功率半导体封装技术的发展趋势

每一代新型电子应用都要求电源管理系统有更高的性能.在信息技术和便携式产品市场上,这一趋势尤为明显.直到最近,硅技术一直都是改进电源管理系统性能的最重要因素.然而,硅技术的进步现在受到封装性能提高的限制.为了实现明显的改进,必须提高功率半导体封装技术.下面将对功率封装技术改进的3种途径进行讨论.……     

功率半导体封装技术的发展趋势

每一代新型电子应用都要求电源管理系统有更高的性能.在信息技术和便携式产品市场上,这一趋势尤为明显.直到最近,硅技术一直都是改进电源管理系统性能的最重要因素.然而,硅技术的进步现在受到封装性能提高的限制.为了实现明显的改进,必须提高功率半导体封装技术.下面将对功率封装技术改进的3种途径进行讨论.     

与便携式产品的发展趋势同步前进

电源器件迷你化的竞赛滥觞于1980年代初期,因为像Sony随身听的便携式消费电子产品崛起,而造成需求一飞冲天。为了满足这一需求及提升性能,零件制造商必须要让装置更容易组装,并减少功率器件封装的体积。像摩托罗拉就导入叫作D-Pak[1]的第一个表面黏着功率封装组件,它有着比TO-220要小得多的新封装设计,但两者的电子性能却相差不大。此外,藉由缩短引线与提供一组可焊接的卷标,D-Pak使得功率组件第一次能够有效地以一般的表面黏着程序来组装。在经历过功率晶体管市场的急速成长后,制造商也同样将表面黏着封装的改善经验应用到功率二极管上…     

适用功率MOSFET封装的选择

随着个人计算机、服务器、网络及电信系统等很多最终设备的功率水平和功率密度的要求持续不断提高,对组成电源管理系统的元部件的性能提出了越来越高的要求。直到最近,硅技术一直是提高电源管理系统性能的最重要因素。然而,过去数年中硅技术的改进已经将MOSFET的RDS(on)和功率半导体的发热量降低到了相当低的水平,以至封装限制了器件性能的提高。随着系统电流要求成指数性增加,市场上已经出现了多种先进的功率MOSFET封装。流行的封装形式包括:DPAK、SO-8、CopperStrap SO-8、PowerPak、LFPAK、 DirectFET、iPOWIR等。虽然…     

功率半导体封装技术的发展趋势

每一代新型电子应用都要求电源管理系统有更高的性能。在信息技术和便携式产品市场上,这一趋势尤为明显。直到最近,硅技术一直都是改进电源管理系统性能的最重要因素。然而,硅技术的进步现在受到封装性能提高的限制。为了实现明显的改进,必须提高功率半导体封装技术。下面将对功率封装技术改进的3种途径进行讨论。提高芯片面积与占用面积之比在PDA和移动电话等便携式应用中,尺寸是关键因素,因此,芯片与占用面积之比是功率器件的最重要因素。在传统的SMT封装(如TSOP-6、SOT-23、SMA、SMB和SMC)中,这一比例为20%左右。这意味着约80%…     

塑封互联MIS高可靠性封装及板级封装新技术

塑封互联MIS技术是一种高性能、高可靠性封装基板及板级嵌入式封装技术,其灵活的布线及特有的材料结构及工艺特点,结合MIS基板中铜布线超粗化等表面处理工艺,在电、热性能及可靠性方面相比现有BGA、QFN等封装凸显出显著的优势。基于MIS工艺的灵活性,目前在封装领域尤其在嵌入式封装、系统级封装等方面表现优异,已广泛应用于手机、工业控制、IOT等电子产品的射频类、电源管理类器件的封装中。文章对MIS技术主要工艺流程、技术特点、在各类封装中的应用、电热性能等进行了阐述。     

电源管理系统的散热问题及解决办法

设计一款功率转换器并不简单,因为其中涉及多方面的技术知识。出色的功率转换器设计工程师必须对模拟及混合信号电路的设计、变压器绕组、电磁兼容性、封装及散热设计有一定的认识。由于电子产品的功率密度越来越大,加上不同的电源供应系统设计各有优缺点,因此工程师必须审慎考量,作出最适当的取舍,才可确保所采用的封装及散热设计能够满足电源管理系统的要求。部分电子产品需要传送大量数据,令系统结构越趋复杂,因此散热系统的设计越来越受到高度的关注。面对这种发展趋势,     

大电流DC／DC变换器应用的新型DirectFET^TM器件

每一代新型的电子产品对电性能都有很高的要求，不但要产品体积小，而且还要散热性能好。特别是对应用于计算机网络、通信以及便携式装置的电子产品，则要求更高。然而，提高电性能的重要因素仍然是硅片技术，但硅片技术的发展又受制于封装技术。本文将介绍一种新型的DirectFET^TM器件的封装技术，它是由国际整流器公司开发的表贴功率器件封装技术。采用该技术很好地消除了器件封装中高电感和阻抗引起器件热特性和电特性方面存在的一些问题。由于可以双面散热，使用DirectFET^TM器件可以使大电流DC/DC变换器的电流密度增加一倍而且系统成本显著降低。     

解读电源三大热门领域的技术方案

在智能化 、网络化的当下时代,各种新型电子产品层出不穷,而在各电子产品中,电源模块一直都是不可避免的课题,随着新材料和新工艺不断涌现、不断发展,电源模块的的各方面性能也不断得到完善.本次专题就功率器件、光伏和隔离器三个方面,邀请业内专业人士共同探讨电源的发展和革新.     

瑞萨发布LFPAK-I上表面散热型封装

日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I(无损耗封装-倒装型)上表面散热型封装，作为新的功率MOSFET封装形式．它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性，通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品．现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率     

消费电子面临电源技术新挑战

随着世界能源问题的突显，电源管理、功率器件的节能技术将是今后电子产品的重要任务，提高效率．减小封装尺寸、降低整机待机功耗……2005年将给业界带来什么？     

凌特推出低功耗的125Msps、14位宽带ADC

低功率ADC提高基站功率效率并延长便携式电子产品的电池寿命凌特公司(LinearTechnology)推出具有卓越AC性能和极低功率的125Msps、14位模数转换器(ADC)LTC2255。LTC2255的性能优于最接近的14位同类产品,消耗功率低49%,仅为395mW,从而极大地减少了多通道器件所需的功率预算和热量考虑因素。这在效率和冷却是关键要素的应用中具有极大的优势,例如在卫星接收器、无线基站和便携式电子产品。作为款型众多的引脚兼容型系列的一部分,LTC2255采用具有集成旁路电容器的小型实用5mmx5mmQFN封装,因此仅需要很少量的纤巧外部组件。LTC2255无…     

Vishay MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸的热增强PowerPAKSC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率,在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20V(12VVGS和8VVGS)器件中最低的导通电阻,占位面积为2mm×2mm。     

开关和多路复用器

小封装低电压开关和多路复用器推动便携式电子产品的广泛应用.随着移动电话、MP3播放器和掌上电脑（PDA）等便携式电子产品不断地要求增加功能和性能并且不断地缩小封装尺寸，要求每一种集成电路（IC）的设计都需要相应地缩小封装尺寸，同时提高其性能水平。     

瑞萨发布LFPAK-Ⅰ上表面散热型封装

日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-Ⅰ(无损耗封装-倒装型)上表面散热型封装,作为新的功率MOSFET封装形式,它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性,通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品,现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率MOSFET:HAT2165N、HAT2166N和HAT2168N,从2004年7月在日本开始样品发货。这种新封装的特性如下: ◆与瑞萨科技以前的封装相比,安装散热热阻值减小了40％,电流容量大约提高了30％。 LFPAK-Ⅰ使用一种管芯散热管座暴露在封装上表面的结构,与瑞萨科技目前通过印刷线路板     

FAN6982：CCMPFC控制器

为了满足能源之星（ENERGYSTAR）规范要求并减少碳排放，功率电子产品的设计团队继续努力提高PC、服务器、工业电源和消费电子产品的系统效率，以求实现100％的效率目标。飞兆半导体公司利用其在功率技术方面的专业知识，     

功率MOSFET发展趋势

近年来，节能成为电源技术的主旋律，如何降低功耗也是功率分立半导体发展的主要驱动力。就功率MOSFET而言，供应商主要通过降低导通电阻和开发新的封装形式来满足新的需求。改进MOSFET性能的关键因素是改善栅极电荷、降低导通阻值RDS(on)，并通过创新封装技术增加单位电流密度。飞兆在开发诸如功率BGA和FLMP(倒装引脚铸模封装)等创新封装技术上已取得实质成果。     

TI推出采用新封装工艺的DualCool NexFET功率MOSFET

许多标准架构（PCI、ATCA）、电信及服务器机柜设备都具有固定的支架，机柜尺寸和电源预算，因而当前的主要需求即在不降低效率和性能的情况下提高POL（负载点）的功率密度。为此，TI推出面向高电流DC／DC应用采用全新封装工艺的标准尺寸功率MOSFET产品系列，借助新工艺，可以令功率转换产生的热量能通过对流冷却从封装顶部散出，有效提高了功率密度、电流承受能力，并增强了系统稳定性。     

下一代PCB预测——技术将推动和左右市场

90年代的后一半将是最活跃、变化最多和充满挑战的时期。以硅为主、每个元件有更多的I/OS数和小心缩小元件尺寸的新的功能性将迎接(usher)更小的小型和轻便和更大功率的电子产品。提高SMT、TCP和阵列元件范围就要求稳定地增加基板上走线密度。采用专封装的KGD(Known goodunpackaged die即未封装的确认好的裸芯片)直接粘贴技术是互连潜在能力的进一步挑战。PCB具有好的性能价格比而被选为解决组装的能力。PCB能满足这些挑战是什么呢?     

影响封装和PCB结构的技术动力

概述了影响电子封装PCB结构的技术推动力。IC的进步和电子产品性能的提高是关键因素。