260-285nm波段苯胺的共振增强多光子电离研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上获得了260-285 nm波段气相苯胺分子的共振增强多光子电离／飞行时间质谱(REMPI-TOFMS)。结合在266 nm激发波长下得到的C6H7N 、C5H6 、C4H3 、C3H3 、C2H4 及H2CN 离子的光强指数及不同激光能量下各离子信号强度的分支比,对分子离子及主要碎片离子的生成机理进行了探讨:在此波段范围内,苯胺分子首先吸收一个光子跃迁至1B2第一激发态,处于激发态的苯胺分子再吸收一个光子电离生成分子离子C6H7N ,分子离子进一步吸收光子解离为C5H6 、H2CN 、C6H5 ,碎片离子C6H5 继续吸收光子解离产生C4H3 、C3H3 、C2H4 ,并给出了可能的解离通道。     

266nm的激光作用下溴苯分子的多光子电离碎片化机理

在266nm激光作用下,利用多光子电离-飞行时间质谱法获得了溴苯分子的MBPIF-TOF质谱。实验测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系,并用这些实验结果对溴苯分子的多光子电离解离机理做了分析,还对C6H5 ,C5H3 ,C4H2 ,C3H 等碎片离子的可能形成过程作了讨论,结果证明母体分子吸收光离解离是主要通道,且碎片离子主要是经过离子离解阶梯模式产生的。     

266nm激光作用下1,3-二溴苯的多光子电离和解离研究

在波长为266 nm的激光作用下对1,3-二溴苯分子的多光子电离解离过程进行了研究,获得了溴苯分子的MPIF-TOF质谱,并测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系.用这些实验结果分析1,2-二溴苯分子的多光子电离解离机理,得出1,3-二溴苯的MPI过程主要是母体分子解离-中性碎片电离C6H 4,C5H 3,C4H 2,C3H 等碎片离子主要是经过离子离解阶梯模式产生的,并给出了可能的解离通道.     

355 nm激光作用下CH3I分子的多光子电离解离

利用飞行时间质谱仪在超声射流冷却条件下研究了CH3I分子在355 nm激光作用下的多光子电离解离机制.得到了分子的飞行时间质谱,质谱中有较强的H 、CH 3和I 信号,较弱的C ,CH 、CH 2和母体离子CH3I 信号,CH3I 的出现表明CH3I分子的多光子电离解离(MPID)属母体离子阶梯模式:CH3I分子由双光子共振激发到里德堡C态,处于该激发态的母体分子继续吸收光子上泵浦至电离态形成母体离子CH3I ,碎片离子可由母体离子解离形成.同时结合母体离子及碎片离子的出现势对CH3I分子的多光子电离解离通道进行分析,提出了可能的解离电离通道.     

对氯苯酚的共振增强多光子电离研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上实验研究了气相对氯苯酚分子的共振增强多光子电离飞行时间质谱(REMPI-TOFMS),获得了在275～285 nm激发波段的母体离子和主要碎片离子(C6H5O ,C5H5Cl C6H5 ,C5H 5,C4H 3,C3H 3)的(I I)REMPI激发光谱.通过质谱光谱分析,结合分子在中间激发态的能级和结构特征,对主要碎片离子的形成机理进行了研究.结果显示:各个碎片离子与对氯苯酚的母体离子具有相似的光激发谱,并且各个谱峰与S,1态的振动能级是一一对应的.说明各个碎片离子和母体离子的产生经历了相同的共振中间态.分子先吸收一个光子到达中间共振态,然后再吸收一个光子到达电离态电离.根据碎片离子光强指数的阶梯形分布和分子在S,1态的结构特点.判断各个碎片离子经历了母体离子的阶梯式离解,并给出了主要碎片离子的离解通道.     

飞秒激光场中氯丙烯的光电离/解离机制研究

利用50fs的激光脉冲对氯丙烯在200nm、400nm和800nm下的光电离/解离机理进行了研究. 实验获得了氯丙烯在三种波长下的电离质谱和光强指数,分析了母体和碎片离子强度随波长的变化关系. 在200nm时,C3H5Cl+来源于飞秒脉冲的直接非共振电离,其它碎片离子均来源于母体离子的电离解离过程;在400nm时,部分分子被激发到高里德堡态从而解离产生C3H5,C3H5再次吸收光子电离导致C3H5+的信号增强;在800nm时,部分分子被同时激发到了排斥态nσ*和多个高里德堡态而发生解离.更多通道产生C3H5使得C3H5+产量进一步增加.由于C3H4+来自C3H5Cl+以及C3H5+的电离解离过程,因此,C3H4+产率随波长变化相对较缓.     

飞秒光电子影像技术对氯丙烯分子的光电离/解离机理的研究

飞秒光电子影像技术结合飞行时间质谱对氯丙烯（C3H5Cl）在200 nm、400 nm、800 nm飞秒脉冲下的光电离/解离机理进行了研究。实验结果表明氯丙烯的光电离/解离机理与激光波长存在依赖关系。分析发现,在短波长200 nm时,母体分子C3H5Cl以双光子电离为主要通道,而其他的碎片离子则来源于C3H5Cl+的解离。当波长向长波方向变化时,例如800 nm时,C3H5Cl中间态的解离就开始占主导地位,碎片离子的信号也相应增强。此外,光电子能谱进一步证实了在400 nm和800 nm时存在来源于中性碎片的光电子,而这些中性碎片又是由C3H5Cl的中间态直接解离而产生的。这意味着,在长波400 nm和800 nm时,母体分子可能被激发到寿命较短的中间解离态,从而解离产生中性碎片,导致光解离过程在长波段占有重要角色。     

激光质谱法对氯代乙烯的痕量快速检测研究

获得了在超声分子束条件下，305.0～325.0nm波长范围内三氯乙烯及四氯乙烯的（2＋1）共振增强多光子电离／飞行时间质谱（REMPI-TOFMS）。在此波段，三氯乙烯分子通过双光子跃迁至3d里德堡态再吸收一个光子电离而后解离成CCl^-等碎片离子，四氯乙烯分子则经历了π到3p德堡态的（2＋1）多光子过程。实验分别获得两种氯代乙烯分子电离解离后产生的碎片离子CCl^-的分质量光谱及光强指数。研究表明，该波长范围内三氯乙烯的最佳检测波长为310．8nm，四氯乙烯的最佳检测波长为322.5nm。根据CCl^-信号强度与样品浓度的线性关系，实现了这两种环境污染物的低浓度探测，探测限可达到μg／L量级。     

266nm激光下硝基苯的多光子电离解离研究

在266nm波长激光下,通过激光质谱仪获得气相硝基苯的共振增强多光子电离/飞行时间质谱（REMPI-TOFMS）。根据质谱图中出现的主要离子峰信息,对硝基苯的光解离过程进行了分析。硝基苯与266nm激光的作用过程为三光子过程,其首先吸收两个光子跃迁至激发态,一部分处于激发态的分子,因内转换导致结构重排,生成分子异构体。处于激发态的硝基苯分子或分子异构体共振吸收一光子后发生解离,并给出其可能的解离通道。     

碘乙烷分子共振增强多光子电离飞行时间的质谱研究

在４７３～４８３ｎｍ波长范围内对碘乙烷分子共振增强多光子电离（ＲＥＭＰＩ）飞行时间（ＴＯＦ）质谱（ＭＳ）作了研究。分析结果表明在该波段碘乙烷（Ｃ２Ｈ５Ｉ）分子吸收双光子激光能量跃迁激发至Ａ带的３Ｅ,２Ａ１及１Ａ２态,激发态分子碎裂成中性碎片,中性碎片再吸收光子电离,产生了Ｃ２Ｈ＋５和Ｉ＋离子。Ｃ２Ｈ＋５离子进一步吸收光子并碎裂形成了碘乙烷分子ＲＥＭＰＩ－ＭＳ中其他的碎片离子。     

390.60nm激光作用下Si(CH3)4的多光子解离与硅原子的(1+1)电离

在390.60nm的紫外激光作用下，利用超声分子束技术与飞行时间（TOF）质谱仪相结合的方法研究了气相四甲基硅分子多光子电离（MPI）的TOF质谱，在较低能量的激光作用下主要检测到了Si(CH3)^ 、Si^ 、C2^ 等离子的信号，有时甚至只检测到了Si^ 离子的信号：在较高能量的激光作用下主要检测到Si(CH3)^ n(n=1,2,3,4)、Si^ 、C2^ 甚至还有SiC3^ ,SiC2^ 等离子的信号。据此并结合以前得到的结论，讨论了四甲基硅分子可能的MPI过程。得出了Si^ 主要来自于Si(CH3)4的多光子解离－Si原子的（1＋1）电离、Si(CH3)n^ (n=1,2,3)的（3＋1）电离、Si(CH3)^ 4来自于Si(CH3)4的（3＋1）电离的结论。     

丙酮和丙醛分子的多光子电离碎片化机理

用多光子电离一飞行时间质谱法在激光波长为532nm处获得了丙醛和丙酮分子的MPIF－TOF质谱．实验测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系．并用这些实验结果对两酮和丙醛分子的MPIF机理作了分析．还对H＋、C＋和CH＋等小质量碎片离子的可能形成过程作了讨论．     

355nm激光作用下二甲胺的多光子电离质谱研究

利用多光子电离技术结合飞行时间质谱仪,在355nm激光作用下对二甲胺分子进行了研究,我们认为其主要经历了2＋1的REMPI过程,二甲胺母体离子α断裂产生CH3N＋H=CH2,CH3N＋H=CH2进一步解离产生C2H4N＋,用从头算方法确定了m/e=42的离子是（CH3N≡CH）＋,对m/e=28的离子的可能来源进行了推测：一是（CH3N≡CH）＋离子进一步发生重排,失去CH2游离基;二是CH2=N＋H21,2脱氢。     

飞行时间质谱法研究Si（CH3）4分子的多光子解离和电离过程

采用超声分子束技术,以飞行时间（TOF）质谱仪,于410－371nm内,在不同能量的激光作用下,着重检测了气相Si(CH3)4分子在15个波长点处的多光子电离（MPI）TOF质谱分布。根据实验结果,讨论了Si(CH3)4可能的MPI机理,得到了Si^ 主要来自于母体分子及中性碎片的多光子解离－硅原子的共振电离、Si(CH3)n^ (n=1,2,3）主要来自于中性碎片Si(CH3)n(n=1,2,3）的自电离、而Si(CH3)4^ 则来自于母体分子的（3＋1）电离的结论。     

CH3I在532nm及455.5nm激光作用下多光子电离研究

本文利用飞行时间质谱仪研究了532nm和455.5nm激光作用下CH3I分子的多光子电离解离（MPID）。在532nm激光作用下，CH3I分子由双光子激发到A带的A2态，它的MPID属母体离子阶梯模式;在455.5nm激光作用下，CH3I分子由双光子激发到A带的3E态，它的MPID属中性碎片光电离模式。     

262～272 nm波段氯苯的激光质谱研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上获得了262～272 nm波段气相氯苯的(1 1)共振增强多光子电离/飞行时间质谱(REMPI-TOFMS).研究表明,该波长范围内获得的光激发谱的光谱结构是氯苯第一激发态1B2(S1)振动能级的反映,对其中14条谱线进行了尝试性指认.分析了氯苯在266 nm波长处不同激光能量下的光电离质谱特点,讨论了造成77C4H5 质谱的非对称增宽的原因.实验研究了266 nm波长处氯苯分子离子信号强度与样品浓度之间的关系,估算出氯苯的探测限为ng/L量级.     

355nm激光作用下Si(CH3)4分子的MPI质谱研究

在 35 5nm的激光作用下 ,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3 ) 4分子多光子电离 (MPI)质谱分布。测量了Si(CH3 ) + 4,Si(CH3 ) + 3 ,Si(CH3 ) + 2 ,Si(CH3 ) + 及Si+ 离子的激光光强指数 ,检测了这 5种碎片离子的信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系。据此 ,讨论了该分子MPI过程可能经历的通道 ,得到了Si+ 主要来自于母体分子的多光子解离—硅原子的电离 ,Si(CH3 ) + n(n =1,2 ,3)主要来自于中性碎片Si(CH3 ) n(n =1,2 ,3)的自电离 ,Si(CH3 ) + 4来自于母体分子的 (3+1)电离的结论     

Si(CH_3)_4分子的多光子电离和解离研究

对Si(CH_3)_4分子在280.0nm波长的激光多光电子电离和解高产物离子的飞行时间质谱进行了测定,结果表明:Si(CH_3)_4分子解离和电离后的主要正离子产物为:Si(CH_3)_2~+、Si~+和CH_x~+(x=0,1,2,3)离子等。本文还讨论了不同激光功率下Si(CH_3)_4分子产生不同碎片产物离子的机理。     

2-(4''''-正烷基苯)- 4,6-二羟基-5-烷基嘧啶类液晶的EI质谱研究

报道了2-（4’-正烷基苯）-4，6二羟基-5-烷基嘧啶类衍生物的电子轰击源（EI）的质谱行为，通过对10种不同取代基嘧啶类衍生物的质谱研究，推测了该类化合物的质谱裂解机理。该类化合物离子的主要特征是：均有较强的分子离子；其基峰离子是由于嘧啶环烷基的β位处断裂，形成基峰离子[R2C6H4C4N2（OH）2CH2]^＋碎裂离子主要是由于嘧啶环断裂所致，从而形成[R2C6H4C2N2OH]^＋、[R2C6H4CN]^＋、[R2C5H4C]^＋等一系列特征离子。     

在532nm激光作用下n—C4H9I的多光子离解过程质谱研究

报道了碘代正丁烷分子在５３２ｎｍ激光作用下的多光子电离（ＭＰＩ）质谱（ＭＳ）研究结果。（１）碎片离子主要由离子离解阶梯模式产生；波长不仅影响碘代正丁烷分子碎片离子产生模式，同时还影响其碎片离子的碎裂程度。（２）激光强度一般只影响分子离子及碎片离子的碎裂程度。