O3-ZrO2(3Y)复相陶瓷的微波烧结

采用纳米Ａｌ２Ｏ３粉和纳米ＺｒＯ２（３Ｙ）粉为原料,对不同成分配比的Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２（３Ｙ）复相陶瓷进行了微波为烧结的研究。实验结果表明微波烧结可获得委肮的致密度,并提高断裂韧性,但晶粒长大倾身大于其它烧结方式;在Ａｌ２Ｏ３－ｚｒ２（３Ｙ）二元系中,随ＺｒＯ２（３Ｙ）含量啬,烧结时的致密化过程加速,且晶粒长大倾向减小。     

氧化对Al_2O_3－TiB_2陶瓷刀具材料磨损特性的影响

研究了Ａｌ_２Ｏ_３－ＴｉＢ_２陶瓷刀具材料的高温氧化特性以及氧化对刀具耐磨性能的影响。结果表明：随ＴｉＢ_２含量的增加，Ａｌ_２Ｏ_３－ＴｉＢ_２的氧化活化能降低，抗氧化能力下降．Ａｌ_２Ｏ_３－ＴｉＢ_２刀具材料在加工淬火钢时，因切削高温的氧化作用在刀具表面生成的ＴｉＯ_２既可减轻刀具的粘结磨损，又能起到固体润滑剂的作用，从而降低摩擦系数，因而提高刀具的耐磨性能。当切削速度大于１５０ｍ／ｍｉｎ时，随ＴｉＢ_２含量的增加，刀具抗磨损能力显著提高。     

热压Al2O3—ZrO2（6mol%Y2O3）陶瓷复合材料的组织性能研究

本文考察了全稳定ＺｒＯ２对Ａｌ２Ｏ３陶瓷的组织性能的影响。结果表明，热压Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２（６ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３）陶瓷材料的显微形貌与其它Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２陶瓷的几乎完全一样，小量ｃ－ＺｒＯ２的存在可促进Ａｌ２Ｏ３陶瓷的烧结并细化晶粒，从而提高材料的力学性能，但其增韧增强能力有限。大量ｃ－ＺｒＯ２的存在因其本身低的力学性能、缺乏相变韧化和存在残余拉应力而使材料的力学性能下降。     

添加剂对BaTiO_3基PTC陶瓷性能的影响

本文研究了Ｎｂ_２Ｏ_５、 Ｙ（ＮＯ_３）_３、 ＴｉＯ_２、及 Ａｌ_２Ｏ_３、 ＳｉＯ_２对 ＢａＴｉＯ_３半导体陶瓷性能的影响。结果表明室温电阻率的波动随不同施主掺杂物量的改变而不同。Ｙ（ＮＯ_３）_３在较宽范围内变化时,试样的室温电阻率能保持较好的稳定性。同时对ＴｉＯ_２及Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２都能提高ＰＴＣ效应的机理进行了解释。     

BaPbO3／BaTiO3系复合陶瓷的研究

报道了导电陶瓷ＢａＰｂＯ３与铁电陶瓷ＢａＴｉＯ３进行复合的结果，研究了该复合功能陶瓷的物相、导电性和低温电阻温度特性。结果表明：采用合理的合成工艺，可得到呈现混和分布的两相复合功能陶瓷材料，该复合材料的电导特征符合三维渗流导电行为。     

芳基失水甘油酸乙酯的合成

:研究了芳基甲醛和氯乙酸乙酯在相转移催化剂聚乙二醇 /碳酸钾催化下发生Darzans缩合反应 ,反应转化率大于 70 % ,制得系列 3 芳基失水甘油酸乙酯 ,产品结构经1HNMR和IR分析证明与预期结构相符     

纳米Al2O3对3Y-ZrO2陶瓷性能的影响

研究了纳米Al2O3添加剂对3Y—ZrO2陶瓷材料烧结和力学性能的影响。实验结果表明：添加纳米Al2O3（0．5mol％～2mol％）可以促进3Y—ZrO2的烧结，并提高材料的抗弯强度和断裂韧性。在1450℃下烧成的添加0．5mol％纳米Al2O3的3Y—ZrO2具有最高的强度和韧性值，分别为620MPa和13．9MPa·m^1/2，比纯3Y-ZrO2的最高强度和韧性（1500℃烧成试样）分别提高了11％和16％。     

Sm3+/Al2O3介孔复合体的光致发光特性

用溶胶－凝胶法和超临界干燥技术制备了Ｓｍ＾３／Ａｌ２Ｏ３气凝胶介孔复合体,并对其光致发光特性进行了系统的研究,实验发现：随退火温度的升高,Ｓｍ＾３＋在Ａｌ２Ｏ３气凝胶中荧光强度逐步增强,９００℃,退火时达到最强,其后发光强度会随退火温度升高耐减弱;随着Ｓｍ＾３＋含量上升其发光强度也会发生由弱到强再到弱的变化。     

浅谈硝酸钾的结晶

主要介绍了复分解反应生产硝酸钾工艺过程中的结晶。介绍了结晶时的特征、原理及硝酸钾结晶体中杂质的组成。     

烧块合成方法对钛酸钡-锡酸盐系介电性能的影响

以ＢａＣＯ３,ＳｎＯ２,ＴｉＯ２为原料采用一次混合合成烧块法,常因原料混合不均以及固溶不完全,在烧成冷却过程中,在晶界上偏析出ＳｎＯ２或富锡锡酸盐半导体,导致绝缘电阻,介质损耗和耐电强度等电性能严重生化。采用预先分别合成烧块的方法,使ＳｎＯ２与其它原料完善地转化成绝缘性能的锡酸盐,有效地避免了介电性能的异常现象。     

Sm~(3+)和Co~(3+)共掺杂对BiFeO_3多晶陶瓷介电特性的影响

用快速液相烧结法制备Bi0.95Sm0.05Fe1-xCoxO3(x=0,0.05,0.1)陶瓷样品,用X射线衍射仪分析样品结构,用HP4294A型阻抗分析仪分别测量系列样品的介电特性及相对介电常数(εr)随频率(f)的变化。结果表明:掺杂样品主衍射峰与纯BiFeO3相吻合且具有良好的晶体结构;随着Sm3+、Co3+引入,测量频率在1kHz～1MHz,所有样品的εr和介电损耗(tanδ)随测量f的增加而减少,f=10kHz时,Bi0.95Sm0.05FeO3的εr是BiFeO3的40倍。样品的εr、tanδ随Sm3+和Co3+掺量的变化可以在空间电荷限制电流理论框架下进行解释。样品的磁电耦合效应(Me)随磁场、Co3+掺量的增加而增大,其原因系Sm3+与Fe3+或Co3+通过交换相互作用使铁电极化矢量增大所致,其中Bi0.95Sm0.05Fe0.95Co0.05O3呈现较强的磁电耦合效应,其Me在8kOe(1Oe=79.5A/m)磁场的作用下已达到4.2%。     

CuO掺杂对NaNbO_3–BaTiO_3无铅压电陶瓷性能的影响

利用传统烧结法制备CuO掺杂NaNbO3–BaTiO3无铅压电陶瓷,研究不同CuO掺量(0、0.1%、0.2%、0.3%、0.4%、1.0%和2.0%,摩尔分数)对样品显微结构、物相组成及电性能的影响。结果表明:CuO掺量对物相组成、压电性能、铁电性能及介电性能都有显著影响。当CuO掺量从0增大到0.3%时,压电性能增高;当CuO掺量超过0.3%时,压电性能明显下降。当CuO掺量为0.3%时,样品的综合性能最佳:压电常数(d33)为150pC/N,介电损耗(tanδ)为0.0174,机电耦合系数(kp)为30.19%,剩余极化强度(Pr)为13.5μC/cm2,矫顽场(Ec)为1.94kV/mm。     

添加剂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3陶瓷性能的影响

采用同相反应法分别制备了V2O5,Co2O3和ZnO氧化物掺杂的0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)介质陶瓷.研究了V2O5,Co2O3和ZnO氧化物掺杂对95MCT陶瓷烧结特性和介电性能的影响.结果表明:V2O5.Co2O3和ZnO氧化物掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,无中间相MgTi2O5出现.V2O5,Co2O3和ZnO氧化物掺杂可以有效地降低95MCT陶瓷的烧结温度,提高致密化程度,降低介电损耗,调节温度系数.ZnO掺杂的95MCT陶瓷性能最好:烧结温度降低至1 250℃,介电常数为21.7,烧结密度可达3.8g、cm3(理论密度的98.4%),介电损耗降低至10-5,温度系数为0.12×10-5/℃.