一种适用于LDO的三级误差放大器的设计

为了促进LDO在低电源电压环境中的应用,提高其稳定性,在此采用SMIC0．35um,N阱CMOS工艺,设计并实现了适用于LDO内部误差放大器的一种单密勒电容频率补偿的三级CMOS运算放大器。仿真结果表明该运算放大器的工作电压范围宽（2．5～6．5V）,静态电流小,开环电压增益为112．16dB,相位裕度为89．03°,增益带宽积为6．04MHz,共模抑制比为89．3dB,电源抑制比为104．8dB。     

一种高CMRR和PSRR的共源共栅放大器

针对传统运算放大器共模抑制比和电源抑制比低的问题,设计了一种差分输入结构的折叠式共源共栅放大器。本设计采用两级结构,第一级为差分结构的折叠式共源共栅放大器,并采用MOS管作为电阻,进一步提高增益、共模抑制比和电源电压抑制比;第二级采用以NMOS为负载的共源放大器结构,提高增益和输出摆幅。基于LITE—ON40V1．0μm工艺,采用Spectre对电路进行仿真。仿真结果表明,电路交流增益为125．8dB,相位裕度为62.8°,共模抑制比140．9dB,电源电压抑制比125．5dB。     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

一种应用于LDO的CMOS误差放大器设计

采用0.6μm标准CMOS工艺,设计并实现了可作为LDO内部误差放大器使用的一种宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器,该误差放大器具有较大的工作电压范围(2.5V～6.5V),而且对工艺参数不敏感,尤其对温度。模拟结果表明:在2.5V～6.5V工作电压范围内,共模输入范围为0.7V～1.465V,差模输入范围为±2.5VT,开环电压增益为AV≈75dB,相位裕度Φ≈65°,单位增益带宽GB≈9.4MHz,共模拟制比CMRR≈74dB,电源拟制比SPRR≈97.5dB,转换速率Sr≈18V/μs。     

用于LED驱动器的改进型CMOS误差放大器的设计

文中利用ASIC技术设计了一款可用于LED驱动器中的新型CMOS误差放大器，此误差放大器采用对称跨导放大器结构（OTA），引入了动态频率补偿和弥勒补偿技术，从而使所设计的放大器在性能上有了很大的提高．保证了此LED驱动器中恒流电荷泵高效低噪声的工作。同时介绍了该误差放大器的具体硬件电路，包括启动电路、电流采样、过流保护等。基于Hynix 0．5μmCMOS模型的仿真结果表明，可以很好的保证系统的性能。     

一种宽动态范围低失配的电荷泵

采用TSMC 0.18 μm混合CMOS工艺,设计了一种应用在GNSS接收机中低杂散锁相环(PLL)的宽动态范围低失配电荷泵。分析了电荷泵非理想因素和压控振荡器(VCO)调谐增益对参考杂散的影响,发现提高电荷泵电流匹配精度和减小VCO调谐增益均可有效抑制锁相环的参考杂散。采用加负反馈的源极开关型电荷泵,以实现电荷泵充放电电流的精确匹配。利用电荷泵输出电压来控制运算放大器的不同输出支路,以拓宽电荷泵的输出电压动态范围,从而降低PLL输出频率范围对VCO调谐增益的要求。仿真结果表明,当电源电压为1.8 V、电荷泵电流为100 μA时,可以实现充放电电流精确匹配,输出电压范围达到0.02~1.78 V,参考杂散为-66.3 dBc。     

STP4CMP:带电荷泵四路LED驱动解决方案

ST公司的STP4CMP是基于电荷泵的四路LED驱动器,设计用于RGB照明或LCD显示器背光。支持正向电压高达成3.8V的LED,工作电压2.7V～5.5V,四路电流可单独编程,最大电流30mA,输出电流精度±7%,通路间电流匹配度在±4%内。主要用在手机显示器背光和RGB LED指示器驱动器。STP4CMP是基于4通道LED驱动器(用于RGB照明或液晶显示     

新品发布

三差分线路驱动器小封装的三差分线路驱动器AD8133具有内部共模反馈,提供输出增益,并且在50MHz处相位平衡误差为-60dB,抑制EMI辐射并且可以使用5类非屏蔽双绞线电缆。驱动器接受单端输入并且提供差分输出,其中每个放大器都具有固定的2倍增益来补偿线路终端电阻器造成的衰减。输出可设置为低电压状态,以便在线路隔离应用中与串联二极管配合使用,从而使在同一种双绞线电缆上容易实现差分多路复用。AD8133具有225MHz大信号带宽和1600V/μs转换速率。能通过施加一个电压到Vocm输入引脚调节输出共模电压幅度,该Vocm引脚也能用于发送叠加在…     

动态信息

典型工作电压VDD＝２．２V，RL＝２．２kΩ，C＝２．２μF，VIN＝１８mV（p－p）名称范围或典型值单位电源电压２～５V电源电流１８６μA信噪比（A计权）６０dB输出电压噪声（A计权）－８９dBV总谐波失真０．０９％电压增益１５．６dB温度范围－４０～＋８５℃封装尺寸（microSMD）０．９３×１．０×０．５mm表１LMV１０１２电路主要特性及参数典型工作电压VDD＝１．７V名称范围或典型值单位电源电压１．７～５V电源电流３８μA信噪比５８dB输出电压噪声（A计权）－９７dBV电压增益６dB电源抑制比８８dB输入电容２pF输入阻…     

一种基于PWM的CMOS误差放大器的设计

为解决PWM控制器中输出电压与基准电压的误差放大问题,设计了一款高增益、宽带宽、静态电流小的新型误差放大器,通过在二级放大器中间增加一级缓冲电路,克服补偿电容的前馈效应,同时消除补偿电容引入的零点。在Cadence软件平台上,经过交流和瞬态仿真,电路0 dB带宽达到55.5 MHz,电压开环增益约67.2 dB,相位裕度为83.0°上升建立时间和下降建立时间分别为6.7 V/μs和5.7 V/μs共模抑制比为49.17 dB,电源抑制比为71.39 dB。该误差放大器已经应用到了PWM芯片中,使得PWM最大、最小占空比可调,大幅提升了芯片系统的整体性能。     

高电源电压抑制比基准电压源的设计

在此通过对带隙基准电压源电路进行建模分析,针对逆变电路的中低频使用环境,设计了一个应用于高压逆变器电路中的高电源电压抑制比,低温度系数的带隙基准电压源。该电路采用1μm,700 V高压CMOS工艺,在5 V供电电压的基础上,采用一阶温度补偿,并通过设计高开环增益共源共栅两级放大器来提高电源电压抑制比,同时使用宽幅镜像电流偏置解决因共源共栅引起的输出摆幅变小的问题。基准电压源正常输出电压为2.394 V,温度系数为8 ppm/℃,中低频电压抑制比均可达到-112 dB。     

ISM频段中功率功率放大器

采用三指单胞的InGaP/GaAsHBT提取的大信号模型参数 ,设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器 .通过对传统偏置网络的优化 ,消除了小信号下的增益压缩 .在 3 5V电压下 ,该放大器的最大线性输出功率为30dBm ,增益达到 2 9 1dB ,对应的功率附加效率为 4 3 4 % ,临近沟道抑制比达到 - 10 0dBc,而静态偏置电流很低 ,只有 10 9 7mA .     

ISM频段中功率功率放大器

采用三指单胞的InGaP/GaAs HBT提取的大信号模型参数,设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器.通过对传统偏置网络的优化,消除了小信号下的增益压缩.在3.5V电压下,该放大器的最大线性输出功率为30dBm,增益达到29.1dB,对应的功率附加效率为43.4%,临近沟道抑制比达到-100dBc,而静态偏置电流很低,只有109.7mA.     

一种高精度CMOS带隙基准电路的设计

采用ASMC0.35μm CMOS工艺设计了低功耗、高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出1V的带隙基准源电路。该设计中,偏置电压采用级联自偏置结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,实现了与绝对温度成正比(PTAT)温度补偿。通过对其进行仿真验证,当温度在-40～125℃和电源电压在1.6～5V时,输出基准电压具有3.68×10-6/℃的温度系数,Vref摆动小于0.094mV;在低频时具有-114.6dB的PSRR,其中在1kHz时为-109.3dB,在10kHz时为-90.72dB。     

LED显示屏的恒流驱动电路的设计

介绍了一种LED显示屏的恒流驱动电路,该电路包括输出控制部分电源电压的低压差线性稳压器、产生多路基准电压的带隙基准电压源、误差放大器、缓冲器、多个大功率MOS管以及取样MOS管五个部分,并且重点介绍了其中的低压差线性稳压器和带隙基准电压源的具体实现电路,能够更好的减少振荡,提高精度。通过上述恒流驱动电路为多路LED提供恒定的0.4V的驱动电流。     

Design and Simulation of a Ka-Band TE<Subscript>11</Subscript> Mode Gyro-Traveling-Wave Amplifier

The design of a Ka-band gyrotron traveling wave amplifier with high power and wide bandwidth is presented in detail. The amplifier operates in the TE11 circular mode at the fundamental cyclotron harmonic. The distributed loss technique is adopted in the interaction circuit which guarantees the amplifier zero-drive stability. The effects of the parameters such as input power, driver frequency and magnetic field on the performance of the gyro-TWT are discussed. The simulation results show that the gain and the 3dB bandwidth of the designed Ka-band gyro-TWT are about 56.0dB and 1.8 GHz ,respectively. The peak output power and the corresponding electronic efficiency are about 100 kW and 23.8% respectively with the voltage 70 kV and the current 6A at the velocity ratio 1.0.     

一种71dB动态范围的低功耗可编程增益放大器

本文实现了一款应用于电力线通信的可编程增益放大器(PGA)。采用闭环直接耦合方式,动态范围为71dB,调节精度为1dB。为了优化功耗和面积,本文提出了一种新的电阻阵列。该设计在SMIC0.18μm工艺下仿真,结果表明:在35dB增益下输入参考噪声为20nV/姨Hz;输出电压峰峰值为1V时,THD达到-68dB;最大增益误差为0.11dB;在1.8V的供电电压下,功耗为1mA。     

5.2 GHz variable-gain amplifier and power amplifier driver for WLAN IEEE 802.11a transmitter front-end

A 5.2 GHz variable-gain amplifier (VGA) and a power amplifier (PA) driver are designed for WLAN IEEE 802.11a monolithic RFIC. The VGA and the PA driver are implemented in a 50 GHz 0.35 μm SiGe BiCMOS technology and occupy 1.12×1.25 mm2 die area. The VGA with effective temperature compensation is controlled by 5 bits and has a gain range of 34 dB. The PA driver with tuned loads utilizes a differential input, single-ended output topology, and the tuned loads resonate at 5.2 GHz. The maximum overall gain of the VGA and the PA driver is 29 dB with the output third-order intercept point (OIP3) of 11 dBm. The gain drift over the temperature varying from -30 to 85℃ converges within±3 dB. The total current consumption is 45 mA under a 2.85 V power supply.