微波管用衰减材料的研究

首先介绍了国内外的几种微波衰减材料,同时分析了我所正在使用和研究的几种衰减瓷;其次介绍了波导传输反射法测量微波衰减材料的高频电磁参数,以及国内其它单位和国外的测量水平状况;再次,通过介绍衰减器微波吸收特性的CAD,对衰减瓷在使用中的不匹配问题进行了讨论;最后结合笔者的认识,讨论了今后微波管用衰减材料的研究方向。     

衰减陶瓷在真空电子器件中的应用

通过对衰减瓷的焊接工艺进行改进,从而改善了衰减瓷在微波器件腔体中的导热性,增加了速调管的稳定性能。     

用于大功率微波器件的新型薄膜衰减材料

根据大功率微波电真空器件中衰减材料的作用及对衰减材料的要求,介绍了一种新型的FeSiAl薄膜衰减材料,并对这一材料的特点、微观结构及衰减机制进行了分析.     

楔体周期结构电磁波衰减的理论计算及数值模拟

微波吸收材料抑制表面对电磁波的反射有两种主要方法:一是根据传输线理论,通过材料配方改变材料电磁参数实现材料和空气的阻抗匹配;另一种是采用表面设计方法,包括复合结构层设计和将吸收表面设计成某种特殊的结构,实现对电磁波的回波衰减。本文采用等效传输线理论和几何光学原理分别对表面周期结构中的棱楔周期结构及其微波耗散机理进行了理论计算和数值模拟,得出了几点重要结论:(1)应使楔体周期宽度尽可能等于或接近电磁波波长,以实现良好的阻抗匹配;(2)楔体深度越大,阻抗匹配越好;(3)减小楔体夹角可增强回波衰减。以上结论对指导微波吸收材料的设计具有十分重要的意义。     

大功率微波真空管用氮化铝基高导热微波吸收材料

大功率的微波真空管用微波吸收材料要求具有良好的导热性能,可以将微波衰减所产生的热量及时传导出去,此前常用BeO作为基体材料,但是BeO的毒性限制了其使用,因此研究的焦点转向了同样具有高热导率的AlN。本文介绍了大功率微波真空管用AlN-SiC复合微波吸收材料的研究现状及主要的制备方法。     

噪声温度法测量微波波导器件小衰减的进一步研究

本文在噪声温度法测量小衰减的基础上，提出了Ｙ因子法和噪声温度比较法测量微波波导器件小衰减的两种新设想。     

与砷化镓材料相依发展的微波半导体器件

本文从微波半导体器件的角度论述了砷化镓材料的重要性.砷化镓材料的发展过程是与微波器件的发展紧密联系在一起的.砷化镓材料每前进一步都导致微波器件性能的突破.文中在回顾了微波半导体器件发展历史的同时,指出砷化镓材料所起的重要作用.列举了砷化镓材料的特点,比较了几种制备方法,并给出了目前砷化镓微波器件研究和生产的现状、参数水平,最后对材料与器件的前景进行了初步估计.     

微波电真空器件和波导用大功率衰减材料综述

一.引言众所周知,微波衰减材料已广泛地应用于消极电子对抗中,例如地面重要的军事设施、空中的飞行器以及建造保密的微波隔离室等都需要大量使用微波衰减材料来防止对方的发现、跟踪和袭击。在微波测量系统中,作为衰减器和负载也在波导和同轴线中得到广泛应用。此外,在许多微波电真空器件中,它是一     

制造微波管的新型材料金刚石正进入实用阶段

制造微波管的新型材料金刚石正进入实用阶段氧化铝、氧化被、氮化硼和氮化铝由于在绝缘与导热性能方面的特长，一直是制造各类微波器件必不可缺的材料。然而，不久这些材料将有可能被一种新材料──金刚石所取代。英国ＴＭＤ公司的研究人员发现，用化学汽相沉积方法制成的...     

含钛衰减陶瓷制作工艺

通过实验对现有衰减材料制作过程中的一些问题进行讨论 ,从微观结构、烧成工艺以及与国外衰减瓷几个方面的对比对衰减瓷的研制提出改进意见和建议。     

PHEMT结构材料及器件

概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。     

谐振器加载石墨烯的双通带可调滤波衰减器设计

石墨烯材料在微波段的阻抗可控特性是其最有价值的应用特性之一。文中首次分析了石墨烯对微带 多模谐振的影响机理,提出了一种集成滤波衰减功能为一体的灵活可控器件。首先,对不同位置加载石墨烯的微带双 模谐振器进行了严格的等效电路建模,通过奇偶模分析法及输入导纳参数计算,探究了双模谐振受石墨烯阻抗及其加 载位置的影响,明晰了石墨烯材料对微波谐振器的影响。随后设计了动态可调的滤波衰减器并阐述了石墨烯材料在谐 波控制上的潜在应用点。最后,采用不同尺寸的双模谐振器进行石墨烯加载并完成双通带幅度独立可控的滤波衰减器 的设计,仿真与实测结果吻合良好,验证了阻抗可控石墨烯材料在可调微波衰减类器件上的应用前景。     

固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展

固态微波毫米波、太赫兹器件与电路是微电子、纳电子领域的战略制高点之一,SiCMOS技术进入纳米加工时代,GaAs,InP材料的"能带工程"(超晶格、异质结),GaN材料的宽禁带和界面特性以及石墨烯纳米级新材料的创新发展都深刻影响着固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的进展。描述了固态微波、毫米波和太赫兹器件与电路当前发展的新亮点,包括纳米加工技术、石墨烯新材料、GaN MMIC功率合成突破3 mm频段百瓦级、三端器件进入太赫兹和两端器件倍频链突破2.7 THz微瓦功率。并重点就当前发展的RF CMOS,SiGe HBT,LDMOS,GaAsPHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN HEMT,GFET和THz倍频链等10个领域的发展特点、2011年最新发展以及未来发展趋势进行介绍。     

发展氮化镓集成电路的考虑

介绍了氮化镓微电子器件的优势和现状。提出将GaNHEMT作为微波器件用于混合微波集成电路(MIC)和微波单片集成电路(MMIC),在射频输出功率、器件优值等方面,均具有明显优点,并列举了成功的例子。为了加快发展MMIC,必须解决好几个关键问题,即提高材料质量和尺寸,完善制造工艺,克服器件电流下降、增益过早饱和与射频输出功率退化等现象。     

X波段LTCC铁氧体环形器的设计

针对微波铁氧体材料与低温金属浆料及LTCC陶瓷材料在工艺上的匹配共烧的技术难题,文中采用本征模设计方法,运用阻抗匹配技术,借助微波仿真HFSS和AutoCAD软件设计了一种X波段单Y结LTCC铁氧体环形器。器件模型在10.9~12 GHz的频率范围内出现环形功能,其带宽为1.1 GHz,插入损耗≤0.5 dB,回波损耗≥10 dB,隔离度≥13 dB,驻波比≤1.5 dB。此设计有望实现微波环形器与低温共烧陶瓷(LTCC)技术的有效结合。     

C波段有源微波冷噪声源设计及其性能分析

本文在介绍国内外有源微波冷噪声源技术发展的基础上,分析了有源微波冷噪声源的工作原理和关键技术.提出了一种有源微波冷噪声源设计方法,重点分析了设计过程中的关键环节对噪声源性能产生的影响.采用pHEMT型场效应管研制了C波段有源微波冷噪声源器件,并对该器件的性能进行了测试和分析.     

金属微波熔炼技术研究与应用进展

微波技术作为一种清洁环保的加热方式,在金属熔炼领域具有潜在的工程应用价值。与传统的熔炼方式相比,微波熔炼技术具有高效节能的特点,可以很好地减轻材料和能源浪费、降低安全风险。文章简要介绍了微波加热技术的发展,讨论了金属微波熔炼的技术原理、工艺特点、装置设计等,在此基础上对微波熔炼目前存在的技术问题及未来发展趋势进行分析。近几年美国的微波熔炼技术发展迅速,已在金属材料制备和零件生产中得到了较为成熟的工业化应用,但国内在该方向上的研究还处于起步阶段,因此完善技术认知、解决瓶颈问题对缩小国 内外该领域的差距、为我国储备新的制造技术具有重要意义。     

Microwave solid-state active devices

Solid-state devices have had a major impact on the development of microwave and millimeter-wave systems. Starting with development work dating back to the 1940s, a variety of two- and three-terminal device structures have been proposed, fabricated, and found their way into commercial and military applications. These devices have resulted in the realization of numerous systems that would not otherwise be possible. The device development effort has been closely linked to advances in semiconductor materials growth and processing technology. Many of the advanced device concepts can only be implemented with the advent of advanced materials growth technology, such as molecular-beam epitaxy, and fine-line lithography techniques, such as electron-beam lithography. Advanced materials technology has also provided the ability to fabricate heterostructures that permit the advantages of multiple material layers to be optimized for device applications. High-performance diodes and transistors are now available for use from UHF into the millimeter-wave spectrum, approaching terahertz frequencies. The development, operating principles, and state-of-the-art of various diode and transistor structures are reviewed     

In-Line Waveguide Calorimeter For High-Power Measurement

The static in-line calorimeter measures the temperature rise in the walls of a waveguide caused by the attenuation of microwave power flowing through the waveguide. It is simple and inexpensive and can be constructed so that it will fit on waveguide already existing in a microwave system. The device should be reliable because it uses no active circuitry. In addition, few mechanical problems are encountered in its use because the existing waveguide need not be altered. The theory of the device is developed, and two experimental S-band calorimeters using stainless steel waveguide and resistance-wire bridge temperature indicators are described. The measured sensitivity and time constant for both units fall within the experimental error of confirming the theoretically predicted figures.