42"PDP平板显示器扫描驱动IC及其生产工艺的实现

在自主研发国内BCD高压工艺的同时,设计并实现了一款用于42"数字电视PDP平板显示屏的扫描驱动芯片.该芯片及其制作工艺不仅实现了Bipolar,CMOS和高压功率DMOS器件的良好兼容(BCD工艺),而且采用工艺与电路设计互相匹配的交互方式完成了高低电平位移电路和高压输出驱动电路及其器件的设计,有效提高了芯片的性能,减小了芯片的面积.测试结果表明该芯片功能正常,性能良好,各项技术参数基本达到国外同类产品指标.在低压5V和高压160V的情况下工作,完全满足42"PDP显示系统的需求.     

42"PDP平板显示器扫描驱动IC及其生产工艺的实现

在自主研发国内BCD高压工艺的同时,设计并实现了一款用于42″数字电视PDP平板显示屏的扫描驱动芯片.该芯片及其制作工艺不仅实现了Bipolar,CMOS和高压功率DMOS器件的良好兼容（BCD工艺）,而且采用工艺与电路设计互相匹配的交互方式完成了高低电平位移电路和高压输出驱动电路及其器件的设计,有效提高了芯片的性能,减小了芯片的面积.测试结果表明该芯片功能正常,性能良好,各项技术参数基本达到国外同类产品指标.在低压5V和高压160V的情况下工作,完全满足42″PDP显示系统的需求.     

PDP扫描驱动电路中高压功率MOSFET的设计

提出了一种适合于PDP扫描驱动电路的高压功率LDPMOS和VDNMOS功率器件结构,此结构可用BCD工艺实现,其耐压高、高低压兼容性好、易集成.MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V.     

用于PDP扫描驱动芯片的低成本VDMOS及其兼容工艺

给出了采用硅外延BCD工艺路线制造的低成本的VDMOS设计,纵向上有效利用17μm厚度的外延层,横向上得到的VDMOS元胞面积为324μm2,工艺上简化为18次光刻,兼容了标准CMOS、双极管和高压p-LDMOS等器件.VDMOS测试管的耐压超过200V,集成于64路170 PDP扫描驱动芯片功率输出部分,通过了LG-model42v6的PDP上联机验证.     

用于PDP扫描驱动芯片的低成本VDMOS及其兼容工艺

给出了采用硅外延BCD工艺路线制造的低成本的VDMOS设计,纵向上有效利用17μm厚度的外延层,横向上得到的VDMOS元胞面积为324μm2,工艺上简化为18次光刻,兼容了标准CMOS、双极管和高压p-LDMOS等器件.VDMOS测试管的耐压超过200V,集成于64路170 PDP扫描驱动芯片功率输出部分,通过了LG-model42v6的PDP上联机验证.     

一种高压电平位移电路设计

伴随半导体器件及其制造工艺的不断发展完善,高性能MOSFET器件日渐走上发展舞台,一跃成为主流功率器件。因其能耐高压、可耐受电流大和热稳定性良好等优势,在日常生活中的多个电气设备领域中都有着广泛的应用。本文基于高压BCD工艺,针对用于高压MOSFET半桥驱动电路中的高压电平位移电路进行了仿真设计。该电路能够有效提高器件控制能力,实现将低电源轨信号传输到浮动高电源轨,较普通电路而言大大降低了电路功耗,提高了电路的抗噪性能和稳定性能。     

高压集成电路中高压功率MOSFET的设计

本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成.MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路.     

用于GaN驱动芯片的低功耗高可靠高侧供电电路

高侧供电电路对GaN驱动芯片的可靠性和功耗有非常重要的影响。设计并实现了一种低功耗高可靠的高侧供电电路。考虑到GaN器件的低栅源击穿电压及其反向导通特性，通过自举钳位稳压设计将低压差线性稳压器(LDO)直接搭建在高侧通路以实现对GaN器件栅源电压的保护，此外通过设计抗高侧地HS负压的电平位移电路以实现在高频、高噪声条件下GaN驱动芯片能够正常工作。该高侧供电电路基于0.18μm BCD工艺设计并流片，测试结果表明，集成该高侧供电电路的GaN驱动芯片的高侧输出端能够在最大90 V/ns的电压转换速率或最小25 ns脉宽的输入脉冲下输出最大压差5 V的方波信号，具有良好的性能。     

等离子显示器扫描驱动芯片的设计

分析了PDP扫描驱动芯片的结构和工作原理,介绍了芯片的系统设计、电路仿真、器件模拟和全定制版图设计,设计的芯片具有较好的功能和驱动特性。该芯片的数字电路部分采用0.6μm双多晶硅双金属线标准CMOS工艺实现。对样片进行了测试,结果表明,电路功能达到设计要求,可同时驱动16路高压输出电路,最高工作频率达到60 MHz。     

用于PDP扫描驱动的双高压p-LDMOS及其兼容工艺

报道了基于硅外延BCD工艺的高栅源、高漏源电压的功率pMOS的设计.采用1μm厚的场氧化层作为栅氧介质及RESURF原理优化的漏极漂移区,器件面积为80μm×80μm,工艺上简化为18次光刻,兼容标准CMOS、双极管和高压VDMOS.测试管耐压超过200V,集成于64路170V PDP扫描驱动芯片,通过了上机测试.     

治理“三废”还是“一废”

“节能、减排、降耗、增效”是国家近年来工作的重中之重,从严治理三废是当务之急。我们决不能以牺牲环境来求得经济发展,这是我们每一个公民的责任和义务。中国的经济要持续发展,中国的工业要持续发展,尤其是作为中国电子信息工业不可或缺的起到承上启下至关重要作用的电子电路行业需要持续发展,就必须尽快地改造成为一个基本没有污染的新型电子行业。     

从“质量-价格-服务”向“服务—价格—质量”转变

概述了PCB企业经营理念的转变,即由“质量-价格-服务”到“服务-价格-质量”的理念更新。     

金融危机，化“危”为“机”

金融危机对信息安全行业影响较小,至少说危机对信息安全行业的影响具有滞后性特点。从另一个角度看,金融危机背景下信息安全更受关注。IT安全问题已经成为制约企业渡过危机的关键问题之一,因为危机时期关系核心竞争力的高价值数据外泄将上升到企业生死存亡的高度。另一个方面,IT安全风险随经济下滑反向剧增,涉及IT信息的违法犯罪活动会不断攀升,也有可能减薪裁员等造成的负面情绪会成为内部最大的IT安全隐患,内忧外患的威胁也迫使企业在IT安全方面给予更人的关注。     

MPEG-4的视频"档次"及其"等级"技术

首先阐述了ＭＰＥＧ－４版本１的“档次”和“等级”概念,然后详细叙述了各种视频对象类型和工具、各种视频的“档次”定义以及每个“档次”上的“等级”划分技术,最后简要介绍了ＭＰＥＧ－４版本１可能的应用领域。     

“本科+技师+工程师”人才培养模式的改革与实践

实践性教学是工科院校特别是应用型工科院校的重要教学环节,是培养学生创新意识、创新精神和创新能力的重要方法和手段。加强实践教学的改革与创新,需要构建独立的实践教学体系,整合实验教学内容、改革实践教学模式,理顺实践教学管理体制,建立科学合理的实践教学评估体系和质量保障体系。     

“安全舒适”取代“娱乐视听”汽车电子系统开发“变调”

AES可以说是国际车用半导体厂商、汽车电子产品供应商集中向中国用户展示其最新产品和技术的窗口,是中国汽车电子企业与汽车制造企业把握技术趋势、寻求投资与合作的重要平台.