磁纳米线阵列交换偏置研究

讨论了磁纳米线阵列中静磁相互作用导致的交换偏置问题。采用伊辛模型并利用蒙特卡洛方法比较了三角点阵纳米线阵列上不同反转比下的静磁相互作用能和形状各向异性能的大小。根据斯通纳-沃尔法斯模型,交换偏置场主要来自偶极相互作用场。计算表明,交换偏置场随反转比增大相比最大值下降很快。纳米线长度涨落对体系的交换偏置影响很小。分析了实验中对实际纳米线阵列观察不到明显交换偏置现象的原因。     

气隙水平偏置量影响直流磁系统释放电压的研究

直流磁系统受吸合过程中侧向力的作用,在保持位置衔铁和磁轭会发生偏置,研究了偏置对直流磁系统释放电压的影响.通过仿真分析了电磁吸力和释放电压随衔铁和磁轭偏置距离的变化规律,并进行了试验验证.     

磁控开关型故障限流器神经网络自适应偏置电流控制

针对磁控开关型故障限流器在故障后其偏置线圈中会产生偶次反电动势,三相全控整流桥的负载突变为带偶次反电动势的电阻电感负载,提出了基于神经网络的磁控开关型故障限流器自适应偏置电流控制系统。该系统采用两个神经网络来分别构成自适应控制网络和辨识网络,对控制器参数进行自适应调整和在线辨识,实现了偏置电流的实时控制。试验证明,利用该控制系统对限流器偏置电流进行控制,限流器的响应速度和限流效果可以得到保证。     

永磁偏置磁轴承动特性研究

电磁轴承位置传感器安装的偏差或转子静态载荷的作用使得轴颈的几何中心相对轴承中心产生偏心，即轴承静态工作点相对理想对中位置发生偏移。对此，该文首先讨论了永磁偏置磁轴承(PMEB)静态工作点偏移对轴承动特性的影响，然后在进一步考虑电磁轴承磁力饱和约束的基础上，提出了永磁偏置磁轴承综合动刚度的定义，最后通过分析永磁偏置磁轴承静态工作点偏移以及轴承偏置磁场对轴承稳定性的影响，得出了永磁偏置磁轴承的稳定域，从而为轴承的设计和分析提供了理论依据。     

磁偏置超导故障限流器限流响应模型与并网运行研究

针对电网短路故障限流问题,提出一种新型磁偏置超导故障限流器(SFCL),采用超导无感组件、双分裂电抗器支路两级限流的运行方式,具有自触发、分级故障限流、快速自我恢复等优点.应用MATLAB/Simulink软件,搭建了含磁偏置SFCL的10 kV电网线路仿真模型,提出超导限流组件磁热耦合特性的物理建模方法,并对0°和90°短路故障角下的SFCL并网限流效果进行瞬态仿真和比较.仿真结果表明,在电网0°和90°不同故障短路角电流冲击下,SFCL在首半波中的限流率分别为36.45％和45.89％,随后第2个半波的最大限流率达到78.58％,限流电阻在90°短路故障角下的变化率是0°短路故障角下的1.75倍,实现了较快的限流动作响应和显著的分级限流效果.最后实验验证了磁偏置超导限流技术的可行性.     

10 kV磁偏置超导限流器限流阻抗特性实验研究

结合系统运行工况,建立10 kV电网短路限流暂态过程数学模型,分析不同阶段的限流机理,给出磁偏置超导限流器阻抗特性变化趋势。搭建10 kV系统磁偏置超导限流器阻抗特性试验电路,测量不同限流工况下的电流波形,获得磁偏置超导限流器阻抗特性的等效方程和变化规律曲线。研究结果表明：稳定运行阶段,磁偏置超导限流器的等效阻抗为0.13 Ω;初始限流阶段,在设置的工况1、2下磁偏置超导限流器的电流峰值限流率分别为13.18 % 和8.98 %;稳态限流阶段,磁偏置超导限流器的等效阻抗为1.667 Ω,在设置的工况1、2下其电流峰值限流率分别为16.23 % 和14.13 %。给出限流器初始限流阶段阻抗特性数学方程。     

磁致伸缩力矩激励器的磁偏置和内部磁路分析

通过对磁致伸缩力矩激励器的磁偏置和内部磁场的分析,研究了大、中、小型力矩激励器在磁偏置和内部磁路上的优点和缺点,并在此基础工了一种新型的大型力矩激励器。     

高速模数转换器动态偏置误差检测的双谱方法

本文给出了考虑噪声和动态误差时的高速模数转换器（ＡＤＣ）的动态传输模型。提出了利用双谱分析高速ＡＤＣ动态偏置误差的方法。同时，指出双谱方法可以明显地减小ＡＤＣ噪声本底对微小偏置误差测量的影响，提高测量的灵敏度和精度。最后给出的计算机模拟测试结果表明，双谱法比功率法具有更高的检测分辨率和抗噪声能力。     

带通滤波器法电压积分型定子磁链观测器

针对定子磁链观测的低通滤波器法电压积分模型受电压电流零漂,积分初值和定子电阻误差的影响,使得观测结果存在直流偏置的问题,提出了能消除直流偏置的带通滤波器法电压积分模型。针对电压积分型定子磁链观测器基本模型进行了误差分析,建立了带通滤波器法定子磁链观测器模型,分析了带通滤波器法定子磁链观测器能够消除直流偏置的原理,并给出了幅值和相位的误差补偿方法。对带通滤波器法定子磁链观测器进行仿真和实验表明:带通滤波器法定子磁链观测器解决了低通滤波器法中的直流偏置问题,消除了观测结果的直流偏置,对观测结果进行幅值和相位误差补偿后,观测的定子磁链与参考磁链波形一致。     

永磁偏置轴向磁轴承的磁悬浮机理与有限元分析

研究了一种永磁偏置轴向磁轴承,分析了结构和工作原理;利用等效磁路法进行分析,提出了利用控制磁通漏磁系数来计算内外磁极面积的方法,得出了轴向悬浮力的数学模型,并对数学模型进行了线性化处理,得出其位移刚度和电流刚度。给出了主要参数的设计方法,给出了样机参数,用有限元对样机进行了电磁场仿真验算。理论研究和仿真分析表明:该永磁偏置轴向磁轴承结构紧凑,控制方便;参数设计方法合理准确,消除了该型磁轴承由于结构原因所导致的内外轴向气隙磁密的差异。     

LT03制式磁头的优化设计

LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存,LTO3是第三代LTO产品,磁头为各向异性磁电阻磁头(AMR).本文应用田口方法对磁头的关键参数进行优化设计,如磁电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo的厚度和屏蔽层的参数,对各因素的影响作了定量分析,确定了影响磁头性能的关键因素,从而获得了最佳的设计参数,使磁头有较好的性...     

三种AMR磁头性能比较

各向异性磁电阻磁头(AMR)用于服务器磁带机上的数据储存,并不断推出更高性能的产品。本文分析与比较了Tandberg公司的三种各向异性磁电阻磁头(SLR7、SLR100、LTO2)的设计参数,详细地研究了磁头的关键功能测试参数,如读错误率(Read Error Rate)和Viterbi Distance(VD),从而对影响磁头性能的设计参数有了详细的了解。磁电阻材料NiFe和偏转磁场材料CoZrMo的厚度,对各向异性磁电阻磁头性能起着关键作用,直接影响磁头储存数据的能力。     

三种LTO磁头性能分析与比较

由惠普、IBM和希捷公司共同开发的线性磁带开放技术(LTO),自问市10周年以来,其驱动器发货量现已超过330万件,是现在服务器储存市场的主流产品。LTO制式产品的前三代产品均采用各向异性磁电阻磁头,本文详细地研究了三代LTO磁头的设计和关键功能参数,结果表明,写线圈的多种设计均能满足产品要求,磁电阻材料NiFe和偏转磁场材料CoZrMo的厚度是影响磁头性能的主要因素,磁头的性能随磁电阻材料NiFe的厚度的减小会有所下降。     

Discharge Current From Coated Wire to GMR Head

The giant magnetoresistive (GMR) head used in magnetic recording is an extremely sensitive device that is sensitive to electrostatic discharge (ESD). A generally available coated wire that is electrified on its surface can increase the potential of the copper core. When the wire is touched to the GMR head terminal, the discharge current can damage the sensor of the GMR head. Four types of wires were measured for three lengths each. Resin-coated wires were electrified from 20 V to more than 1 kV. The peak current discharging to the GMR head ranged from 100 mA to more than 1000 mA. A resin-coated wire as short as 5 cm was found to damage the GMR head. Among the wires examined herein, only the enameled wire is recommended to connect the GMR head because no charge or discharge currents were observed for this wire. When an ionizer is used to neutralize the tribocharge on the surface of the wire, the remaining charge in the copper core depends on the effectiveness of the neutralization process. A wire with an antistatic coating is required in order to reduce the ESD threat to sensitive devices such as the GMR head     

基于磁阻传感器的非接触式位移测量

针对塔机起重力矩监控器中高精度、非接触式的位移测量要求,选用Honeywell公司的磁阻传感器HMC1501实现了位移的精确测量。该磁阻传感器具有体积小,精度高,抗干扰能力强,可以实现非接触式测量的优点。并利用BP神经网络对磁阻传感器进行非线性补偿,提高了系统的测量精度、可靠性,而且降低了成本。     

Modeling Electrostatic Discharge Affecting GMR Heads

Electrostatic discharge (ESD) damage to giant magnetoresistive (GMR) heads is investigated using a charged device model tester. The sensor of a GMR head is easily affected by ESD during handling in production. Simulation of the picking procedure reveals that elevating such a small-capacitance device above the work surface increases the potential by up to ten times and the discharge current by up to five times. With 20-V initial potential, which could be applied by the picking tool, the elevation of a 5-pF capacitance by just 10 mm increases the potential to 200 V and the peak discharge current to 578 mA. In the case of a 1-pF capacitor, however, the potential and peak current remained low due to the effect of stray capacitance. In the case of a GMR head with 3.7-pF capacitance, a 5-mm lift reduced the initial potential causing ESD damage from 60 V to less than 40 V. Waveforms of discharge reveal that the GMR head can be designed to reduce the ESD risk.     

基于磁电阻传感器的地磁信号采集系统设计

针对磁电阻传感器输出的地磁信号微弱,设计了一种有效的模拟信号调理电路,并给出了一种地磁信号采集系统的软硬件解决方案.通过实验验证和分析,本采集系统具有低频特性好、信噪比高、体积小、功耗低的特点,可以应用于微弱地磁信号的检测与数据获取,有良好的可行性、实用性.     

巨磁电阻传感器的研究与应用

介绍了应用巨磁电阻效应的巨磁电阻传感器的工作原理、特性及研究现状,阐述了将其应用于母线电流的测量和其他一些智能化方法.该传感器具有体积小、抗恶劣环境、灵敏度高等优点,特别是其较好的静态特性,使其能够作为直流电流互感器使用.     

纳米磁性材料的研究进展

介绍了纳米微粒在纳米磁粉材料，纳米微晶软磁材料，纳米微晶稀土磁性材料，巨磁电阻材料和纳米磁致冷材料等领域的应用以及制备纳米微晶磁性材料的常用方法。     

直流配电网隧道磁电阻传感器外磁场干扰模型及其抑制方法研究

隧道磁电阻传感器作为新一代磁传感器,具有温度特性好、灵敏度高等优点,在电能计量中得到大量研究和应用。外磁场干扰是影响磁传感器测量准确度的重要因素,文中针对直流配电网电流测量场景,建立了隧道磁电阻元件传感器阵列的外磁场干扰模型,继而基于自适应滤波(LMS)分析的算法,提出了磁传感器最优结构参数,并通过数值分析和有限元仿真验证了该模型的有效性。研究结果表明,当被测电流在±50 ~±300 A之间、阵列半径与母排间距比例为1:2.5时,外磁场影响最小,通过自适应滤波算法可将磁传感器测量误差降到1%以下。