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经常有人将磁阻RAM(MRAM,magnetoresistive random access memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non-Volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性.它的寿命几乎是没有限制的.MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用. 相似文献
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FRAM(铁电存储器)、MRAM(磁阻存储器)和PRAM(相变存储器)等非易失性RAM相继上市,它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性(见图1)。这类存储器产品的写入时间很短, 相似文献
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经常有人将磁阻RAM(MRAM,magneto-resistive random access memory)称作是非易失性存储器nvRAM(non-volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新. 相似文献
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新型NVRAM将成为下一代的主流内存 总被引:1,自引:1,他引:0
本文介绍了铁电RAM(FRAM)、磁阻RAM(MRAM)和相变RAM(PRAM)等三种新型非易失性随机存取存储器(NVRAM)的当前发展动态和未来发展方向。 相似文献
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FRAM(铁电存储器)、MRAM(磁阻存储器)和PRAM(相变存储器)等非易失性RAM相继上市,它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非 相似文献
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笔者曾在本刊(2003,NO.12)上发表《新型NVRAM将成为下一代的主流内存》一文,介绍了FRAM(铁电RAM)、MRAM(磁阻RAM)和PRAM(相变RAM)等三种新型非易失性随机存取存储器(NVRAM)的发展动态。近两年来新型NVRAM发展迅速,如FRAM开始量产。2005年8月世界著名IC调研公司iSuppli认为,2004年全球内存市场为468亿美元,预计2019年达954亿美元, 相似文献
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2005年底索尼发布了一款高速存储器,它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写入次数等特性。该存储器采用了非易失性的8Kbit存储单元阵列,写入时间为2ns。如果再进一步提高集成度,可替代45nm以下工艺的SRAM、DRAM等非易失性存储器。索尼的这款存储器属于MRAM的一种。几年前,当MRAM刚上市时,业内就对它充满期待。但是随着研究的深入,很多难题不断出现。MRAM渐渐被视为特定市场的特定部件。索尼发布的这款存储器使MRAM回归到主流存储器的轨道上,甚至很可能发展成为终极存储器。除索尼外,美国Grandis、瑞萨科技、日本… 相似文献
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GaryEvanJensen 《今日电子》2004,(10):38-38
在最近美国夏威夷举行的本年度VLSI电路学术研讨会上,Infineon公司(位于德国慕尼黑)推出了世界上首个16Mb磁阻RAM(MRAM)样品。这项由该公司与IBM公司(位于美国加利福尼亚州圣何塞)历经数年共同开发而成并于最近转让给上述两家公司的合资企业Aldis(位于法国Essonnes)的MRAM技术突破了非易失性存储器在速度、 相似文献
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《电子产品世界》2004,(13)
6月22日,英飞凌(Infineon)科技和IBM展示全球第一款16Mbit磁阻式随机访问存储器(MRAM)。新展示的非易失性存储器芯片是目前为止密度最高的MRAM器件。这表明MRAM具有成为适用于高性能计算和移动应用的通用存储器的潜力。向MRAM写入第一位信息所需要的时间比闪存约快100万倍。从MRAM中读出第一位信息所要的时间比NOR闪存快3倍,比NAND闪存快约1000倍。此外,MRAM的功耗比DRAM技术小得多。此次展示的16MbMRAM产品样品采用0.18mm工艺制造。器件采用单晶体管单磁隧道结(1T1MTJ)单元,并采用类似SRAM的接口。这一接口在移动和… 相似文献
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世界顶尖的非易失性铁电存储器(F—RAM)和集成半导体产品开发供应商Ramtron International Corporation宣布推出串口F—RAM存储器FM25L16-GA,进一步扩大其符合AEC—Q100汽车标准要求的F—RAM存储器系列阵容。 相似文献