用SEM研究高聚物的微观形态结构

用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）,对ＨＤＰＥ／ＣａＣＯ３填充高聚物、ＰＰ／ＥＰＤＭ高聚物共混物和ＰＡ／ＣＦ增强复合材料的微观结构形态进行了研究,并分析了各材料的改性机理,证明了ＳＥＭ技术在高分子多相体系的形态结构、界面状况、损伤机制及材料性能预测等研究中发挥着重要作用。     

热压Y-α/β-Sialon复相陶瓷的电镜分析

本文用ＴＥＭ，ＨＲＥＭ分析了热压Ｙ－α／β－Ｓｉａｌｏｎ复相陶瓷的组织结构，，结果表明长柱状β－Ｓｉａｌｏｎ晶粒与等轴状α－Ｓｉａｌｏｎ晶粒要互交叉结合在一起，在晶界上无晶间相分布，用会聚束电子衍射法可有效地区与α－Ｓｉａｌｏｎ相和β－Ｓｉａｌｏｎ相。电子能量损失谱（ＥＥＬＳ）分析表明在α－Ｓｉａｌｏｎ晶粒中有Ｏ，Ａｌ，Ｙ的固溶，在β－Ｓｉａｌｏｎ晶粒中有Ｏ，Ａｌ的固溶，Ｘ射线能谱（ＥＤＳ）分析表     

CMOS输入电路抗ESD性能研究

对ＣＭＯＳ电路中的ＥＳＤ损伤进行了研究，建立了ＥＳＤ灵敏度分类的测试，并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ＥＳＤ灵敏度的影响，提出了一种ＮＰＮ防ＥＳＤ结构，得到了ＥＳＤ失效阈值电压达２０００Ｖ以上的抗ＥＳＤ结构。     

锂掺杂NiMn系NTC热敏电阻的制备与性能研究

介绍对ＮｉｘＭｎ３－ｘＯ４ＮＴＣ热敏电阻材料进行锂掺杂的两种方法，并对掺杂后的电阻性能进行了研究。结果表明：掺杂后仍可获得尖晶石结构的半导瓷，但阳离子分布改变；在晶粒间界处发生偏析；掺Ｌｉ后电阻率、材料常数Ｂ基本不变，但电学稳定性提高。     

电铸超细晶Cu超高速变形机理的TEM研究

电铸材料由于具有独特的显微组织结构和晶粒生长方向的可控性而广泛地应用于工业及军事等领域。本文应用电铸法制备超细晶粒金属Ｃｕ ,对电铸工艺参数与形成的材料的微观组织的关系进行了探讨。运用扫描电子显微镜 (ＳＥＭ )、透射电子显微镜(ＴＥＭ)和ＥＰＳＤ等实验手段 ,对电铸Ｃｕ的显微组织及晶粒的生长方向进行了系统的研究 ,对超高速塑性变形机理进行了初步探讨。实验方法电铸法加工是在芯模上电沉积一定厚度的连续金属后再与之分离得到金属薄壳零件的成形技术 ,它是利用电解原理的相反过程来进行的[1] 。本研究采用不锈钢芯模作为阴…     

新型复相陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料Ｊｘ－２－Ⅰ的界面结构，结果表明，在Ｊｘ－２－Ⅰ中Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构；发现在ＳｉＣｗ、ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３上有孪晶产生；分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ⅰ材料的整体性能。     

PTCR型（Sr,Pb）TiO3陶瓷材料的半导化研究

研究了半导化元素Ｙ和第二相添加剂ＳｉＯ２对ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷材料电学性能的影响。结果表明，Ｙ和ＳｉＯ２的含量对材料的半导化性能影响显著，它们的较佳的含量（摩尔分数）分别在０．１％～０．６％和０．２％～０．５％之间，最低电阻率可达１０Ω·ｃｍ。借助复平面阻抗分析发现，无论是ＳｉＯ２添加剂还是半导化元素Ｙ都主要是通过影响材料的晶界行为而控制材料的宏观电学性能的。     

BaTiO3基PTC陶瓷Ca掺杂的扫描电镜研究

对ＢａＴｉＯ3基ＰＴＣ陶瓷进行替代掺杂 ,合适的掺杂量会改善ＰＴＣ效应、室温电阻、耐压性能。当掺杂合适的Ｃａ ,可使晶粒尺寸变小 ,均匀性提高 ,从而大大改善其ＰＴＣ材料耐压性能[1] 。对需改善耐压性能的产品 ,可采用此方法。本研究利用ＴＮ5 40 0能谱仪和ＤＸ -3扫描电镜对掺杂Ｃａ的ＢａＴｉＯ3基ＰＴＣ陶瓷进行观察分析 ,研究掺杂Ｃａ与ＰＴＣ陶瓷微观结构关系 ,Ｃａ在晶粒、晶界分布情况及其分布与耐压性能 ,瓷体表面状况的关系。此研究有助于改善ＰＴＣ耐压性能和调控ＰＴＣ生产工艺。使用ＴＮ5 40 0能谱仪及ＤＸ -3电镜在工作电…     

钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的探讨

本文介绍了钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的研究。用ＡＦＭ、ＳＥＭ和ＡＥＳ分析了经不同峰值温度烧成的厚膜电阻体、电阻体与陶瓷衬底和电阻体与电极界面的结构和成份。研究表明，不同峰值温度烧成的厚膜电阻器，由于微观结构的不同，其阻值存在着较大的差异。     

Ta2O5对TiO2基压敏陶瓷半导化的影响

研究Ta2O5对（Sr，Bt，St，Ta）掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响，发现随着Ta2O5增加，晶粒电阻呈现“U”字型变化规律，按照配方TiO2＋0．3％（SrCO3＋Bt2O3＋SiO2）＋0．1%Ta2O5（摩尔分数）配制的样品的晶粒电阻最小，这表明适当增加施主Ta2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。     

球磨条件对氮化铌超细粉结构的影响

利用特殊设计的球磨装置，经抽真空后充入一定压力的氮气，通过球磨纯金属，在室温下制备出金属氮化物的超细微粒。对不同球磨条件下制备的ＮｂＮ超细粉，采用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＤＳＣ对晶粒尺度、相结构及热稳定性进行了分析，研究不同球磨条件对ＮｂＮ超细粉结构的影响。     

高压RESURF LDMOST的开态电阻与关态电压

降低表面电场原理可大大提高ＬＤＭＯＳＴ的器件性能。本文详细研究了用ＲＥＳＵＲＦ原理设计的ＬＤＭＯＳＴ的开态电阻与击穿电压的理论分析模型，并根据这一模型对ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ的优化设计深入的讨论。最后评价了高压ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ在保持器件耐压不变时降低其开态电阻的几种方法。     

对离子减薄制备纳米晶软磁合金透射电镜样品中的无颗粒区的研究

纳米晶软磁合金（Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９）的典型结构为两相：即大小为１５ｎｍ的ＦｅＳｉ小晶粒相弥散分布于剩余非晶基体相中。在离子减薄制备的电镜样品中，孔的边缘往往有一些无颗粒区。我们用ＥＤＳ研究了其化学成分，发现这些无颗粒区的成分不同于理论估计的非晶基体相的化学成分，也不同于材料原来的平均成分。其电子选区衍射（ＳＡＤ）花样既和两相区的衍射花样不同，表现为ｄ＝０．２７ｎｍ附近的一个非晶衍射环，也和制备态的非晶衍射环不同，说明这些非晶区可能是在样品的离子减薄过程中二次非晶化引起的。     

新型复相陶瓷刀具材料JX—2—I的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面结构，结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ中Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构，发现在ＳｉＣｗ，ＳｉＣｐ和Ａｌ２Ｏ３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ２Ｏ３上有孪晶产生，分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ｉ材料的整体     

多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型

采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测试多晶硅ｎ＋ｐ二极管势垒区深能级谱。利用ＤＬＴＳ实验结果，对Ｇ．Ｂａｃｃａｒｉｎａ等提出的均匀陷阱模型进行修正，提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型。运用该修正模型，可采用迭代法求得多晶硅电学参数──势垒高度Ｅｂ、电导率激活能Ｅａ与多晶硅掺杂浓度Ｎｃ间关系。计算结果表明，多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。     

新型陶瓷刀具材料JX－2－I界面结构的实验研究

利用ＴＥＭ和电子衍射图谱分析，研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面微观结构。ＴＥＭ分析表明，ＪＸ－２－Ｉ刀具材料的界面结合状态较好，Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ界面上形成了具有较高强度的“钢筋混凝土”结构，在Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ界面上没有剧烈的化学反应发生；通过ＴＥＭ和电子衍射图分析，发现在Ａｌ＿２Ｏ＿３的晶粒边界上有尖晶石（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）生成，这有利于控制Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒的长大，提高复合材料的强度。     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

多晶硅间粒间界的线性陷阱模型

采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测试多晶硅ｎ＾＋ｐ二极管势垒区深能级谱。利用ＤＬＴＳ实验结果，对Ｇ．Ｂａｃｃａｒｉｎａ等提出的均匀陷阱模型进行修正，提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型，运用该修正模型，可采用迭代法求得多晶硅电学参数－势垒高度Ｅｂ、电导率激活能Ｅａ与多晶硅掺杂浓度Ｎｃ间关系。计算结果表明，多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。     

电化学制备CuxS薄膜特性的研究

采用电化学方法在铜衬底上制备ＣｕｘＳ薄膜，在一定反应温度、电压、时间条件下，作为电极的铜片衬底可生成一层深蓝色的质量 地均匀的ＣｕｘＳ薄膜。实验发现，生成的ＣｕｘＳ薄膜主要居为Ｃｕ２Ｓ，具有良好的半导体性质，且其电导率与东膜退火温度有很大关系。通过ＸＲＤ、ＳＥＤ等方法对样品的组织结构、光电性能进行了研究。     

Pt／Si快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜

对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反应形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５～２０ｎｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应Ｐｔｓｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０～６００℃快速返火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基势垒接触。