实现了大容量化的片状层压陶瓷电容器

片状层压陶瓷电容器的静电容量又进一步提高了.松下电子部品株式会社LCR设备公司MLCD战略商务部推出的1608尺寸(1.6mm×0.8mm×高0.8mm)电容器,其静电容量为10μF(额定电压4.0V),实现了以前产品4.5倍的大容量.最近开始出售样品.同时还提高了耐压性,并且实现了矮小化.静电容量10 μF的3216尺寸(3.2mm×1.6mm)电容器和静电容量4.7μF的2012尺寸(2.0mm×1.25mm)电容器都实现了25V的额定电压.另外,静电容量22μF、额定电压6.3V的3216尺寸电容器的高度减小到原来的一半,降低到0.85 mm.为信息通讯设备的平滑电路以及抗耦合方面的小型化、有效削减零部件个数发挥了积极作用.这些是通过改良介电质材料、薄板以及内部电极而实现的.     

CCF片式塑封型交流瓷介电容器

多层瓷介电容器(MLCC)制成交流瓷介电容器相对困难,利用用于制备圆片瓷介电容器的单层被银瓷片,开发设计了片式交流瓷介电容器以满足市场需要。将陶瓷芯片与带状连体引线焊接后,再模塑环氧树脂封装和切割成型,由单层被银瓷片制成了C型(内折弯)和Y型(外折弯)单层片式塑封型交流瓷介电容器。该产品制造相对容易,且可靠性高,适用于SMT。     

片式MLC端电极电镀技术

为提高片式多层瓷介电容器(MLC)端电极对焊料的浸蚀性、耐热冲击性和可焊性,需在其底电极上施镀Ni和Sn/Pb合金层。本文着重介绍片式MLC端电极镀Ni与镀Sn/Pb电解液配方及其工艺参数,并就镀液中的某些成分、载流媒体的选择等进行较为详细的讨论。     

多层瓷介电容器绝缘特性RC的研究

采用N-沟道MOS场效应晶体管搭建电路,测得了多层瓷介电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ,对比了Ni和Pd/Ag内电极多层瓷介电容器的绝缘特性RC(绝缘电阻乘以电容量)指标,分析了Ni内电极绝缘特性较差的原因和潜在风险。结果表明:RC反映了介质材料的本身属性,代表电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ;Ni内电极的RC考核指标相对于Pd/Ag内电极从1 000 s降至100 s;Ni内电极多层瓷介电容器在高可靠长寿命电路使用时应提高其绝缘特性RC的考核指标。     

钽电容器和独石电容器应用中的失效分析

通过对钽电容器和多层独石瓷介电容器的几个失效分析实例,得出以下结论：（1）钽电容器使用中常见的失效现象是焊接不当,导致内部焊锡流动引起短路失效,应引起起装机工作人员高度重视;（2）通过分立元器件的解剖方法结合详细的测试分析,找出独石瓷介电容器内部的质量问题在于介质中的缺陷,导致电极材料局部突起,以至发生离子迁移或短路失效。     

CCF型片式塑封交流瓷介电容器

用多层陶瓷电容器(MLCC)制作交流瓷介电容器相对困难，我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。开发了将陶瓷芯片夹在上下两连体扁平引线中间并焊接，再用模塑环氧树脂封装，然后分割并切开连体引线，将切开后的扁平引线平贴在外壳表面，得到仍是用单层被银瓷片制成的片式塑封交流瓷介电容器，该产品比MLCC交流瓷介电容器的制造更容易，可靠性更高，且适用于表面贴装。     

提高片状陶瓷电容器的耐焊接热

本文介绍了国产片状陶瓷电容器电极制作工艺的改进试验结果。采用电镀工艺,在烧渗银层上镀覆镍层和锡铅合金层制成Ag/Ni/Sn-Pb多层金属电极,可在270±5℃的焊锡溶液中浸焊而不溶蚀金属层,在电极表面浸镀的锡铅合金焊料层可焊性极佳。     

多层片式瓷介电容器贱金属电极的制造方法

为了满足多层片式瓷介电容器MLCC小型化、大容量和低成本方向发展的要求,基于国内外对多层片式瓷介电容器以贱金属取代钯银体系作为电极的研究及应用,研究了以Ni为内外电极的BME-MLCC 的制作工艺,对工艺中排胶、烧成、烧端等关键工艺作了机理性探讨。通过选取电极材料、气氛控制和温度控制等,对以Ni为内外电极的多层片式瓷介电容器的制作工艺已经成功在实验室得到验证。     

片式元件多层化技术概论

矩形片式元件在众多表面贴装元件(SMC)门类中,开发应用最早,产销量最大,始终保持领先地位。其中包括两大类代表品种:其一,以厚薄膜工艺制造的具有基片、电阻体、玻璃和导电体单层组合结构的片式电阻器;其二,以多层厚膜共烧工艺制造的具有交叠电介质与电极层独石一体化(Monolithic)结构的片式多层瓷介电容器(MLCC),或称片式独石电容器。MLCC源于有     

一种MLCC焊接失效分析

为找出某厂生产的多层陶瓷电容器端电极存在焊接失效的原因,运用体视显微镜、扫描电子显微镜和能谱仪对问题批次样品的端电极进行分析。从分析结果可知,在多层陶瓷电容器Cu端电极烧结过程中,Cu端表面有玻璃相溢出,这导致端电极部分区域的Ni层和Sn层电镀异常,最终造成电容器的焊接失效。经过对玻璃相溢出原理的分析,提出可以从铜浆料选择、烧结温度和封端工艺方面来解决该问题。     

10℃法则与多层瓷介电容器的贮存寿命试验

GJB/Z 148-2006《军用电容器选择与应用指南》提出的10℃法则,是表征元件寿命与温度应力关系的简便估算方式,它对于估算实际的使用条件下多层瓷介电容器的长期贮存寿命有着重要的意义。列举了国外对于多层瓷介电容器激活能的研究成果,并通过经典的温度加速模型与10℃法则的关系,证明了10℃法则对于多层瓷介电容器的加速寿命试验的适用性;同时认为根据10℃法则进行贮存寿命试验所得到的结果比使用经典的温度加速模型得到的结果更加可信。     

专利文摘

<正> 本专利提出了装于印刷电路板上的多层陶瓷电容器的结构。其内部金属化电极竖直安排,因此,在上下表面上水平完成预制式外电极。这种结构能使多层陶瓷电容器安装到Al_2O_3基片的厚膜导体上的工序简化。电容器的下表面直接连到印刷导体上,而上表面用短接片连到相应的印刷导体上。此类电容器的特点是可靠、电感低、比电容大     

一种用于MLCC的10Pd90Ag内电极浆料

介绍了片式多层瓷介电容器用10Pd90Ag内电极浆料的研制结果,该材料采用10Pd90Ag合金粉,配合优选的有机载体,非常适合与低于960℃的烧结温度的瓷料匹配,可以节约大量成本。     

台湾电子元件技术考察(续)

3　台湾菱庆股份有限公司台湾菱庆股份有限公司 MMC(以前为 KCK)及两个工厂(台中县加工出口区 )　由日本 MMC (KCK)在台投资。 1970年成立 ,注册资金 16 82 45 40 0元 (新台币 )。主要产品是圆片形瓷介电容器、半导体瓷介电容器 (包括表面型和晶界层型 )、多层陶瓷电容器、安全规格的交流瓷介电容器。生产能力为月产 1.5亿只陶瓷电容器。有两个工厂 ,一厂是前、中工序 ,制造瓷基体和被银电极瓷片 ;二厂是后工序 ,电容器的装配。员工有 34 7名 :一厂 16 1人 ,二厂 174人 ,其余 12人是台北分公司业务人员 ,日本专家驻台湾工作人员有 7人…     

CCH型片式高压陶瓷电容器

MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到了仍是用单层被银瓷片制成的片形高压瓷介电容器。该产品的小容量规格制造更容易,其可靠性高,适用于SMT。     

铜电极瓷介电容器

<正> 三十多年来,由子用烧渗银法制作瓷介电容器电极具有工艺简单和电容器高频特性优良等特点而被广泛应用,但陶瓷介质的优良性能常因银离子迁移而被破坏并导致电容器失效。在电容器引出线焊接时又会因银极易被锡熔蚀而使电容器的电极存在潜在的缺陷。为了克服银电极的这些弱点,人们曾作     

日本钎焊事故选(四)——兼介钎焊技术诀窍

2.9 陶瓷上的电路的剥落现象与问题在用蒸镀法或其他方法将各种金属元件如电极镀于绝缘体上构成电路时,须接引出线,而在接引出线时,又存在着镀膜剥落问题。引人注目的片状叠层陶瓷电容器(下图),虽然没有引引出线,但这类元件同外部导体的焊接也存在着同样问题。这些电极膜     

新器件简讯(15)

<正> 无线通信装置及灵巧型便携式电子产品的飞速发展及大量上市,促进了表面安装技术(SMT)及表面安装器件(SMD)相应的发展。各种各样的SMD器件层出不穷,并且成本也不断降低,甚至有些器件比有引线的同类器件价钱还便宜。 多层陶瓷片状电容器 多层陶瓷片状电容器是贴片式电容器中用得最广的一种。符合EIA尺寸的电容器在1pF～2.2μF之间。另外还有大容量的品种,其电容量在1.5～47μF之间,其尺寸为     

柔性端电极MLCC工艺研究

为了得到高可靠性、高抗弯曲性能的多层片式陶瓷电容器(MLCC),采用银、环氧树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂以及无水乙醇等原材料制备柔性端电极浆料。研究了固化工艺和表面处理技术对柔性端电极MLCC的电性能和可靠性的影响。结果表明:柔性端电极浆料在250℃温度以上固化至少30 min,保证了树脂层良好的连接性及可镀性;电镀前采用抽真空和填充技术进行预处理,保证了柔性端电极MLCC的耐热冲击性能和抗弯曲能力。     

单层圆片带引线元件的片式化实现

介绍了在单层陶瓷圆片的基础上实现单层陶瓷圆片带引线元件的片式化。即将陶瓷芯片夹于上下连体扁平引线中间并焊接,模塑环氧树脂封装,再分割切开引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了用单层圆片制成的片式结构元件。已开发出CCH单层塑封型片式高压瓷介电容器、CCF单层塑封型片式交流瓷介电容器、ZVD单层塑封型片式氧化锌压敏电阻器产品,其结构坚固牢靠、防潮性能好、散热性能好、可靠性高,适应用于SMT生产。