CoFe2O4涂层对Co基非晶薄带GMI效应的影响

通过磁控溅射法在Co基非晶薄带(Co66Fe4NiSi15B14)上制备CoFe2O4涂层(镀膜),在75kHz～2.5MHz频率范围内观察其巨磁阻抗效应(GMI)随外加磁场的变化。实验结果显示,在Co基非晶薄带上涂覆CoFe2O4薄膜,可以提高薄带的GMI效应,并且在频率为1.2MHz时,具有CoFe2O4涂层的非晶薄带巨磁阻抗比较无涂层薄带提高了近30%。研究发现,当趋肤效应显著时材料表面粗糙度对GMI效应有较大影响。通过在Co基非晶薄带表面镀膜的方式降低样品表面粗糙度,减小表面退磁场的影响,从而提高了材料的GMI效应。     

巨磁阻抗(GMI)效应在电流传感器领域的研究

回顾了巨磁阻抗(GMI)效应发展的历史,介绍了巨磁阻抗(GMI)效应起源、理论方法,设计制作了一种基于巨磁阻抗(GMI)效应的电流传感器,并采用CoZrB等材料的非晶带制作成螺旋式结构探头。该传感器由科比茨振荡电路,前置放大器,整流电路和调零输出放大器构成;前置放大器输入端联接非晶带两端,前置放大器放大的信号由输出端接整流电路,整流电路将高频交流信号转化为二倍交流信号峰值的直流信号,再接调零输出,放大器输出接A/D转换及数字显示部分。采取非接触式方式,达到测量电流目的。     

基于虚拟仪器技术的巨磁阻抗测量系统

Co基非晶和Fe基纳米微晶材料中观察到巨磁阻抗效应（GMI），在传感器技和磁记录技术中具有巨大的应用潜能，受国内外专家的广泛关注。为了对该效应的应用和开发作进一步研究，我们自行设计和制作了一套基于虚拟仪器技术的GMI测量系统。测试结果表明，该系统能够满足各类材料测定巨磁阻抗的要求。     

脉冲电流退火的钴基非晶带环巨磁阻抗效应

将近零磁致伸缩系数的钴基非晶薄带卷成环形后,在16kA/m横向磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,并由环形薄带轴线上的直流电流提供环形磁场,可以获得显著的巨磁阻抗效应.分析了巨磁阻抗效应与激励电流的频率和幅值的关系.结果表明,在低频下阻抗变化率随频率升高而增大,达到特征频率后随频率升高而减小,增大激励电流幅值有利于提高磁阻抗效应.样品在频率为5MHz、峰-峰值5mA交流电流激励下阻抗变化率达55.1%.     

巨磁阻抗检测系统

Co基非晶和Fe基纳米微晶材料中观察到巨磁阻抗效应(GMI),预期在高灵敏传感器、磁记录头和电磁测量等方面有喜人的应用前景。为了对该效应的应用和开发作进一步研究,我们自行设计和制作了一套基于单片机的GMI检测系统。测试结果表明,该系统能满足各类材料测定巨磁阻抗的要求。     

Fe72Co8Si15B5非晶薄带的磁阻抗效应

研究了频率、磁场强度、线圈匝数、薄带长度以及退火对Fe72Co8Si15B5非晶薄带磁阻抗效应的影响.结果表明:非晶薄带的阻抗随着频率的升高、线圈匝数的增多而增大,随着磁场强度和薄带长度的增大而减小;阻抗变化幅度随着频率的升高、磁场强度的增大和线圈匝数的增多而增大,随着薄带长度的增大而减小;退火可以提高非晶薄带的磁阻抗效应.     

玻璃包覆层对钴基非晶丝巨磁阻抗效应的影响

分别用机械法和HF酸化学腐蚀方法去除金属芯丝直径为13μm、总直径为47μm的钴基Co68.15Fe4.35Nb1Si11.5B15.0非晶态玻璃包覆丝的玻璃包覆层,发现HF酸腐蚀去除玻璃层比机械法处理过的非晶丝的巨磁阻抗磁场灵敏度要高,HF酸剥离的非晶裸丝的巨磁阻抗最大磁场灵敏度可达ξ=105.02%/(79.6A/m)。HF酸去除玻璃包覆层的微细丝的阻抗效应要比有玻璃包覆层的丝在更低的外部磁场作用下达到巨磁阻抗比的最大值,在频率为f=4.07MHz、磁场强度为Hdc=176A/m处,非晶裸丝的磁阻抗效应达到最大值113.6%,其巨磁阻抗效应的磁场灵敏度ξ=42.9%/(79.6A/m)。     

Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶丝的制备及巨磁阻抗效应

非晶丝的巨磁阻抗效应可应用于微磁传感器.利用旋转水中纺丝法制备了直径为140μm的Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶丝,热处理后的XRD谱表明为非晶结构.在Agilent 4294A阻抗分析仪上测量非晶丝的阻抗在外磁场下随交流电频率的变化.结果显示,样品在不同频率下表现出不同的巨磁阻抗效应,频率为3MHz时,非晶丝的巨磁阻抗变化率最大为270%,对磁场的最大灵敏度达到2.06%/A·m-1.     

退火对FeCo基磁环巨磁阻抗效应的影响

采用铜模吸铸法制备了Fe36Co36Nb4Si4.8B19.2非晶合金管,切成薄环后,用系列温度对其进行退火处理.然后用X射线衍射仪测试了样品的相组成,用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的磁阻抗.分析了退火温度对FeCo基磁环环向驱动巨磁阻抗效应的影响,发现退火可以显著改善FeCo基磁环样品的环向巨磁阻抗效应,540...     

多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应

巨磁阻抗多层膜相比单层膜具有不可比拟的优越性，它可以在很低的频率范围获得非常明显的巨磁阻抗效应。综述了多层膜GMI效应的研究现状，着重探讨了材料、膜尺寸及绝缘层隔离对多层膜GMI效应的影响，并且探讨了多层膜GMI效应的物理本质。     

基于GMI效应的磁传感器研究与发展现状

巨磁阻抗(GMI)效应的出现,使磁传感器在弱磁检测领域的小型化、高灵敏度、快速响应和低功耗方面成为可能,基于GMI效应的磁传感器具有广泛的应用发展前景,是近年来磁传感器领域的研究热点之一.本文从不同敏感材料类型的角度介绍了巨磁阻抗磁传感器的国内外研究现状,着重对传感器的敏感材料、结构形式、处理电路及性能做了介绍,并指出...     

不同磁场退火方式FeZrBCu薄膜巨磁阻抗效应比较

用射频溅射法制备了(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03软磁合金薄膜,研究了不同磁场退火方式对薄膜磁导率和巨磁阻抗(GMI)效应的影响.姑果表明,纵向和横向磁场退火都能有效地提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,在13MHz频率下纵向最大GMI比分别为18.6%和17%;纵向磁场退火后薄膜样品的横向磁各向异性消失,横向磁场退火则能有效增强横向磁各向异性,提高巨磁阻抗效应的磁场响应灵敏度;磁场诱导的磁导率变化是巨磁阻抗效应变化的主要原因.     

张应力退火对Fe基纳米晶合金薄带磁各向异性的影响

用单辊快淬法制备Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金薄带,在氮气保护下沿薄带轴向分别施加不同张应力进行退火.采用阻抗仪和磁力显微镜( MFM)分别观测了不同张应力(σ=0、171、378、570 MPa)退火Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶合金薄带的纵向驱动巨磁阻抗效应(LDGMI)和表面磁畴...     

回线偏移型钴基非晶带热磁处理中微结构的变化

钴基非晶薄带经热磁处理后,磁滞回线呈不对称特性,这种特性可以在室温下获得.我们前期的研究工作着重于该现象的实验观测和简单的唯象解释.本文通过XRD、HRTEM等测试手段研究了热磁处理过程中薄带微结构的变化.研究了不同热处理条件对钴基非晶薄带磁滞回线特征的影响,并分析了发生回线偏移行为样品的微结构特征.认识到热磁处理生成...     

单层膜的巨磁阻抗(GMI)效应

巨磁阻抗软磁薄膜因为在制备上与集成电路工艺具有兼容性而在传感器等工程领域具有广阔的应用前景，综述了单层膜的研究现状，着重讨论了横向各向异性，驱动电流和外加磁场方向对巨磁阻抗效应的影响，并且从理论上讨论了GMI效应的物理本质。     

不同驱动方式下钴基非晶条带的巨磁阻抗效应

研究了Co66Fe6Ni2Si11B15非晶条带在"横向驱动+对角提取"、"横向驱动+非对角提取"以及纵向驱动三种驱动方式下的巨磁阻抗效应特性。通过改变非晶条带的巨磁阻抗效应驱动方式,观察三者在直流外磁场作用下输出信号的变化规律,并对它们的性能优劣进行比较。实验结果表明,驱动电流频率变化会对材料的巨磁阻抗效应产生较大的影响。此外,在三种驱动方式中,与该条带最匹配的驱动方式是"横向驱动+非对角提取"方式,即在此种方式下,条带所显现的巨磁阻抗性能最为显著,其最大电压变化灵敏度可达1.878V/mT,最大电压变化率为98.21%。相比于其余两种驱动方式,"横向驱动+非对角提取"方式在巨磁阻抗传感器件中具有更大的潜力。     

FeNiCrSiB非晶软磁合金薄带的巨磁阻抗效应

研究了ＦｅＮｉＳｒＳｉＢ非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗效应。磁阻抗比ΔＺ／Ｚｓ不仅与样品的磁特性有关,而且与交变电流频率ｆ和外加直流磁场Ｈ有密切的关。对退火温度为３５０℃,退火时间为９０ｍｉｎ的样品,在交变电流频率为２ＭＨｚ下,磁阻抗比ΔＺ／Ｚｓ＝（Ｚ０－Ｚｓ）／Ｚｓ最高可达５３．７％。     

基于Fe基合金薄带巨磁阻抗效应的新型磁敏传感器

利用Fe基合金薄带的巨磁阻抗效应和LC谐振回路特性,研制了一款新型巨磁阻抗磁敏传感器.文中介绍了Fe基合金薄带的巨磁阻抗特性、传感器的电路设计和实验数据分析.实验结果表明,该传感器具有重复性好(最大偏差为0.32%)、几乎无迟滞(最大偏差为0.19%)、线性度好(最大偏差为1.04%)且线性测量范围广(464.86~1488.52 A/m)等优点,在磁场检测和位移测量领域具有广泛的应用前景.     

基于GMI传感器的钢板漏磁无损检测

基于漏磁检测技术,采用巨磁阻抗GMI传感器搭建了钢板无损检测系统,对镀锡DI材带钢上直径大小为60~140μm的缺陷进行了检测。GMI传感器敏感核心元件采用的是直径16μm、长为5mm的Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶玻璃包裹丝,以非线性非对角模式工作,具有高灵敏度、快速响应、非接触、功耗小、无磁滞等优点。实验表明,这套测试系统在提离值0.5~3 mm范围内能够精确地检测出直径大于60μm的缺陷,根据测量信号可以分析出缺陷所在的位置和大小。实验结果较好地符合磁偶极子模型。     

Cu层宽度对弯曲型三明治结构FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜巨磁阻抗效应的影响

采用射频磁控溅射方法和微细加工工艺制备了不同Cu层宽度的弯曲型三明治结构的FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1～40MHz下研究了Cu层宽度对多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应的影响.结果表明,弯曲型三明治结构多层膜的巨磁阻抗率随Cu层宽度的变化具有显著的变化,在频率10MHz、磁场12kA/m下,当Cu层宽度为0.4mm时,纵向、横向巨磁阻抗率分别达-57%、-65%.