巨磁阻抗检测系统

Co基非晶和Fe基纳米微晶材料中观察到巨磁阻抗效应(GMI),预期在高灵敏传感器、磁记录头和电磁测量等方面有喜人的应用前景。为了对该效应的应用和开发作进一步研究,我们自行设计和制作了一套基于单片机的GMI检测系统。测试结果表明,该系统能满足各类材料测定巨磁阻抗的要求。     

多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应

巨磁阻抗多层膜相比单层膜具有不可比拟的优越性，它可以在很低的频率范围获得非常明显的巨磁阻抗效应。综述了多层膜GMI效应的研究现状，着重探讨了材料、膜尺寸及绝缘层隔离对多层膜GMI效应的影响，并且探讨了多层膜GMI效应的物理本质。     

基于GMI效应的磁传感器研究与发展现状

巨磁阻抗(GMI)效应的出现,使磁传感器在弱磁检测领域的小型化、高灵敏度、快速响应和低功耗方面成为可能,基于GMI效应的磁传感器具有广泛的应用发展前景,是近年来磁传感器领域的研究热点之一.本文从不同敏感材料类型的角度介绍了巨磁阻抗磁传感器的国内外研究现状,着重对传感器的敏感材料、结构形式、处理电路及性能做了介绍,并指出...     

CoFe2O4涂层对Co基非晶薄带GMI效应的影响

通过磁控溅射法在Co基非晶薄带(Co66Fe4NiSi15B14)上制备CoFe2O4涂层(镀膜),在75kHz～2.5MHz频率范围内观察其巨磁阻抗效应(GMI)随外加磁场的变化。实验结果显示,在Co基非晶薄带上涂覆CoFe2O4薄膜,可以提高薄带的GMI效应,并且在频率为1.2MHz时,具有CoFe2O4涂层的非晶薄带巨磁阻抗比较无涂层薄带提高了近30%。研究发现,当趋肤效应显著时材料表面粗糙度对GMI效应有较大影响。通过在Co基非晶薄带表面镀膜的方式降低样品表面粗糙度,减小表面退磁场的影响,从而提高了材料的GMI效应。     

巨磁阻抗(GMI)效应在电流传感器领域的研究

回顾了巨磁阻抗(GMI)效应发展的历史,介绍了巨磁阻抗(GMI)效应起源、理论方法,设计制作了一种基于巨磁阻抗(GMI)效应的电流传感器,并采用CoZrB等材料的非晶带制作成螺旋式结构探头。该传感器由科比茨振荡电路,前置放大器,整流电路和调零输出放大器构成;前置放大器输入端联接非晶带两端,前置放大器放大的信号由输出端接整流电路,整流电路将高频交流信号转化为二倍交流信号峰值的直流信号,再接调零输出,放大器输出接A/D转换及数字显示部分。采取非接触式方式,达到测量电流目的。     

不同磁场退火方式FeZrBCu薄膜巨磁阻抗效应比较

用射频溅射法制备了(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03软磁合金薄膜,研究了不同磁场退火方式对薄膜磁导率和巨磁阻抗(GMI)效应的影响.姑果表明,纵向和横向磁场退火都能有效地提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,在13MHz频率下纵向最大GMI比分别为18.6%和17%;纵向磁场退火后薄膜样品的横向磁各向异性消失,横向磁场退火则能有效增强横向磁各向异性,提高巨磁阻抗效应的磁场响应灵敏度;磁场诱导的磁导率变化是巨磁阻抗效应变化的主要原因.     

单层膜的巨磁阻抗(GMI)效应

巨磁阻抗软磁薄膜因为在制备上与集成电路工艺具有兼容性而在传感器等工程领域具有广阔的应用前景，综述了单层膜的研究现状，着重讨论了横向各向异性，驱动电流和外加磁场方向对巨磁阻抗效应的影响，并且从理论上讨论了GMI效应的物理本质。     

曲折结构钴基非晶薄带巨磁阻抗效应及其仿真分析

建立了曲折结构钴基非晶薄带近横向各向异性场巨磁阻抗效应的理论计算模型，通过Maxwell方程组以及带阻尼项的Landau-Lifshitz进动方程，对其巨磁阻抗效应(GMI)进行理论分析。着重讨论了曲折结构钴基非晶薄带的长度、宽度、线条间距以及工作频率和外加磁场等参数对GMI性能的影响。结果表明，在考虑非晶薄带微型化尺寸以及理想的GMI性能的情况下，曲折结构钴基非晶薄带的长度、宽度和线条间距之间存在一个比较理想的比例。根据理论计算结果，较为理想的结构参数分别为长度8 mm、间距60μm、宽度240μm，在工作频率为20 MHz的情况下，GMI比高达175%，理论计算结果为后续开展微型化薄带传感器的研制以及相关生物传感检测研究提供了一定的理论依据。     

巨磁阻抗效应及其应用开发

介绍铁磁性材料的巨磁感应和巨磁阻抗效应，产生机制及其应用开发现状，发展前景。     

退火对FeCo基磁环巨磁阻抗效应的影响

采用铜模吸铸法制备了Fe36Co36Nb4Si4.8B19.2非晶合金管,切成薄环后,用系列温度对其进行退火处理.然后用X射线衍射仪测试了样品的相组成,用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的磁阻抗.分析了退火温度对FeCo基磁环环向驱动巨磁阻抗效应的影响,发现退火可以显著改善FeCo基磁环样品的环向巨磁阻抗效应,540...     

FeSiB/Cu/FeSiB夹心薄膜巨磁阻抗效应研究

研究了非晶FeSiB/Cu/FeSiB夹心薄膜在100kHz～40MHz范围内的巨磁阻抗效应.当磁场和交流电流沿薄膜的纵向时,磁阻抗比随磁场的增大而增强,在磁场约1600A/m下达到最大值,然后随磁场的增大而下降到负值.在频率3MHz、磁场1600A/m时磁阻抗比达到最大值17.2%.磁阻抗比的最大值及负的磁阻抗比与夹心薄膜中磁各向异性轴的取向有关.另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的磁阻抗效应,在频率3MHz、磁场5600A/m 时,磁阻抗比达-13.4%.     

Women at General Motors Institute

For years engineering has been predominantly a masculine profession, and for the first 46 years of its existence, General Motors Institute remained an all male educational institution. In 1965 the first female co-op student entered GMI, and since then, the co-ed population has increased rapidly. My paper outlines the co-op program, with emphasis on the female students and their feelings and experiences regarding the GMI program. I have also included some of my own experiences as the first woman to teach in the field of engineering at GMI.     

Cu层宽度对弯曲型三明治结构FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜巨磁阻抗效应的影响

采用射频磁控溅射方法和微细加工工艺制备了不同Cu层宽度的弯曲型三明治结构的FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1～40MHz下研究了Cu层宽度对多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应的影响.结果表明,弯曲型三明治结构多层膜的巨磁阻抗率随Cu层宽度的变化具有显著的变化,在频率10MHz、磁场12kA/m下,当Cu层宽度为0.4mm时,纵向、横向巨磁阻抗率分别达-57%、-65%.     

脉冲电流退火的钴基非晶带环巨磁阻抗效应

将近零磁致伸缩系数的钴基非晶薄带卷成环形后,在16kA/m横向磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,并由环形薄带轴线上的直流电流提供环形磁场,可以获得显著的巨磁阻抗效应.分析了巨磁阻抗效应与激励电流的频率和幅值的关系.结果表明,在低频下阻抗变化率随频率升高而增大,达到特征频率后随频率升高而减小,增大激励电流幅值有利于提高磁阻抗效应.样品在频率为5MHz、峰-峰值5mA交流电流激励下阻抗变化率达55.1%.     

制备态Fe21Ni79/Cu/Fe21Ni79三明治薄膜的纵向巨磁阻抗效应

采用直流电镀结合正胶光刻工艺制备了Fe21Ni79/Cu/Fe21Ni79三明治薄膜,并在0.1~40MHz范围内研究了它的纵向巨磁阻抗效应特性。实验结果表明,Fe21Ni79/Cu/Fe21Ni79三明治薄膜有十分明显的纵向GMI效应,GMI先随外加磁场的增高而迅速增大,在Hext=0.96kA/m达到最大值后开始逐渐下降。在频率为1.2MHz,外加磁场为0.96kA/m时薄膜的纵向GMI最大值达到88.3%。