闪速存储器AT29C×××及其在高速处理系统中的应用

文章以ＡＴ２９Ｃ２５６为例，详细介绍了Ａｔｍｅｌ公司闪速存储器的结构、特点、性能及使用方法。针对闪速存储器的特性，结合作者的使用经验，给出了两种ＣＰＵ接口方法，并对闪速存储器的可靠编程和延长使用寿命等问题提出了相应的解决方法。     

高级语言编程时如何进行单片机外部数据存储器扩展

以Ｃ语言为例论述在高级语言进行了８０３１系统编程时，进行外部数据存储器空间扩展需要注意的问题，并对单片机系统用高级语言编程时的外部数据存储器空间扩展方法作一探讨。     

闪速存储器AT29C×××及其在高速处理系统中的应用

文章以ＡＴ２９Ｃ２５６为例，详细介绍了Ａｔｍｅｌ公司闪速存储器的结构、特点、性能及使用方法。针对闪速存储器的特性，结合作者的使用经验，给出了两种ＣＰＵ接口方法，并对闪速存储器的可靠编程和延长使用寿命等问题提出了相应的解决方法。     

由ADuC812与K9S6408V0A构成的便携式数据采集系统

Ｋ９Ｓ６５０８０Ａ是三星公司生产的快闪存储器,它具有容量大,接口简单等特点。而ＡＤｕＣ８１２是内嵌ＡＣＵ的多通道１２位ＡＤ转换器,文中介绍了一种以ＡＤｕＣ８１２为主,配以Ｋ９Ｓ６４０８Ｖ０Ａ快闪存储器所构成的便携式数据采集系统,并给了同了ＡｄｕＣ８１２与Ｋ９Ｓ６４０８Ｖ０Ａ的硬件接口及软件编程。     

FLASH存储器的编程模式与兼容性研究

FLASH存储器是继传统ROM和EPROM之后推出的新型存储器件。它可通过与之相连的微处理器在线编程和擦除 ,因而十分适合嵌入式系统的设计和开发。文章分析了FLASH存储器的软硬件结构特征 ,探讨了FLASH存储器在实际应用中遇到的编程模式与兼容性问题     

EEPROM耐久和数据保持试验方法标准分析

介绍了存储器分类,论述非易失性存储器编程机理以及编程/擦除耐久和数据保持试验方法,分析了MIL-STD-883B中的《耐久寿命试验》和JESD22-A117《电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)编程/擦除耐久和数据保持应力试验》等试验方法标准.     

Flash芯片M29F040B在数据采集系统中的应用

以ST公司的Flash存储器M29FO40B为例介绍了Flash存储器的工作原理与操作方法，及其在弹药测试中的应用，并且给出了M29FO40B与微处理器的接口设计及软件编程方案。     

闪烁存储器Am29F016及其与DSP的接口

文章介绍了一种闪烁存储器Am2 9F0 16的功能特点、工作状态及其与DSP的接口 ,并且详细叙述了在TMS32 0C32DSP仿真环境下将用户程序写入该闪烁存储器的编程方法。     

闪存28F016S5及其在DSP仿真环境下的编程

本文介绍了一种由Ｉｎｔｅｌ公司生产的闪烁存储器２８Ｆ０１６Ｓ５，并且详细叙述了在ＴＭＳ３２０Ｃ３２ＤＳＰ仿真环境下将用户程序写入该闪存的编程方法，为开发利用闪存提供了范例。     

TMS320C3×浮点DSP的高效编程

文章分析了TMS320C3×采用C语言编程的优缺点及基适用场合，介绍了它的分支、寄存器和存储器三种流水线冲突类型及其避免的方法以及代码和数据的存储器存放原则。提供了一些经并行阵列运行证明其极为有效有高效编码技巧。     

分离栅式快闪存储器抗编程干扰性能的工艺优化

随着电子产品的普及,分离栅式快闪存储器作为闪存的一种,因其具有高效的编程速度以及能够完全避免过擦除的能力,无论是在单体还是嵌入式产品方面都得到了人们更多的关注。但由于快闪存储器产品规则的阵列排列方式,高速的编程能力也带来了容易出现编程干扰的问题,成为了制约其实际应用的关键因素。从工艺优化方面探讨在编程过程中,如何有效提高分离栅式快闪存储器的抗编程干扰性能。通过实验发现通过整合改进工艺流程中调节字线阈值电压的离子注入方式的方法,可以显著改进分离栅式工艺快闪存储器的抗编程干扰性能。     

一种应用于深亚微米存储器的电荷泵设计

因只读存储器的基本存储单元只进行一次编程，编程后的数据能长时间保存，且在编程时需要流过mA级以上的电流，所以只读存储器编程时通常采用外加编程高压，内部的电荷泵。     

快闪存储器及其应用

本文评述存储器家庭新成员－快闪存储器的结构原理和特性，研制进展，编程擦除方法以及使用注意事项，提供了快闪存储器的多种应用途径。     

非晶In-Ga-Zn-O沟道薄膜晶体管存储器研究

非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法及材料性能进行了归纳。最后对基于a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器的结构、编程和擦除特性等文献报道进行了总结,重点讨论了该类存储器在通常情况下擦除效率低的原因及其改善措施。因此,对今后开发高性能a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器具有很好的指导意义。     

具有块擦除功能的1Mb闪速存储器MX28F1000PQC

ＭＸ２８Ｆ１０００ＰＱＣ是１Ｍｂ闪速存储器。它不但具有小容量Ｆｌａｓｈ的优点，而且还具备在大容量Ｆｌａｓｈ产品才拥有的自动编程和扇区（块）擦除功能，本文介绍了该芯片的特点，命令描述，并给出与ＭＣＳ－５１接口的应用实例。     

MC68HC908GP32 MCU的Flash存储器在线编程技术

文章阐述了Flash存储器的主要特点，分析了Motorla M68HC08毓内嵌Flash存储器结构特点，以MC68HC908GP32MCU为例讨论了Flash存储器的编程要点，并给出了在线编程实例，对技术难点进行了分析。     

串行EEPROM的发展趋势

非易失存储器有很多类型,容量也各不相同.这种存储器的涵盖范围很广,从价格低廉但灵活性不强的只读存储器(ROM)一直到价格昂贵但十分灵活的电可擦可编程存储器(EEPROM).各类非易失存储器之间的主要差别是编程和擦除的灵活性.ROM具有结构最紧凑的芯片存储器阵列布局,因而价格最低,但是存储器内容在生产阶段是固定的.比较灵活的是一次可编程 EPROM(OTP ROM).这种存储器在生产后可以电编程一次,这就使用户在设备组装时有能力把最新版本的内容装入存储器.EPROM具有类似的性能,但是又增加了另一层灵活性,同为它还可以暴露在强紫外(UV)光下擦除后重新编程.但是,擦除时间需要20分钟,而且重新编程是用一个专用编程器完成的.     

快闪存储器阈值电压分布读取和修正方法

在快闪存储器中,多晶硅浮栅的漏电、存储单元之间的干扰、长期的编程擦除操作都会使存储单元的阈值电压发生漂移,使采用多电平技术的快闪存储器的阈值电压分布规划变得越来越困难。针对这一问题,提出了一种快闪存储器阈值电压分布读取方法,该方法能准确地测量快闪存储器的阈值电压分布,给快闪存储器阈值电压分布规划和编程擦除算法的设计提供参考。     

一种应用于OTP存储器的新型电荷泵的设计

对一次性可编程（OTP）存储器进行编程时需要较大的编程电流,而传统的DICKSON电荷泵电路所提供的编程电流较小,不能满足要求。本文提出了一种适用于OTP存储器的新型电荷泵电路,在3.3V的工作电压下,输出电压7V,内部结点最高电压仅为8.8V,输出上升时间100ns,而且具有较高的电流负载能力,非常适合用于OTP存储器的编程。     

基于闪速存储器的数字录音与回放系统

摘 要:提出了一个基于数字信号处理器(DSP)和闪速存储器(FLASH)的数字录音与回放系统实现方案,在分析FLASH特性及其编程方法的基础上,设计了DSP与FLASH接口的硬件和软件。