InSb磁敏传感器及其应用（中）

五、InSb磁敏电阻和传感器及应用 1、InSb磁敏电阻 与霍尔器件不同,InSb磁敏电阻像其它电阻器一样是一种纯电阻性两端元件,所不同的是它的电阻随磁场的变化而变化。根据图2中几何磁阻效应原理制造的InSb磁敏电阻的基本结构和电阻值与磁场的特性曲线如图10所示。 由图10(a)可见,一个长方体InSb材料被5条In短路条(它具有金属性质)分割     

InSb磁敏电阻器的开发

<正> InSb磁敏电阻器是利用半导体磁阻效应制成的一种磁敏元件。因为这种元件的基本结构是一种两端型结构,所以在各种应用中,特别是在电路布局中就比四端型霍尔元件有许多优越性。     

InSb磁敏传感器及其应用（上）

ＩｎＳｂ是一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，与其它半导体材料相比，具有较高的电子迁移率。因此，它不但适合制作霍尔器件和传感器，而且适合于制造磁敏电阻和传感器。本文简要介绍了ＩｎＳｂ材料的特点，磁敏感效应，各种霍尔器件、磁敏电阻和传感器的性能、结构、工作原理以及典型的应用。     

三维磁敏传感器的设计及误差分析

采用三维磁敏传感器有助于降低磁场测量系统的复杂性和提高磁场测量速度.介绍了基于霍尔元件的三维磁敏传感器的设计方法,分析了霍尔元件的粘贴角度偏差、传感器的体积对测量精度的影响,并对传感器的总体误差进行了估算,其分析结果对三维集成磁敏传感器的设计具有指导意义.     

薄膜磁阻齿轮传感器

齿轮传感器是Ni-Fe合金薄膜磁阻元件的一种重要的应用。本文介绍采用Ni-Fe合金薄膜的磁敏电阻元件制成的齿轮传感器的原理、结构、特点、技术参数和应用。     

2ACM型磁敏二极管——介绍一种新型磁电转换器件

一、磁敏二极管简介磁敏二极管是继霍尔元件和磁敏电阻之后发展起来的一种新型磁电转换元件。由于它有体积小、磁灵敏度高等优点,可广泛应用于磁场的检测、自动磁力探伤、工业自动化装置和电子技术以及国防工业的应用领域中。目前使用的半导体磁电转换元件只有霍尔元件及磁敏电阻。霍尔元体是根据霍尔效应原理制成的,这种元件的特点是它的输出     

“磁传感器及其应用技术”讲座 第四讲 磁敏电阻传感器(一)

一、概述磁敏电阻(Magnotoresor)是一种基于磁阻效应而制作的电阻体。它在外施磁场的作用下(包括外施磁场的强度及方向的变化)能够改变自身的阻值,是一种新颖的传感元件。它可分为半导体磁敏电阻及强磁性金属薄膜磁敏电阻两大类。半导体磁敏电阻的研制始于60年代初,在这方面联邦德国西门子公司较为权威,继而是日、美、苏、西欧等国。在60年代中期即有商品销售,因其和普通电阻一样,具有两个端子、结构简单、灵敏度高、安装方便等优点,其应用较为普遍。我国电子工业部某所在1974～1976年间,曾组织过半导体磁敏电阻的研制与应用。强磁性金属薄膜磁敏电阻是用强磁性合金材料制成的一种薄膜型的磁敏电阻器件,其作用原理是强磁性体的磁阻效应,它和半导体磁敏电阻不同,除对磁场     

磁阻传感器在转速测量中的应用

介绍了一种以磁阻传感器为磁敏元件,以单片机为控制核心的高精度转速测量方法。论述了测量系统工作原理、各硬件部分功能。传感器探头由激励线圈和磁阻传感器构成,输入的电流在激励线圈周围产生交变磁场,当齿轮转动时,激励线圈的磁场发生变化,位于线圈中央的磁阻传感器将其转变成电信号,在单片机的控制下进行放大处理和显示。该转速传感器具有准确度高、测量范围宽、安装调试方便等优点。     

轮胎气压传感器设计

设计了一种霍尔式轮胎气压传感器，用于为汽车轮胎气压自动监测和报警系统提供轮胎气压输入信号。该传感器由机械式压力传递机构和磁性与磁敏元件组成，能以非接触方式将轮胎气压信号传至车体。介绍了传感器的结构特点、工作原理和主要部件的设计计算方法。     

半导体磁敏电阻和传感器

ＩｎＳｂ磁敏电阻元件用磁敏电阻传感器是一种新型的，重要的磁敏元件和传感器。首先，简要介绍了ＩｎＳｂ磁敏电阻元件和磁敏电阻传感器的工作原理，结构，性能等；分别介绍磁敏电阻传感器，磁性墨水文字图形识别传感器，齿轮传感器，磁性编码器，直线位移传感器，齿轮传感器，磁性编码器，直线位移传感器，无接触电位器等工作原理，结构，主要技术性能和应用。     

InSb磁阻元件与传感器的进展

InSb磁敏电阻及传感器是磁敏元件与传感器的主要品种之一。对这类元件及传感器的工作原理、结构和性能等分别作了简要介绍。其中有分立型磁敏元件,磁敏无接触电位器、旋转传感器、精密小角度角位移传感器、直线位移传感器、压力传感器和图形识别传感器等。除介绍主要技术性能之外,还简要介绍了它们的应用实例。     

“磁传感器及其应用技术”讲座：第七讲 磁敏晶体管传感器（一）

磁敏晶体管分为磁敏二极管和磁敏三极管两类。它们都属于PN结型器件,其电特性随外施磁场的改变有显著的变化。磁敏二极管出现于60年代末期,磁敏三极管出现于70年代,现我国皆有生产与应用。由于它们具有体积小、灵敏度高(比霍尔器件约高百倍左右)、使用简单等优点,故作为磁传感器可用来检测磁场、电流、位移、液位、加速度、角度等参数,也可以用其构成无刷直流电机和各种非接触开关等。一、磁敏二极管磁敏二极管简称MD,目前可分为磁性整流器(CMD)和磁敏二极管(XMD)等。由于CMD的灵敏度     

“磁传感器及其应用技术”讲座 第二讲 霍尔传感器(一)

一、霍尔器件霍尔器件是人们发现最早的一种磁传感器,1879年美国人霍尔在研究电动机原理时发现了霍尔效应,1910年就有人用铋制成了霍尔器件并用它来测量磁场。但是,由于金属中的霍尔效应很弱,当时并没有引起人们的重视。1948年后,由于半导体技术的迅速发展,人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料-锗(Ge),接着,又在1958年前后,人们对化合物半导体——锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等进行了大量的研究,并制成了各种霍尔器件,这时霍尔器件及用其组成的各种磁传感器,测试仪表才得以广泛的应用,受到了应有的重视。近年来,随着半导体工艺的发展,霍尔器件的性能又有了较大地提高,目前已发展到薄膜化、集成化的阶段。因此用霍尔器件构成的各种传感器已在磁场检测、仪器仪表及自动控制等领域中得到了广泛的应用。     

准全方位InSb-In磁阻式振动传感器

本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器.其半导体磁头由位于上下方的两对方向垂直的InSb-In磁敏元件构成,将检测方位范围由一维空间扩展到现在的二维空间.经实测,磁头上方的磁敏元件灵敏度大于下方元件,输出信号相位差在00～1800之间,信噪比在30dB～32dB范围内.当温度-400C～800C之间变化时,信号处理电路输出稳定可靠.     

磁致伸缩力传感器输出特性及其影响因素分析

为揭示磁致伸缩力传感器的物理机制,研究了磁致伸缩传感器输出电压与核心元件磁特性的关系。基于磁致伸缩材料的逆磁致伸缩效应,使用片状Fe-Ga和Fe-Co合金设计一种新型的力传感器,根据霍尔效应原理和Jiles-Atherton模型推导了力传感器输出电压模型,通过传感器输出特性测试平台对传感器输出特性进行测试,实验结果表明在偏置磁场6kA/ｍ、 外力2N时,Fe-Ga合金力传感器的最大输出电压为112mV,Fe-Co合金力传感器最大输出电压为58mV,与输出电压模型具有较好的一致性,从物理机制层面上分析磁致伸缩力传感器输出电压的影响因素,确定力传感器的输出电压主要由偏置磁场、外力、以及传感器核心元件磁致伸缩(λ/ λｓ)和Ms/ λｓ1/ 2决定,并且传感器的输出电压与(λ/ λｓ2)１/2成正比,与(Ms/ λｓ１/2)成反比,揭示了磁致伸缩力传感器输出特性的物理机制。     

霍尔开关集成电路在顺序控制器中的应用

<正> 霍尔开关集成电路(简称霍尔电路)是南京半导体器件总厂生产的一种新型的集成化磁敏器件,它是根据半导体硅材料的霍尔效应制成的.作为磁电转换器件的霍尔电路由霍尔元件、差分放大器、施密特触发器和输出器四部分组成,共原理方框图和输出特性曲线如图1所示.霍尔电路主要应用于无触点开关、位置传感、旋转传感和自动检测等方面.     

磁敏Z元件位移传感器的研究

研制出一种新型磁敏Z元件位移传感器。并对磁敏Z元件的伏安特性和磁敏特性进行研究,给出了实验结果。设计了由信号采集、数据处理以及数字显示等电路构成的系统,实现了位移量的测量。由于Z元件的特殊性质,其应用电路较为简单。     

鉴别纸币真假的数码化InSb 传感器的研制

本文叙述了以磁阻效应为工作原理的InSb磁敏传感器的设计和制造 ,它具有非接触、数码化、重量轻、分辨率高及使用寿命长等优点 .通过检测和使用完全符合新人民币检测要求 ,是国内首创     

集成霍尔传感器的发展

首先总结了100多年来霍尔效应应用的三个阶段，然后介绍各种集成霍尔元件、集成霍尔传感器的原理、结构、特性和应用最后论及到当前新型的量子、等离子霍尔传感器。对霍尔传感器的发展趋势和特点进行了总结。     

无触点磁敏电位器自动测试仪研制 ‘

无触点InSb磁敏电位器是利用半导体磁阻效应制成的非接触式传感器,它具有无接触摩擦、分辨率高、寿命长等优点,可广泛地用作角度传感器、直线位移传感器、压力传感器、倾斜角传感器等.天津大学王文生教授等在国内率先研制成功无触点InSb磁敏