半导体激光束的成形变换

本文利用矩阵光学方法研究像用椭圆高斯光束的变换特性，推导出正确的半导体激光束的校正像散与旋转对称化变换公式。     

用带有半导体开关的塞纳克干涉仪转换全光波长和脉宽

提出用带有半导体光学放大器的塞纳克干涉仪开关对全光波长和脉宽变换，这种开关结构简单，开关速度不受半导体载流子恢复时间限制。输入数据的脉宽1．5ps被变换成24-18．1ps。在1539nm输入数据波长变换为可调谐波长，带宽为15nm(1550—1565nm)。     

小波变换用于半导体激光器可靠性分析

应用小波变换奇异性检测原理，对近百只半导体激光器(LD)输出I-V特性进行小波变换，通过不同尺度下的变换系数，能够真实、准确地测量和计算半导体激光器的阈值电流以及与可靠性相关的一些参数，模极大值W2j^M，结特征参量m等。利用这些计算和测量参数，可以直观地比较和判别出半导体激光器的性能优劣及可靠性，与电导数法相结合，可方便、准确、快捷地对器件性能和可靠性进行评估筛选。理论与实验表明，利用小波变换进行半导体激光器的可靠性分析与传统方法相比具有独到之处。     

高功率线阵半导体激光器光纤耦合设计

本文通过分析高功率线阵半导体激光器的激光输出特性，设计了一种微台阶反射镜阵列对其进行光束变换，并分别采用几何光线追迹法和高斯光束的ABCD定律，模拟计算了光束变换情况。计算结果表明，本文设计的光束变换系统，可将10mm宽的线阵半导体激光器的输出激光耦合进一根芯径为800μm，数值孔径NA≥0.37的光纤中。     

半导体激光器线阵光束扭转对称化的实验研究

利用双焦望远系统和扭转柱透镜系统实现了半导体激光器线阵(LD-bar)的扭转对称化，对称化后的光束在x和y两个方向的光束宽度、发散角和光束参量积接近相等，极大地改善了半导体激光器线阵光束的不对称性和像散特性，进行了以上变换的理论分析和实验研究。作为应用实例．用对称变换后的光束进行了抽运固体激光器的实验，激光器基模输出的效率比用不变换前的光束有明显提高。     

半导体硅特性显微FTIR测量技术研究

本文针对大规模集成电路应用需要，采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量，硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术，在光孔尺寸为１００×１００μｍ级时，测量精度达到国标的要求，空间分辨率提高了近两个数量级。     

现代电力电子器件及其应用

按美国IEEE电力电子学会的定义,电力电子技术是“有效地使用电子半导体器件,应用电路和设计理论以及分析开发工具,实现对电能的高效能变换和控制的一门技术,它包括电压、电流、频率和波形等方面的变换”。因此电力电子技术包括     

硅基纳米SiC的制备及其微结构分析

在室温下将C+注入硅衬底，注入能量和剂量分别为50keV，2×1016cm－2．经高温退火形成，β-SiC颗粒沉淀．用傅里叶变换红外吸收谱，光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析．     

半导体压力传感器与微机的相接

大部分流行的硅压力传感器都是压阻桥，根据加到薄硅膜片上的压力产生一个差分输出电压。这些传感器的输出电压一般是满度２５～５０ｍＶ。因此，连接到微机一般涉及到放大较小的输出电压，完成差分到单端的变换，并把模拟信号换算成适合模／数转换的量程。另外，模拟压力...     

基于SOA中四波混频效应的全光波长变换

基于半导体光放大器的四波混频效应进行了 2 .5 Gbit/s的光脉冲的波长变换。向上波长变换间距为 1 0 nm,向下变换间距大于 1 0 nm。对基于半导体光放大器四波混频效应的波长变换技术进行了较为详尽的试验报道     

耦合器衰减实现的两种全光波长变换

在以往对全光波长变换的研究中,都是利用变换光实现波长变换,而利用闲频光的全光波长变换还没有相关报道.文章通过模拟耦合器衰减对全光波长变换的影响,发现在不同的泵浦光与信号光功率条件下,调节耦合器衰减可分别实现利用变换光的全光波长变换和利用闲频光的全光波长变换.     

对10GHz DFB激光器参数的数值模拟及实验

对激光器速率方程所涉及的激光器的内部参数进行变换，得到一组新参数。它们可由实验中测得的激光器的数据通过曲线拟合的方法得到。利用拟合得到的参数对10GHz的分布反馈(DFB)半导体激光器(LD)进行数值求解，所得的结果和实验测量的结果相吻合。     

利用量子阱DFB激光器产生重复频率为5GHz超短光脉冲

本文介绍利用国产量子阱半导体分布反馈（DFB）激光器的增益开关效应，产生重复频率为5GHz、1．55μm的超短光脉冲，经正常色散光纤（色散参数D＜0）补偿消啁啾，获得了近变换极限的光脉冲，并成功地进行了31公里的光孤子传输．     

基于SOA全光波长变换的研究

利用Optisystem对基于半导体光放大器(SOA)全光波长变换进行模拟,找出了影响波长变换效率的因素.在成功模拟出波长变换的前提下,通过调整SOA的注入电流、半导体光放大器(SOA)腔长、泵浦波与信号波的频率差、泵浦波功率及耦合器衰减等参数的值,获得了最高变换效率为19.7dB的变换波.     

化合物半导体的THz发射光谱

利用反射式太赫兹（THz）辐射产生与探测系统，研究了基于不同半导体的THz发射光谱. 通过快速傅里叶变换，由测得的THz时域光谱得到了其相应的频域光谱，从而对不同半导体的THz发射性质进行了比较. 结果表明，未掺杂的砷化铟(InAs)较其他半导体材料有更高效的THz发射效率.     

利用闲频光实现全光波长变换的研究

文章用OptiSystem模拟出了利用闲频光实现的全光波长变换.通过调整半导体光放大器(SOA)注入电流、SOA腔长、泵浦光与信号波的频率差、偏振、耦合器信号衰减与泵浦衰减等参数的值,获得了12 dB的变换效率.研究发现,利用闲频光实现的全光波长变换比利用变换光实现的全光波长变换有更好的稳定性.     

利用SOA交叉增益调制实现2.5 Gbit/s非归零码的全光波长变换

采用半导体光放大器 (SOA)的交叉增益调制进行了 2 5Gbit/s的非归零码光脉冲的波长变换。向下波长变换间距大于 2 0nm ,向上波长变换间距大于 10nm。对变换信号测量了接收机入纤功率和误码率的关系。实验中采用同向变换的方式 ,信号光中心波长固定 ,探测光采用外腔半导体激光器 ,中心波长连续可调。对变换信号进行了至少 1h的测量 ,误码为零。为其在波分复用(WDM)网络中的应用奠定了基础。     

SOA四波混频波长变换器的理论优化与实验研究

本文利用１ｕｍｐ模型对单段ＳＯＡ（半导体光放大器）和ＳＯＡ环形激光器四波混频的变换效率和噪声指数作了理论分析,推导出外加增益减小噪声指数的限制条件,表明在一定的限制条件下,ＳＯＡ光纤环中引入外加增益可以提高变换性能。理论分析与实验结果一致。经过优化后的自泵浦波长变换器变换距离增加了７ｎｍ。     

半导体激光束整形器的设计与分析

随着加工技术的不断发展，特殊曲面的光学加工已成为可能，它可以采用由特殊曲面构成的光束整形器来实现任意波面的变换，本文根据能量平衡和光程相等的原理，导出一组平行入射光束的整形器面形设计公式。根据这组方式，设计了用于准直与均匀半导体激光束的整形器，通过计算机模拟，给出了光束整形结果，并具体分析了整形器厚度和折射率对整形光束性能的影响。     

利用半导体光纤环形激光器实现四波混频可调谐波长变化

利用SOA光纤环构成环形激光器 ,对波长为 15 45 1nm的 2 5Gbit/s入射信号进行了四波混频波长变换。采用三级滤波加前置放大器形式成功滤出变换信号 ,向上变换最大距离达 13 8nm。