1300nm光学层析成像

利用光学相干层析（OCT）技术,可以透过混沌介质,特别是生物组织成像。本文介绍了我们建立的基于1300nm波长稳定化光源的OCT实验装置,并且该装置测量了金属丝样品在奶粉溶液和土豆片两种混沌介质的一维和二维成像情况。该装置具有20μm的横向分辨率和26μm的轴向分辨率,并给出由OCT信号重建的灰度图。     

193nm波长的光刻和光学制造

光刻集成电路生产过程所用的照明波长推动着形状尺寸的变化，即波长越短，可使成像特征越小。为制作下一代计算机用的集成电路片，光刻系统也、须更深地向短波长、高能紫外光谱区移动。在该波长区，光学系统的设计和制作变得更困难。这种需要要求有更严格的系统设计法，必须仔细平衡吸收、散射、严密制造公差和运用寿命的关系。最小特征尺寸为0．18μm的一代集成电路片将用光到方法生产，也许是使用193nm波长的激光照明和用反射折射物镜，后者既包括反射元件，也包括折射元件。为支持这个波段的光致抗蚀剂显影，纽约州特洛帕尔公司的工程师…     

193 nm光学元件向材料挑战

用于光刻分档器的投影光学系统是由精密光学元件组成的、非常复杂昂贵的系统,价格超过1百万美元.这些物镜在晶片上产生高分辨精确图像的同时,还必须提供最大的输出.系统的性能不应随时间的增长而降低,晶片上的功率密度为每脉冲1 mJ/cm2时,要求的寿命达十年左右.     

0.1μm线宽主流光刻设备—193nm(ArF)准分子激光光刻

阐述了可实现 0 1μm线宽器件加工的几种候选光刻技术 ,对 193nm(ArF)准分子激光光刻技术作了较为详细的论述 ,指出其在 0 1μm技术段的重要作用 ,并提出了研制 193nm(ArF)光刻设备的一些设想。     

Multi—mode Scanning Near—field Optical Microscope

A scanning near-field optical microscope using uncoated fiber tip is described, which can work in transmission and reflection configurations, both capable of working in illumination and collection-mode, so that either transparent or opaque sample can be investigated. Depending on different applications, either constant-gap or constant-height images can be achieved. A compact homemade translator permits to select interested area of sample in the range of 4 mm×4 mm. Working in the constant-height as well as transmission and collection-mode configuration, several kinds of samples such as holographic grating, liposome and zeolite were investigated. The experimental results revealed the dependence of the optical resolution of the SNOM on the tip-sample separation.     

193nm光学掩模与x射线掩模技术比较

目前看来,１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术都很有希望应用到０．１３μｍ及０．１３μｍ以下的集成电路工业中去,而掩模制作对这两种光刻技术而言是非常重要的。本文对１９３ｎｍ光学掩模与ｘ射线掩模制造技术进行了对比分析。     

90nm与65nm光刻工艺各有千秋

2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片，比国际半导体技术蓝图ITRS2001／2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片，比ITRS2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了一年，两者如出一辙。光刻工艺是量产90／65nm芯片最重要、最关键的工艺之一，也是使用频率最高的工艺，如90／65nm铜互连需8层金属布线，那至少要进行15次光刻，因为金属互连层间还需绝缘层隔离。目前光刻工艺能量产的只有光学光刻技术，它是通过不断缩短曝光波长（λ）、增大数值孔径（NA）和降低工艺因子（k1）来提高其水平，从而达到不断缩小芯片的特征尺寸的目的，如从90nm——65nm。     

980nm/1064nm双波长半导体激光皮肤焊接

提出将980 nm和1064 nm半导体激光组合应用于皮肤组织伤口焊接,通过肉眼观察、病理学检测以及张力测试等方法对比了双波长激光焊接与传统缝线术的缝合效果。同时,利用热电偶温度测试系统在体测量了激光焊接皮肤切口过程中的组织内部温度,研究激光焊接效果与组织温度之间的关系。结果表明,980 nm和1064 nm激光同时以0.5 W连续输出,功率密度为15.92 W/cm2,每点照射时间为5 s模式组合焊接时,伤口缝合效果与传统缝线术相比具有伤口闭合迅速、愈合快、伤口表面平整、异物反应小、伤口闭合紧等优点。由此可见,双波长激光组织焊接是一种有效的伤口闭合方法,有待进一步研究以便应用于临床。     

1064nm激光和355nm激光同时辐照DKDP晶体的耦合预处理效应

为了研究DKDP晶体在惯性约束核聚变(ICF)装置应用中的多波长激光诱导损伤特性,建立了1064 nm激光和355 nm激光同时辐照DKDP晶体的损伤测试装置,分析了不同激光能量密度组合下的损伤针点形貌、密度、尺寸和损伤概率。结果表明,当355 nm激光以R-on-1方式辐照样品,并加入不同能量密度的1064 nm激光时,随着1064 nm激光能量密度的升高,测试样品的抗激光损伤性能得到改善,损伤针点形貌逐渐与1064 nm激光单独作用时的损伤形貌类似,损伤针点密度减小,损伤针点尺寸增大,整体上表现出耦合预处理效应。     

高功率高可靠性9XX nm激光二极管

为了提高半导体激光二极管的输出功率和可靠性,通过在有源区两侧势垒层和波导层之间引入高禁带宽度的GaAsP,抑制有源区载流子的泄漏,极大地改善了器件的性能。研究结果表明:在10~40℃温度范围内器件特征温度从原来的150 K提高至197.37 K(-75.76℃),峰值波长随温度的漂移系数为0.207 nm/℃;条宽200μm、腔长2000μm的9XX nm激光二极管可靠性工作的最大输出功率高达14.4 W;器件在注入电流为7 A时取得71.8%的最大电光转换效率,斜率效率为1.21 W/A。器件在恒定电流下的加速老化测试显示激光二极管可靠性工作寿命达2000 h以上。     

193nm光学掩模与x射线掩模技术比较

目前看来，１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术都很希望应用到０．１３μｍ ０．１３μｍ以下的集成电路工业中去，而掩膜笃这两种光刻技术而言是非常重要的．本文对１９３ｎｍ光学掩模与ｘ射线掩模制造技术进行了对比分析。     

980nm光纤激光器发展现状与展望

980nm波段的掺镱光纤激光器因有望获得高亮度激光输出,代替980nm波段的半导体激光器成为掺铒/镱光纤激光器高亮度的抽运源而备受关注。从980nm波段光纤激光器广泛使用的4类增益光纤——单模单包层掺镱光纤、常规双包层掺镱光纤、JAC(Jacketed air-clad)掺镱光纤以及超大纤芯掺镱光子晶体光纤出发,对国际上各研究机构所做的工作进行了综述,介绍了其实验进展和存在的问题。最后就980nm波段光纤激光器的未来发展方向进行了探讨。     

405nm半导体激光器

Photonic Products公司的Sanyo405nm半导激光器能提供20mW、45mW或者85mW的能量输出。DL-4146—101S能输出20mW的光学能量,阈值电流26mA,典型的工作电流为35mA,工作电压4．8V,监控输出电流0．2mA。DL-5146—101S型号提供45mW能量输出,阈值电流为35mA,典型工作电流70mA,工作电压5．2V,监控输出电流0．3mA。最后,85mW的DL-7146—101S激光器,阈值电流为45mA,典型工作电流110mA。工作电压5．4V,监控输出电流0．3mA。     

迎接亚100nm的挑战

目前,90nm器件已进入小批量生产阶段,但是仍有大量障碍有待克服。在前道工艺中,图形关键层必须用193nm光刻技术制作,这种光刻技术目前还不完全成熟。在后道工艺中,成品率受第二代低k介质材料与铜集成的影响。可以预见,90nm工艺中所遇到的问题在今后的65nm技术节点将会更为加剧。得益于制造工艺惊人的技术拓展能力,现半导体业界正在排列90nm器件到65nm技术节点所能预计到的障碍。高k绝缘膜和金属电极的栅迭层在65nm技术节点之前将无法完成,既使完成,也只是应变硅和绝缘体上硅性能的改进。其次便是除ALD阻挡层和晶粒之外的双大马士革互联问…     

780nm倍频激光器的研究

为了获得结构简单、成本相对低廉的高功率780nm激光, 采用了单块倍频晶体的腔外倍频方法。分布式反馈半导体激光器产生的连续激光注入光纤放大器后, 通过周期极化铌酸锂晶体进行准相位匹配, 取得了铷原子的饱和吸收光谱。结果表明, 该激光器产生了1.2W的倍频光, 具有较高的输出功率。这一结果对铷原子钟、原子干涉仪等冷原子物理实验的小型化是有帮助的。     

高可靠性大功率808 nm半导体激光器

研制了一款基于AlGaInAs/AlGaAs应变补偿量子阱大光腔结构的808 nm半导体激光器.采用金属有机物化学气相沉积方法外延生长,在超高真空环境下进行圆片解理,然后原位沉积钝化膜,最后在镀膜机内沉积增透膜和高反膜,避免了激光器腔面在空气中解理容易使其被空气中的氧和碳等杂质污染.对封装好的半导体激光器进行了电光特性测试.测试结果表明,器件的波导宽190 μm、腔长4 mm,25℃时的阈值电流为1.5A,12 A直流驱动下的输出功率达到12.47W,最高电光转换效率为61.3％,腔面没有出现灾变性光学烧毁.器件的快轴发散角为28°,慢轴发散角为8°.器件在45℃、14A的驱动电流下工作8000 h没有失效,并由此推算器件在25 ℃、12A的恒流驱动下,寿命大于100000 h.     

193 nm光刻散射条技术研究

介绍了193nm光刻中的散射条技术，并利用标量衍射和傅里叶光学理论，对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析，从理论上解释了散射条的工作原理。通过商用光刻模拟软件PROLITH，对散射条的参数进行了优化，并总结出193nm光刻中孤立线散射条的优化方法。