NEC为1G DRAM开发最小的存储单元

ＮＥＣ为１ＧＤＲＡＭ开发最小的存储单元日本ＮＥＣ公司已为１ＧｂＤＲＡＭ开发了世界上最小的ＤＲＡＭ存储单元─０．３７５μｍ２。这种单元与在ＩＳＳＣＣ９５＇上宣布的用在１ＧｂＤＲＡＭ样品的单元有所不同，这种０．３７５μｍ２的单元技术包括对角开位线结构，相...     

NEC开发出了0．07μm线宽的CMOS大规模集成电路

ＮＥＣ开发出了０．０７μｍ线宽的ＣＭＯＳ大规模集成电路ＮＥＣ开发成功了１６ＧＤＲＡＭ千兆位的动态存储器工艺需要０．０７μｍ的线宽，ＮＥＣ制成了在１．ＳＶ电压和低持续电流条件下延迟时间为１６．７ＰＳ的超高速动态存储器。该成果是在去；年６月召开的ＶＩＳＩ...     

0．1μm栅长的CMOS电路门延迟为11．8Ps

０．１μｍ栅长的ＣＭＯＳ电路门延迟为１１．８Ｐｓ据《ＮＩＫＫＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ》１９９３年第１２—２０期报道，１９９３年１２月６～８日在美国召开的国际电子器件会议（ＩＥＤＭ）上，美国ＡＴ＆Ｔ贝尔实验室，ＩＢＭ公司，日本富士通研究所和东芝研究开发...     

世界最小的1G DRAM存贮器单元

世界最小的１ＧＤＲＡＭ存贮器单元日本ＮＥＣ公司采用０．２μｍ电子束曝光技术研制成功世界最小的１ＧＤＲＡＭ存贮器单元。单元面积为０．３７５μｍ２。该公司采用了如下技术：①高密度存贮器单元结构，即ＤＢＬ（对角位线）单元结构；②适用低电压工作的边缘工作晶体...     

雷卡1X—AIME CDMA信令测试仪

雷卡１Ｘ－ＡＩＭＥ（Ａｉｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍｏｎｉｔｏｒ／Ｅｍｕｌａ－ｔｏｒ）系统是专门为手机的ｃｄｍａＯｎｅ及 ｃｄｍａ２０００ １Ｘ信令测试而设计的，广泛应用于新产品开发、兼容测试、评估和服务支持，是手机生产研发时必不可少的测试工具。 目前，１Ｘ－ＡＩＭＥ系统可支持ｃｄｍａＯｎｅ＋ｃｄｍａ２０００的标淮，包括：ＩＳ９５Ａ、ＩＳ９５Ｂ、Ｊ－ＳＴＤ－００８、ＡＲＩＢ－Ｔ５３、ＫＯＲＥＡＮ ８００ＭＨＺ、ＫＯＲＥＡＮ ＰＣＳ、ＩＳ－２０００ １Ｘ等，并且兼容ＣＤＧ２２、ＣＤＧ５３及ＣＤＧ５７的第二阶…     

256Mb、1Gb DRAM发展动态

２５６Ｍｂ、１Ｇｂ　ＤＲＡＭ发展动态随着Ｇｂ级ＤＲＡＭ的问世，使存储器的发展又步入了一个新台阶。韩国三星采用０．２５μｍＣＭＯＳＩ艺制作的２５６ＭｂＤＲＡＭ，其驱动电压为２．２～２．４Ｖ，存取时间为４０ｕｓ。韩国现代电子已投资了１５亿美元在京矾道本部...     

NEC推出新型256MDRAM

ＮＥＣ推出新型２５６ＭＤＲＡＭ日本ＮＥＣ公司在日本电子机械工业会主办的“电子’９３”展览会上展出新型２５６ＭＤＲＡＭ。产品最小加工尺寸０．２５μｍ，芯片面积１３．６×２４．５８ｍｍ，集成度５．５亿个元器件，存贮单元面积０．７２μｍ２，存贮单元容量３０...     

国产操作系统COSIX和国产系统软件平台COSA

介绍了国产操作系统ＣＯＳＩＸＶ１．２和ＣＯＳＩＸＶ．２０国产系统软件平台ＣＯＳＡＶ１．０。ＣＯＳＡＶ１．０由国产操作系统ＣＯＳＩＸＶ１．２，国产网络系统ＣＯＮＥＴＶ１．０，国产数据库管理系统ＣＯＢＡＳＥＶ１．０以及国产编程软件Ｃ、Ｃ＋＋、ＦＧｏｒｔｒａｎ９０等构成。ＣＯＳＩＸＶ１．２遵循国际法标准ＰＯＳＩＸ．１、工业标准ＸＰＧ３，与主流ＵＮＩＸ系统ＳＶＲ４二进制兼容。ＣＯＳＩＸＶ２．０是基于微内核     

存取时间为50ns的64MDRAM

存取时间为５０ｎｓ的６４ＭＤＲＡＭ日本东芝、日立、三菱电机公司分别推出快速６４ＭＤＲＡＭ。东芝采用０．４μｍ工艺，存取时间５０～７０ｎｓ。日立采用０．３μｍ工艺，存取时间５０ｎｓ，电源电压１．５Ｖ．三菱电机采用０．３μｍ工艺，存取时间５０ｎｓ，电源电...     

精品展台

微芯片工业和汽车用微控制器 Ａｔｍｅｌ公司推出ＣＡＮａｒｙ系列ＣＡＮ基微控制器的新成员Ｔ８９Ｃ５１ＣＣ０２。它具有系统内编程（ＩＳＰ）能力,通过ＣＡＮ总线或ＵＡＲＴ,设计人员可开发其应用。它支持带２．０Ａ和２．０Ｂ结点的ＣＡＮ网络。用内部时钟倍频器,该器件可达到１Ｍｂｉｔ／ｓ的最高ＣＡＮ总线数据率。它包含１６Ｋ字节片上程序闪存和ＣＡＮ控制器、双数据指针、２Ｋ字节用户数据ＥＥＰＲＯＭ、８通道１０位Ａ／Ｄ转换器、５１２字节ＲＡＭ。它完全符合高速的ＩＳＯ规范１１９８９（２．０Ａ和２．０Ｂ）和低速的１１…     

半导体技术研发速度加快

尽管去年半导体界不景气,业界研发技术却未曾停歇,一些主要的科技甚至提前一年实现。美国半导体协会（ＳＩＡ）在１９９７年所制订的半导体技术发展蓝图中,６３个表格就有近一半表格需要修改。负责订立ＳＩＡ蓝图的主席Ｇａｒｇｉｎｉ表示,１９９８年更新版的ＳＩＡ技术蓝图将向前修正一年。例如,０．１３μｍ工艺的ＤＲＡＭ量产,已由公元２００３年提前至２００２年,而０．１０工艺也由原先的２００３年,提前了一年,其他０．０７μｍＤＲＡＭ技术以及０．５０的微处理器（ＭＣＵ）,也提前一年到２００８年。同时,ＳＩＡ的制订技…     

东芝、IBM、西门子联合开发256MbDRAM

东芝、ＩＢＭ、西门子联合开发２５６ＭｂＤＲＡＭ据日本《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９５年第８期报道，东芝、ＩＢＭ、西门子联合开发２５６ＭｂＤＲＡＭ。通过采用０．２５μｍＣＭＯＳ及单元阵列面积小型化技术，其芯片面积仅为２８５．５ｍｍ２。该...     

GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

电视录像/画面捕捉软件和设备连接配置USB的NAVUS-USB

通过电脑编辑电视录像的需求正在迅猛增长。此次ＷＰＣ ＰＣ ＥＸＰＯ上ＭＰＥＧ２规格的画面捕捉产品颇受欢迎。Ａｓｋ展示了采用ＭＰＥＧ２规格录像的实时编码卡 “ＮＡＶＩＳ系列”。其中最为引人瞩目的是具有８Ｍｂｐｓ传送速率的最新款画面捕捉卡“ＮＡＶＩＳ２”和配置ＵＳＢ接口的画面捕捉组件“ＮＡＶＩＳＵＳＢ”等。支持Ｗｉｎｄｏｗｓ９８／ ２０００。Ｐｉｘｅｌａ展示了ＵＳＢ连接的ＭＰＥＧ１／２画面捕捉盒“ＰＩＸＭＰＣＣＰ／Ｕ１”,具有１～６Ｍｂｐｓ的数据传送率,附带ＭＰＥＧ编辑软件“ＰｉｘｃＤＶ３．０…     

自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．     

OPTICAL FIBER-MOBILE COMMUNICATION

ＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲ－ＭＯＢＩＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ￥ＦＥＮＧＸｉ－Ｙｕ；ＳＵＮＴｉｅ－Ｃｈｅｎｇ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤａｌｉａｎ１１６０２３）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｍｏｂｉｌ...     

宁波GSM系统LAC调整方案

宁波ＧＳＭ系统ＬＡＣ状况 目前宁波ＧＳＭ系统共有ＬＡＣ区２２个,每个ＢＳＣ分配一个ＬＡＣ（除市区ＢＳＣ２３,ＢＳＣ２４外）,这样,某些ＢＳＣ的Ｌｏｃａｔｉｏｎ－Ｕｐｄａｔｅ占ＯＫ－ＡＣＣ－ＰＲＯＣ的比例（后称ＬＵ－ＲＡＴＥ）相当高,如余姚ＢＳＣ８,其ＬＵ－ＲＡＴＥ高达７９．４２％,其ＳＤＣＣＨ负荷相当重,且已导致ＳＤＣＣＨ拥塞,具体每个ＢＳＣ的ＬＵ次数,ＬＵ－ＲＡＴＥＰＡＧＥ－ＲＥＱＵＥＳＴＳ／ＰＡＧＥ－ＲＥＳＰＯＮＳＥ,ＰＡＧＥＳ－ＰＥＲ－ＳＥＣＯＮＤ,ＳＤ－ＣＯＮＧＥＳＴＩＯＮ－ＲＡＴＥ,…     

EMX2500对MLSB4信号处理的修改

一、ＥＭＸ２５００与ＰＳＴＮ连接ＥＭＸ２５００与ＰＳＴＮ的连接见图１。二、ＥＭＸ２５００对Ｂ４信号处理ＭＳ拨打８２５＃、８２３＃忙用户（以拨８２３６０３０为例），信令配合如下：ＦＷＤＳＩＧ８２３６Ａ３Ａ３８２３６Ａ３Ａ３８２３８Ｒ２图１ＥＭＸ２５００...     

通用电路辅助分析软件包DESIGN CENTER的几种应用

本文主要讲述了通用电路辅助分析软件包ＤＥＳＩＧＮ ＣＥＮＴＥＲ的特点及其在数字式双积分Ａ／Ｄ转换器，三相全控桥式整流电路和饱和变压器的模拟分析中的应用，以此来说明如何方便快捷，灵活地应用ＤＥＳＩＧＮ ＣＥＮＴＥＲ进行电路辅助分析。     

新品快递

三星电子开发出整套ＡＤＳＬ核心芯片制造技术三星电子成功研发了用于ＡＤＳＬ网络设备核心芯片组的技术———离散多音频 (ＤＭＴ,ＤｉｓｃｒｅｔｅＭｕｌｔｉ-ＴｏｎｅＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ)处理器集成电路、控制器集成电路以及用于制造传输速度可达８Ｍｂｉｔ／ｓ的数字调制解调器模拟前端 (ＡＦＥ ,ＡｎａｌｏｇＦｒｏｎｔＥｎｄ)集成电路。目前 ,市场上大部分ＡＤＳＬ芯片组都是由０．２５μｍ技术制造而成 ,工作电压为２．５Ｖ ,而三星开发出的ＡＤＳＬ芯片组是由０．１８μｍＣＭＯＳ技术制造而成 ,可以在１．８Ｖ的电压下工作 ,节省…