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采用有限元法,利用ANSYS-FLOTRAN CFD软件,计算了在不同倾斜状态下三丝结构敏感元件内的温度场和流场.计算结果表明,加热热电阻丝在敏感元件内形成一定的温度场和流场,倾斜时温度场和流场不再对称分布;在水平状态时两检测热电阻丝处的气流速度相等,两检测热电阻丝的电阻相等,电桥电路输出为零;在倾斜状态下时,两检测热电阻丝处的气流速度之差随着倾斜角度而变化,引起两检测热电阻丝电阻之差也随之变化,电桥输出一个对应于倾斜角度的电压.有限元计算法为三丝结构气流式水平姿态传感器优化设计开辟了有效的研究途径. 相似文献
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研究了实际工作条件下,压电气流式角速度传感器敏感元件内气体受力和运动状态。根据动态时气体受力分析,选择计算模型和边界条件,并列出气体的Navier-Stokes(N-S)方程。利用CDF软件有限体积法中压力的隐式算子分割(PISO)算法,计算气体速度分布。结果表明,静态时,气体在腔体内形成相对稳定且随速度边界进行周期性变化的速度场,不同周期中相同时间点上,气体速度变化不大,热敏丝所处位置的气体速度变化范围是[-0.007 079 m/s,0.007 306 m/s],速度变化的周期等于泵振动周期,两根热敏丝对应点的气体速度差为零;输入角速度为2πrad/s时,两根热敏丝上对应点气体速度差为0.001 m/s,气体最大速度偏离中心对称轴0.197 4 rad。 相似文献
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为了提高刻蚀的均匀性, 对400mm反应离子刻蚀(RIE)腔室建立了气体流动的连续流体模型和热传递模型, 研究了反应腔室内压强、流速和温度分布。冷却板恒温285K时, 依次改变入口流量和出口压强, 分别分析了腔室内部基片晶圆附近的流速、压强、温度的分布; 依次改变极板间距离(30mm~60mm)、进气口直径(300mm~620mm)、抽气口直径(50mm~250mm), 分析了反应腔室内气流和温度分布。结果表明, 压强分布呈现出边缘低中心高的特征, 流速呈现边缘高且中心低的特征, 且在小流量时压强的均匀性较好; 压强分布的均匀性随腔室极板间距离增加而有所提高, 且随腔室气体出口面积减小与进口面积增加也有所提高; 基片晶圆上方附近处温度场大面均匀、稳定, 几乎不受入口流量波动变化的影响, 热稳定性良好。该研究对大口径RIE腔室结构设计改进及对大口径反应离子刻蚀工艺控制具有重要意义。 相似文献
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导弹尾焰流场计算为尾焰红外辐射场计算提供基础数据。基于导弹尾焰流场的形成机理研究,根据燃烧理论、流体力学、气体动力学,考虑燃烧室内的燃烧化学反应建立尾焰流场计算的参数模型,结合Gambit 和Fluent 仿真软件计算获得速度、温度和压力等流场参数。在Fluent 中进行了2 000 次以上的迭代仿真运算得到了迭代残差小于1e-5的计算结果。速度场和压力场经对比分析均符合实际情况,温度场的计算误差为2%。结果表明:该计算方法可以客观描述尾焰流场的主要特征,快速仿真获得特定条件下的流场数据,为导弹尾焰红外特性的计算提供输入参数,提高尾焰的计算精度、节省尾焰的仿真时间。 相似文献
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烧结气氛、烧结温度、升降温速率等是陶瓷熔封工艺的必要条件,但导电胶在一定温度下受热分解,释放出的气体量的多少也是影响陶瓷熔封工艺的重要因素。因此,增加预烘工艺,改变导电胶组分,都可以在封盖过程中最大限度地减少导电胶中气体量的排放。同时,由于高温下气体过于集中,会导致器件泄漏。而芯片表面积及厚度不同,对管壳内腔体气流运行阻碍程度也不同,其中芯片厚度对腔体内气流阻滞作用特别明显。文章介绍了导电胶以及芯片厚度对黑瓷熔封工艺的影响,并对其应用进行了研究。 相似文献
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应用多物理场分析工具COMSOL Multiphysics软件中的磁场和固体传热两种模块,建立了平板式外延炉反应腔体的有限元模型.结合高频感应加热的机理,分析了电磁场与热场耦合作用,重点研究了感应加热系统中线圈结构、电流密度和频率对热场分布的影响.模拟结果表明,高频感应系统呈现出明显的趋肤效应,感应电流主要集中在基座下表层,焦耳效应主要发生在涡流区,基座上部的热量来源于热传导.实验中,通过调节感应线圈横向和纵向的位置,改变了磁通密度的分布,从而决定了腔体内的热场分布.根据模拟仿真结构,对外延工艺的温度分布进行优化,实现了热场的径向温度梯度变化小于10℃,在此条件下,硅外延片电阻率的标准偏差为0.56%. 相似文献
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