掺镁铌酸锂晶体的光学均匀性和抗光伤性研究

研究了不同Ｌｉ／Ｎｂ克分子比、掺镁铌酸锂（ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ_３）晶体的光学均匀性和抗光伤特性．以二元同成分配比为基础，掺入约５ｍｏｌ％ＭｇＯ的ＬｉＮｂＯ_３晶体显示出高的抗光损伤特性，但光学均匀性较差．根据ＭｇＯ－Ｌｉ_２Ｏ－Ｎｂ_２Ｏ_５三元相关系研究寻找到的三元同成分配比，生长出的ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ_３晶体具有优良的光学均匀性，但其抗光伤能力低．发现当配料组成为Ｌｉ／Ｎｂ＝４７．８／５２．２，而ＭｇＯ的掺入量为５．７ｍｏｌ％时，晶体既具有良好的光学均匀性，也有较好的抗光伤性．     

汽相平衡扩散时LiNbO_3晶体的改性

本文从ＬｉＮｂＯ３晶体的宽固溶特性出发，采用汽相平衡扩散（ＶＴＥ）方法，摸索出具体改善ＬｉＮｂＯ３组成的实验条件，研制出用于扩散的扩散源坩埚，对一系列同成分ＬｉＮｂＯ３晶体进行了改性研究，结果表明，经本方法处理的ＬｉＮｂＯ３晶体的均匀性、一致性得到大大的提高，并获得了均匀富锂的ＬｉＮｂＯ３晶体，能够很好地满足集成光学需要．     

Co2O3掺杂对SnO2 - MgO- Nb2 O5压敏材料性能的影响

研究了Ｃｏ２Ｏ３含量对ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏材料的密度、非线性特性的影响。实验结果表明,Ｃｏ２Ｏ３不仅能够增大ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５材料的质量密度,而且能提高非线性系数,减小漏电流,在较大程度上提高了ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏材料的性能。     

不同热化学还原LiNbO3∶Ti或Mn晶体杂质电荷态和点缺陷

采用光学吸收和电子顺磁共振（ＥＳＲ）技术表征不同热化学还原ＬｉＮｂＯ３∶Ｔｉ，Ｍｎ（ＬＮ∶Ｔｉ，Ｍｎ）和纯的Ｌｉ／Ｎｂ＝０．９４５一致熔化ＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）晶体的热力学还原习性。将ＬＮ∶Ｔｉ（厚度为１ｍｍ）样品放在Ｌｉ２ＣＯ３中、６００℃、保温７ｈ，产生６９０ｎｍ（～１．８ｅＶ，Ｔ＝６７％）和峰值靠近７８５ｎｍ（Ｔ＝７１％）的７７０～８１０ｎｍ光学吸收带，它们分别对应于Ｔｉ＾３＋的＾２Ｔ→＾２Ｅ     

LiNbO3晶体在凝胶玻璃中的受控析晶研究

采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺,以Ｎｂ（ＯＨ）５为铌酸盐的起始原料,低温合成了ＬｉＮｂＯ３／ＳｉＯ２凝胶玻璃。通过ＤＴＡ,ＸＲＤ和ＩＲ分析方法,研究了ＬｉＮｂＯ３晶体在凝胶玻璃中的析晶过程和析晶动力学。结果表明,ＬｉＮｂＯ３微晶在凝胶玻璃中的析晶过程是受界面控制的,其析晶活化能为１４２ＫＪ／ｍｏｌ。     

LiNbO_3晶体在凝胶玻璃中的受控析晶研究

采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺,以Ｎｂ（ＯＨ）５为铌酸盐的起始原料,低温合成了ＬｉＮｂＯ３／ＳｉＯ２凝胶玻璃。通过ＤＴＡ、ＸＲＤ和ＩＲ分析方法,研究了ＬｉＮｂＯ３晶体在凝胶玻璃中的析晶过程和析晶动力学。结果表明,ＬｉＮｂＯ３微晶在凝胶玻璃中的析晶过程是受界面控制的,其析晶活化能为１４２ＫＪ／ｍｏｌ。     

低温烧结Nb2O5-Bi2O3-ZnO系高频介质陶瓷

本文研究液相添加剂（ Ｃｕ Ｏ、 Ｖ２ Ｏ５ 、 Ｌｉ Ｆ、 Ｐｂ Ｏ、 Ｈ３ Ｂ Ｏ３ 、 Ｂｉ２ Ｏ３） 对 Ｎｂ２ Ｏ５ Ｂｉ２ Ｏ３ Ｚｎ Ｏ 系陶瓷的烧结和介电特性的影响基于实验结果, 研制的 Ｎｂ２ Ｏ５ Ｂｉ２ Ｏ３ Ｚｎ Ｏ 系陶瓷的烧结温度９００‘ Ｃ, 介电性能为： εｒ ＝ １５０ ～１７０ , ｔａｎ δ＝ ０００２ ～０００８ （１００ Ｍ Ｈｚ） , 电容温度系数（ Δ Ｃ Ｃ） ±５ ％（１ Ｍ Ｈｚ）     

不同热化学还原LiNbO_3：Ti或Mn晶体杂质电荷态和点缺陷

采用光学吸收和电子顺磁共振（ＥＳＲ）技术表征不同热化学还原ＬＩＮｂＯ３：Ｔｉ，Ｍｌｉ（ＬＮ：Ｔｉ，Ｍｎ）和纯的Ｌｉ／Ｎｂ＝０．９４５一致熔化ＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）晶体的热力学还原习性．将ＬＮ：Ｔｉ（厚度为１ｍｍ）样品放在Ｌｉ２ＣＯ３中、６００℃、保温７ｈ，产生６９０ｕｒｎ（～１．８ｅＶ，Ｔ＝６７％）和峰值靠近７８５ｎｍ（Ｔ＝７１％）的７７０￣８１０ｎｍ光学吸收带，它们分别对应于Ｔｉ（３＋）的２Ｔ→２Ｅ跃迁以及室温稳定Ｆ＋心滞有一个电子的氧空位）．经真空１．２Ｐａ，８００℃２ｈ还原后，存在峰值为６７５ｎｍ（Ｔ＝５２％）的４８０～７８０ｎｍ平滑吸收带，它们是Ｔｉ（３＋）、Ｆ心和Ｆ＋心重叠吸收，但是，在Ａｒ气氛下、９００℃、８ｈ处理后，仅能看到峰值在６７５ｎｍ（Ｔ＝５２％）的６００～７８０ｎｍＴｉ（３＋）的弱吸收．来自未处理ＬＮ：Ｔｉ晶体的室温和Ｘ带的ＥＳＲ＄观察到ｇ＝４．３４８，共振磁场０．１５２ＴＨ（ｐ－ｐ）＝０．０１６３Ｔ微波吸收峰，以及四组精细结构Ｂ线（每一ｆｓ线是由６条超精细结构ｈｆｓ组成），ｇ值从３．４６０～１．６７９吸收，它们分别归为于晶体杂质Ｆｅ（３＋）和Ｍｎ（２＋）离子．真空还原后，Ｆｅ（３＋）的     

67 Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-33PbTiO_3单晶90°铁电畴光学研究

采用偏光显微镜观察了６７Ｐｂ（Ｍｇ_（１／３）Ｎｂ_（２／３））Ｏ_３－３３ＰｂＴｉＯ_３固溶体铁电单晶在室温时 ９０°铁电畴结构．铁电畴结构与晶体质量有关,在正交偏光显微镜下光学透明晶体中存在着尺 寸为２～３ｍｍ的均匀大畴,不同极化方向的大畴重叠形成雾状区,使晶体表现出光学质量宏观 不均匀．在光学质量差的雾状晶体中则存在着 ０．１ｍｍ宽的｛１１０｝型带状孪生畴,使晶体形成 表面浮凸,带状畴内还存在着９０°亚畴．并对这些畴的形成作了讨论．     

Nb镀层对c—BN—玻化陶瓷结合剂界面成分结构的影响

用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ等研究了Ｎｂ镀层与ｃ－ＢＮ晶体在６００－１０００℃范围的界面反应过程、界面成分和结构特征，讨论了烧结时Ｎｂ镀层与ＳｉＯ２－Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３玻化结合剂的作用，结果表明：Ｎｂ镀与ｃ－ＢＮ晶体在６００℃以上发生界面反应，外延生长形成ＮｂＮ，８００℃以上形成ＮｂＢ２，它们使Ｎｂ镀层与ｃ－ＢＮ牢固结合并阻止结合剂中的碱性组分对ｃ－ＢＮ的侵蚀，镀Ｎｂ的ｃ－ＢＮ表层的Ｎｂ则作     

MgO—B2O3—SiO2—Al2O3—CaO中含硼组分析晶动力学

根据玻璃形成动力学理论，计算了ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＣａＯ渣系中含硼组分２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３的成核速度（Ｉ）和晶体长大速度（Ｕ），获得了２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成的最佳温度．采用化学分析、Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）和差热分析（ＤＴＡ）等方法研究了热处理温度对ＭｇＯ—Ｂ２Ｏ３—ＳｉＯ２—Ａｌ２Ｏ３—ＣａＯ渣系硼提取率的影响．结果表明：硼渣最佳热处理温度与２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成最佳温度一致。     

Nb镀层对c－BN－玻化陶瓷结合剂界面成分结构的影响

用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ等研究了Ｎｂ镀层与ｃ－ＢＮ晶体在６０－１０００℃范围的界面反应过程、界面成分和结构特征，讨论了烧结时Ｎｂ镀层与ＳｉＯ２—Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３玻化结合剂的作用．结果表明：Ｎｂ镀层与ｃ—ＢＮ晶体在６００℃以上发生界面反应，外延生长形成ＮｂＮ，８００℃以上形成ＮｂＢ２，它们使Ｎｂ镀层与ｃ－ＢＮ牢固结合并阻止结合剂中的磁性组分对ｃ－ＢＮ的侵蚀，镀Ｎｂ的ｃ－ＢＮ表层的Ｎｂ则作为活性金属实现与玻化结合剂的化学健合．     

Naβ/β″-Al2O3膜的制备与电学性能研究

通过ＭｇＡｌ２Ｏ４－α－Ａｌ２Ｏ３复合相陶瓷基体与Ｌｉ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ气氛的反应制备了Ｌｉ２Ｏ和ＭｇＯ共同稳定的Ｎａβ／β″－Ａｌ２Ｏ３膜，相分析的结果表明，反应温度是决定膜中β／β″Ａｌ２Ｏ３相形成速率的主要因素，当温度低于１１００℃时，α－Ａｌ２Ｏ３基体不能转化为β／β″－Ａｌ２Ｏ３基体中的ＭｇＡｌ２Ｏ４可以促进膜的形成，并降低膜的形成温度，交流复阻抗谱和四极法测量的结果表明，复合基体表面形成的     

离子束辅助沉积制备TiO2—Nb2OT氧敏薄膜

采用离子束辅助沉积方法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷衬底上制备了ＴｉＯ２－Ｎｂ２Ｏ５的氧敏薄膜。考察了薄膜组分比及退火温度对薄膜氧敏特性和结果的影响。电阻－氧分压特性测试结果表明，纯Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性优于纯ＴｉＯ２薄膜；掺入少量的Ｔｉ可使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性提高，以５ｍｏｌ％ＴｉＯ２掺杂的Ｎｂ２Ｏ５薄膜最佳；     

以Mn_3O_4为前驱体的LiMn_2O_4及其电化学性能

对传统的固相反应进行了改进,以控制结晶法合成出来的Ｍｎ３Ｏ４为前驱体,和ＬｉＯＨ混合煅烧,制备出锂离子电池正极活性材料尖晶石ＬｉＭｎ２Ｏ４。对由此方法得到的尖晶石ＬｉＭｎ２Ｏ４的结构和电化学性能进行了研究．通过Ｘ光衍射和扫描电镜分析表明,该材料为纯相尖晶石ＬｉＭｎ２Ｏ４,不含其它杂质相,而且晶粒大小比较均匀;通过电化学性能测试表明,该尖晶石ＬｉＭｎ２Ｏ４具有良好的电化学性能：其首次放电比容量为１２８ｍＡｈ／ｇ,经过１０次充放电循环后,其放电比容量仍有 １２４ｍＡｈ／ｇ．     

CaO—MgO—Fe2O3—Al2O3—SiO2渣系玻璃晶化动力学

根据玻璃形成动力学理论,计算了ＣａＯ－ＭｇＯ－Ｆｅ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２渣系中成核速率（Ｉ）和晶体长大速度（Ｕ）,获得晶体形成的最佳温度,研究了热处理温度对ＣａＯ－ＭｇＯ－Ｆｅ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２渣系晶体的影响,计算的晶体形成的最佳温度结果表明与该体系的最佳热处理温度一致。     

TiO2和ZrO2在B2O3—MgO—SiO2系晶化过程中的作用

采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），差热分析（ＤＴＡ），扫描电镜（ＳＥＭ）和红外光谱（ＩＲ）等手段研究了ＴｉＯ２和ＺｒＯ２对Ｂ２Ｏ３－ＭｇＯ－ＳｉＯ２渣中含硼组分晶化行为的影响，结果表明，ＴｉＯ２和ＺｒＯ２作为晶核剂加入后，促进分相，降低了晶化活化能，有利于含硼组分以２ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３和３ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３，析出，加入ＴｉＯ２改变了硼渣结构，产生更多有利于２ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３和３ＭｇＯ．Ｂ２Ｏ３析出的（Ｂ２Ｏ５     

PMN-PT弛豫铁电粉体的溶胶-凝胶法制备及其性质

以无机盐或氧化物Ｎｂ_２Ｏ_５、ＭｇＯ、ＴｉＣｌ_４和Ｐｂ（ＡＣ）_２、３Ｈ_２Ｏ为原材料,柠檬酸和ＥＤＴＡ为复合螫合剂,乙二醇为溶剂,分别制备Ｎｂ、Ｍｇ－Ｎｂ、Ｔｉ和Ｐｂ的有机化合物前驱液,采用溶胶－凝胶工艺制备ＰＭＮ－ＰＴ弛豫铁电陶瓷粉体及其烧结体．讨论了制备工艺和螯合剂等对金属有机化合物溶液的性质、材料物相形成和介电性能的影响．     

以Ba云母为主晶相的可切削玻璃陶瓷

基于Ｂａ０．５Ｍｇ３（Ｓｉ３ＡｌＯ１０）Ｆ２－Ｍｇ２Ａ１４Ｓｉ５Ｏ１８－Ｃａ３（ＰＯ４）２系统，制备出了以含Ｂａ碱士云母为主晶相的可切削玻璃陶瓷，弯曲强度σｂ＝２２９ＭＰａ，断裂韧性Ｋｌｃ＝２．４８ＭＰ·ｍ１／２；钻孔速度大于７ｍｍ／ｍｉｎ．优良性能的获得借助于Ｂａ云母玻璃陶瓷可控的显微组织，即相互交错的云母体和“卷心菜”的组织特征．观察到了两类类型的断口形貌：云母晶体层内断的层状花样和沿（００１）晶面层间断的小刻面花样．     

新型ZnO陶瓷线性电阻材料

本文研究了少量ＭｇＯ，Ｌａ２Ｏ３，ＺｒＯ２等对ＺｎＯ陶瓷线性电阻材料晶粒生长速度和最终晶粒尺寸的影响规律，以及极微量掺杂Ｌｉ２Ｏ对晶粒和晶界电阻率的影响规律，实验表明，ＭｇＯ，Ｌａ２Ｏ３和ＺｒＯ２都能使ＺｎＯ陶瓷伏安特性线性化，在一定添加量范围内，ＭｇＯ的添加量不影响陶瓷线性电阻的电阻率，Ｌａ２Ｏ３和ＺｒＯ２的添加量都能有效地控制陶瓷线性电阻的电阻率，ＭｇＯ的添加量不影响ＺｎＯ陶瓷的晶粒生长速度，