飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将磁阻RAM(MRAM,magnetoresistive random access memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non-Volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性.它的寿命几乎是没有限制的.MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用.     

非易失性RAM将取代SRAM和NOR闪存

FRAM(铁电存储器)、MRAM(磁阻存储器)和PRAM(相变存储器)等非易失性RAM相继上市,它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列 引领非易失性存储器未来

经常有人将磁阻RAM（MRAM,magnetor-esistive random access memory）称作是非易失性存储器（nvRAM,Non-Volatile RAM）在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了s删的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其他要求高速、耐用和非易失性的商业应用。     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将MRAM（磁阻RAM，magnetoresistive randoma ccess memory）称作是非易失性存储器（nvRAM，Non—Volatile RAM）在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新，它利用磁性材料和传统硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，几乎没有寿命限制。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用。[第一段]     

非易失性RMA将取代SRAM和NOR闪存

FRAM（铁电存储器）、MRAM（磁阻存储器）和PRAM（相变存储器）等非易失性RAM相继上市，它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性（见图1）。这类存储器产品的写入时间很短，     

新品发布

集成电路元器件与组件测试和测量电 源封装与互连光电器件计算机及外设软 件集成电路低成本的32位ARM处理器高性能、低成本的32位ARM微控制器LPC21xx系列采用0.18μm的CMOS嵌入式闪存工艺,可实现超低1.8V电压工作,运行频率为60MHz,提供高性能的嵌入式128位宽零等待闪速存储器。新器件提供25KB的嵌入式闪存、10位模拟/数字转换器、16KSRAM、脉宽调制器、计时器、UART、串行外设接口(SPI),以及46个通用输入/输出系统,采用小巧的64管脚封装。为用户提供了从8位和16位微控制器向32位微控制器移植的低成本方案。一些传统的8位及32…     

每月新品

MCU/DSP MB91F467D：MCU富士通微电子推出专为下一代汽车应用而设计的闪存MCU-MB91F467D(0．18μm)。该款带1MB嵌入式闪存的32位MCU具有1088KB存储空间。闪存和I-bus、F-bus均可相连,片上预取和灵活的高速缓冲确保了存储器的最佳性能。64KB的嵌入式RAM和外置的总线接口(32位数据,26位地址)可以用来连接外部存储器。三个CAN接口分别独立拥有32个消息缓冲器,五个LIN-UART中四个带有16Byte Rx和TxFlFOs,以加快通信速度。该器件具备8个自由运行定时器,8通道ICU和4通道OCU模块的时基,还有8个重装定时器、3个上升/下降计数器和一个RTC模块,所有定时器可在4MHz主晶振频下或32 kHz子时钟晶振频率下工作。     

飞思卡尔推出4 MbMRAM

MRAM是磁阻随机存取存储器，它是利用巨磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR)效应以元件的磁化方向为依据来存储信息。它既具有DRAM的高集成度．又具有SRAM的高速度，并具有闪存的非易失性．是替代E2pROM和闪存的理想内存，有望成为下一代主流内存。2004年10月飞思卡尔推出4MbMRAM样品，型号为MR2A16A，存取时间为25ns／35ns．2005年量产。     

创新的桌面测试技术可以满足新的非挥发性存储器的测试需求

全球化转向移动应用的趋势使得非挥发性存储器在通讯,计算机和消费类产品中扮演越来越重要的角色。通过为先进的移动产品提供非挥发性存储器,如手提电脑和数码相机,以总存储容量销售量计算,闪存(非挥发性存储器的一种)的年增长率已经达到了50%(见图1)。然而具调查数据显示过去几年中每一兆字节(megabyte)存储容量的评价售价下降了50%。图1存储器销售量历史与预测,单位为Megabyte。数据来源:GartnerDataquest(2003年2月)闪存制造商在这个竞争激烈的环境中要获得成功需要严格的控制测试成本,尽管器件的复杂度不断的增加。新型器件的特性要求…     

MT29F2G08A／16A：2Gb90nm NAND闪存

美光公司日前推出两种2Gb的90nm闪存存储器MT29F2G08A和MT29F2G16A，目标应用在闪存卡、USB器件、海量存储设备和移动应用。NAND闪存补充了美光存储器系列和CMOS图像传感器解决方案。     

迎接千兆时代的多单位闪存技术

市场兴旺 2000年闪存业务比1999年至少增长了1倍多,这说明闪存具有独特的成本功能比,优于其它非易失性存储器,如ROM、EPROM和EEPROM。尽管2001年做了一些调整,但是,闪存市场仍在持续增长,超过工业的平均增长,将达到22％的增长率。作为扩大编码和固态数据存储的影像和音频市场的关键器件,闪存目前主要应用于蜂窝     

16MbitnvSRAM系列：nvSRAM

赛普拉斯半导体公司推出了16Mbit非易失性静态随机访问存储器（nvSRAM）系列,其中包括具备同步NAND闪存接口的器件。该系列是可直接与开放式NAND闪存接口（ONFI）以及ToggleNAND总线控制器相连接的非易失性SRAM存储器。     

MRAM的发展目标是终极高速存储器

2005年底索尼发布了一款高速存储器,它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写入次数等特性。该存储器采用了非易失性的8Kbit存储单元阵列,写入时间为2ns。如果再进一步提高集成度,可替代45nm以下工艺的SRAM、DRAM等非易失性存储器。索尼的这款存储器属于MRAM的一种。几年前,当MRAM刚上市时,业内就对它充满期待。但是随着研究的深入,很多难题不断出现。MRAM渐渐被视为特定市场的特定部件。索尼发布的这款存储器使MRAM回归到主流存储器的轨道上,甚至很可能发展成为终极存储器。除索尼外,美国Grandis、瑞萨科技、日本…     

最近的半导体工艺技术的发展

批量生产的第一代超LSI 以半导体存储器为中心的动态(D)RAM,目前已从16K位发展到64K位,静态(S)随机存取存储器从4K位发展到16K位,完成了对第一代超大规模集成电路器件的开发,经用户试用和确认结果合格,最终进入了实用化阶段。 目前,一部分公司业已发展了256K位动态随机存取存储器,64K位静态随机存取存储器等所谓第2代正式超大规模集成电路器件,由今年春季开始已部分地投入市场。至今为止,仅在2年之中,集成度扩大了四倍,然而,由16K位过渡到64K位器件则需要3.5～4年左右。理由是     

存储器

4MbitMRAM产品量产飞思卡尔半导体目前已经批量生产和提供第一款商用磁阻随机存取存储器(M R A M)设备。飞思卡尔的4MbitMRAM是一款快速的非易失性存储器产品。该设备基于飞思卡尔的超过100项专利所保护的技术,包括跳变位(Toggle-bit)切换。MRAM采用磁性材料,同时结合传统的硅电路,使单个的高耐用性设备既具备SRAM的速度,又拥有闪存的非易失性。MR2A16A可在商用产品温度范围内运行,运行电压为3.3V,读写周期为35nanosecond。它是256kwordsby16bits的异步存储器。该产品采用行业标准的SRAM引线输出引脚,从而实现了系统设计的灵活…     

微控制器用作正弦波发生器

通过在微控制器存储器中存储预设值的方法,可以来将微控制器作为波形发生器使用。微控制器可以实现包括正弦波、三角波和锯齿波在内的所有类型的波形。本文探讨了如何通过在微控制器存储器中预先加载一组固定数值,从而生成正弦波的方法。同时还探讨了如何利用DAC将这些预设的数值转换为模拟输出。最后探讨了用来改变正弦波频率的机制。用来实现这一设计的器件是Cypress的子公司MicrosystemsTMPSoCTM(可编程系统芯片)器件。PSoC采用的是一个8位哈佛结构的微处理器,器件内部有16KB的可编程存储器(闪存),用以存储波形数据点。可以采用…     

最新MRAM存储能力提升到16Mb

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品供应商Everspin科技公司,近日推出了高容量16Mb MRAM产品.     

最新MM存储能力提升到16Mb

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品供应商Everspin科技公司,近日推出了高容量16Mb MRAM产品.     

PSDsoft 2000 EDA工具使基于MCU的系统的逻辑设计自动化

Waferscale Integration公司新的PSDsoft 2000 EDA工具可以自动配置它的EasyFlash PSD器件上的可编程逻辑和存储器。EasyFlash PSD可以为多种8、16和32位微控制器提供外部闪存、SRAM、I/O和可编程逻辑,这些微控制器包括出自Infineon、摩托罗拉、Intel、Philips、Hitachi等公司的180多种。PSDsoft 2000为PSD的微控制器接口、存储器映射、芯片选择、引脚分配以及定制的外设(如状态机、计数器或移位器)完全自动地生成可编程逻辑设计流程。该工具自动地交叉检查系统和逻辑错误(这是设计MCU加外部器件的系统常常出现的问题),然后,把逻辑设计和微控制器固件合并在一起。     

Microchip推出两款低引脚数16位dsPIC30F数字信号控制器

采用18引脚封装,引脚最少的30MIPS器件单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology Inc(.美国微芯科技公司)日前宣布其两款16位d s P I C?数字信号控制器(DSC)已投入量产。新器件的指令执行速度可达20MIPS￣30MIPS,配备闪存程序存储器,具有自编程能力,能在工业级和扩展级温度范围内工作。Microchip的dsPIC30F3012和dsPIC30F3013传感器系列器件具有24KB闪存程序存储器,并可采用内部振荡器实现全速运行。dsPIC30F3012和dsPIC30F3013分别采用18引脚和28引脚封装,最小的封装为8mmx8mm QFN封装,很适合传感器处理等需要…