分子束延的计算机控制

报导了一种专门为ＭＢＥ生长而设计的计算机控制系统，改善并扩展了原控制单元ＳｅｎｔｉｎｅｌⅢ的功能，并展示了由它控制生长的各种ＳｉＧｅ结构。     

ZnSe体单晶生长技术

简述了ZnSe体单晶熔体生长，气相生长、溶液生长和固相再结晶技术以及ZnSe的基本理化性质，分析并认为这些基本理化性质对Znse单晶生长过程控制存在不同程度的影响，理解这些性质并将其应用于ZnSe晶体生长过程工艺参数的控制，对获得高质量大尺寸ZnSe单晶十分重要，分析了不同方法的工艺与相应ZnSe单晶研究现状及发展趋势。     

碳纳米管生长控制理论得到证实

据报道，美国莱斯大学Yakobson教授在2009年提出了利用手性控制生长位错理论，描述了碳纳米管是如何由单原子线织成螺旋形状碳纳米管的。近期俄亥俄州空军研究实验室的实验已证实了该生长理论，纳米管的手性控制其生长速度，扶手椅型碳纳米管生长速度最快。     

利用HWCVD在柔性衬底上制备多晶硅薄膜

通过热丝化学气相沉积法（Hot Wire Chemical Vapor Deposition, HWCVD），采用间歇供应硅烷气体，持续通入氢气的方式控制硅薄膜的生长，发现该方法在有机衬底上生长的薄膜结构为多晶相占主导地位。此外，研究了不同间歇周期条件下薄膜的形貌和结构，并对生长机理进行了解释和讨论。     

冰晶在肾组织中生长特点之初探

在微电脑控制的小样品升降温控制装置上，用透射电子显微镜研究了鼠肾组织在快速冷却后冰晶生长的一些特点，并结合传热分析方法和结晶动力学理论，定量地研究了肾细胞核内冰晶随位置的分布。     

SiCw生长的速率控制步骤的研究

以稻壳为原料是合成ＳｉＣｗ的一个重要方法，本文对ＶＬＳ机理下ＳｉＣｗ的生长速率控制步骤进行了研究，并以此研制了亲的复合催化剂，提高了生成速率，结果表明，稻壳原料中心ＳｉＯ２与Ｃ在高温下生成ＳｉＯ的反应不仅是生成ＳｉＣｐ也是生成ＳｉＣｗ的生长速率控制步骤。     

EACVD金刚石膜热丝温度的单片机测控

在EACVD金刚石膜生长过程中，衬底温度、热丝温度、热丝电流和气源流量等是其重要的工艺参数。鉴于手动控制的不精确，采用了单片机MSP430控制热丝温度，对其他工艺参数进行了监测。介绍了计算机测控系统硬件组成和软件实现。采用模糊PID控制后，热丝温度控制精度为2U，生长速率达到10μm／h以上。实验结果表明，所研制的测控系统运行可靠，使用方便，初步实现了金刚石厚膜稳定优质生长。     

小型平衡双注装置的研制

介绍了一种对乳化过程中的温度、流量、ｐＨ值及ｐＡｇ进行控制的平衡双注装置。实验结果表明，该装置能有效地控制卤化银晶体的生长并制备出单分散的乳剂。     

微波等离子体化学气相淀积法生长取向性纳米氮化铝薄膜

采用微波等离子体增强的化学气相淀积法，在Si（111）衬底上生长了（002）择优取向良好的AIN纳米薄膜研究淀积参数对膜的形貌、物相结构和生长速率的影响，发现在一定条件下，该起积过程属于典型的输运控制过程采用表面吸附生长模型讨论了膜的生长机制     

镁合金微弧氧化过程中的成膜规律

镁合金微弧氧化膜层的生长按一定的成膜规律进行.从氧化过程中样品各部分尺寸的变化中发现,氧化前期是以向基体外生长为主,而后期则以向基体内生长为主.用ICP-AES仪器研究了基体中的合金元素向溶液中迁移规律.并估算了薄膜生长前期的各种料子运动情况,认为微弧氧化前期膜层的生长速度受电解液中的传质速度所控制.而薄膜生长后期则由扩散方程所控制,其中氧离子的扩散至为关键.     

生长温度对微纳氧化锌晶体形貌影响机理的研究

采用气相传输法制备出微纳结构的氧化锌，通过扫描电子显微镜、X-射线衍射仪和透射电子显微镜等对样品结构进行表征，研究样品形貌与生长区温度间的关系，结果表明，以高纯度锌粉末为原料，控制蒸发区温度800℃、生长区温度在450—600℃之间变化，可有效实现对样品形貌的控制。进一步的理论分析表明，温度变化决定着晶体生长过程中的晶核数量、临界半径、生长方式和生长速度等参数。     

氢氧焰燃烧合成核壳结构纳米 TiO2/SiO2复合颗粒及机理分析

利用多重射流氢氧焰燃烧反应器，通过控制进料方式，以TiCl4和SiCl4为原料合成了具有典型核壳结构的纳米TiO2／SiO2复合颗粒，并分析了氢氧焰燃烧合成过程中核壳结构的形成机理．在纳米TiO2／SiO2复合颗粒中，无定形的SiO2均匀地包覆在晶态TiO2颗粒表面形成核壳结构，引入SiO2不但有效抑制TiO2晶粒的生长，而且抑制了锐钛相向金红石相的转变．在TiCl4和SiCl4次序进料时，TiCl4优先反应并通过成核生长生成TiO2纳米颗粒，SiCl4反应生成的SiO2通过在TiO2颗粒表面非均相成核生长，形成核壳结构的纳米复合颗粒．     

电场磁场控制一维碳纳米材料生长研究进展

施加电场或磁场是一种能够有效控制一维碳纳米材料（包括碳纳米管、碳纳米纤维）生长的方法。文章评述了近年来电场磁场控制一维碳纳米材料生长的研究进展,介绍了电场磁场施加于各种不同的碳纳米材料制备方法,并提出了该方法在未来的发展方向。     

微波等离子体化学气相沉积法生长取向性纳米氮化铝薄膜

采用微波等离子增强的化学气相沉积法，在Ｓｉ（１１１）衬底上生长了（００２）选优取向良好的Ａ１Ｎ纳米薄膜。研究沉积参数对膜的形貌、物相结构和生长速率的影响，发现在一定条件下，该沉积过程属于典型的输运控制过程，采用表面吸附生长模型讨论了膜的生长机制。     

从液相制备陶瓷超细粉料的原理和方法

液相法合成陶瓷粉科有利于成分的精确控制和均匀混合，可制备颗粒微小、尺寸均一的粉料。但是从液相中制粉容易引起因粉料团聚而使粉料丧失超细粉料的优点。本文分析了固相颗粒在液相中的生长过程，讨论了均一尺才颗粒的生长条件，论述了液相法合成陶瓷粉科中形成团聚的3个过程，以及各种控制团聚的工艺方法和避免团聚的工艺措施。     

C_(60)单晶生长的优化研究

用晶体生长动力学考察了籽晶法气相生长C60单晶体的生长工艺，得出关键在于处理成核与长大两个因素之间的矛盾。对管状炉的温度场进行了重新设计，将冷端的最低温度点移至合适部位，有效地控制了成核的数目。通过不断地优化实验，经选出恰当的冷、热端温度及生长周期，生长出的C6。单晶的最大钱度超过6mm，且有较高的结晶品质。同一单晶的劳厄像显示出C60的生长暴露面有（111）和（100）两种。     

定向金属蒸气喷涂可使发动机叶片寿命延长

美国国际定向蒸气工艺公司直接在飞机发动机叶片上以蒸气沉积法涂覆了薄膜。这个新的沉积工艺是由弗吉尼亚大学研发的，他们利用最新的蒸气沉积设备实现了发明。新工艺可精确地控制薄膜生长，并可随意地改变薄膜的原子组成。     

热丝化学气相生长金刚石温度场流场模拟计算和反应器设计原理研究

在对于现有金刚石气相生长工艺特点综合分析的基础上，通过对于热丝化学气相生长金刚石工艺过程状态参数的空间场模拟及相应的实验研究，揭示了热阻塞、热绕流等背离反应基本条件的现象，以及状态参数高度不均匀性的场分布，导致偏离金刚石生长所需合理条件。这些正是当前热丝化学气相生长金刚石速率低、成本高、质量不稳定的重要原因。空间模拟及生长实验结果证明，通过选择合理的反应器结构和反应条件，可以控制反应状态参数空间场，使其符合气相生长金刚石要求，达到在保证质量稳定南时，实现大面积高速生长。这些结果为大面积高速度高质量气相生长金刚石明确了新的发展前景和具体实现途径。     

C60单晶生长的优化研究

用晶体生长动力学考察了籽晶法气相生长Ｃ６０单晶体的生长工艺，得出关键在于处理成核与长大两个因素之间的矛盾。对管状炉的温度场进行了重新设计，将冷端的最低温度点移至合适部位，有效地控制了成核的数目。     

Ni(OH)2晶型构造控制研究

采用氨络合沉淀法制备了Ｎｉ（ＯＨ）２微粒。基于Ｎｉ（ＯＨ）２的结构特征，考察了阴离子、氨浓度、反应陈化时间对Ｎｉ（ＯＨ）２的结构控制规律，并用负离子配位多面体生长基元理论对此进行解释，认为通过改变反应休 理论化学条件来改变有关生长长基元及其维度、连接方式是控制粉体结构的有效途径。