红外增透保护膜系软件设计及应用

根据制备红外增透保护膜系需要 ,编制了一个红外增透保护膜系软件。该软件可以设计、计算多层红外均匀增透保护膜系和非均匀增透保护膜系 ,更有强大多层膜系结构分析功能 ,不仅可以对设计的膜系进行综合评价 ,而且能对制备的膜系结构进行分析。实验结果表明 ,该软件对膜系设计和为制备工艺的改进能提供良好的指导     

红外墙透保护膜系软件设计及应用

根据制备红外增透保护膜系需要,编制了一个红外增透保护膜系软件。该软件可以设计、计算多层红外均匀增透保护膜系和非均匀增透保护膜系,更有强大多层膜系结构分析功能,不仅可以对设计的膜系进行综合评价,而且能对制备的膜系结构进行分析。实验结果表明,该软件对膜系设计和为制备工艺的改进能提供良好的指导。     

基于8-11μm红外窗口系统中减反射与保护膜的研制

随着现代军事空间技术的快速发展,对红外探测器的要求越来越高。同时,对红外光学元件的要求也越来越苛刻。主要研究了硫化锌(ZnS)基底表面减反与保护膜的制备技术,采用介质膜与硬膜复合方法,通过对不同材料的对比分析,最终选取碳化锗(Ge1-xCx)材料作为介质膜与DLC 类金刚石保护膜的过渡层。利用电子束与离子源辅助沉积技术制备介质膜;磁控溅射技术制备过渡层碳化锗;化学气相沉积技术制备DLC 类金刚石保护膜,解决了介质膜与类金刚石保护膜应力匹配的问题,并通过对多种沉积工艺的整合,得到了一套稳定的工艺制备流程。最终在硫化锌基底上制备出的减反射与保护膜平均透过率达到92%,硬度符合要求。     

AC PDP介质保护膜的制备方法

本文分析了ＡＣＰＤＰ保护膜对制备方法的特殊要求，描述了各种制备方法的优缺点，介绍了几种最近发展起来的新方法。提出了几种适用于ＡＣＰＤＰ保护膜制备的方法。     

AC PDP保持保护膜的制备方法

本文分析了ＡＣＰＤＰ保护膜对制备方法的特殊要求，描述了各种制备方法的优缺点，介绍了几种最后发展起来的新方法。提出了几种适用于ＡＣ ＰＤＰ保护膜制备的方法。     

基于高温制备的氧化钙镁复合薄膜光电特性研究

采用电子束蒸镀工艺制备氧化钙掺杂氧化镁复合介质保护膜并深入分析了制备温度对该复合保护膜透过率及二次电子发射效率的影响。实验表明,高温制备能够使复合薄膜表面形貌更为致密,结晶粒径增加,薄膜的透过率和发光效率提高。当制备温度为300℃时,复合薄膜的形貌更为致密平整,裕度从25V增加到32V,发光效率从1.70lm/W提高到1.91lm/W,提高了12.35%。     

FPC用耐高温保护膜的制备和应用研究

耐高温保护膜在FPC应用领域占有相当重要的地位。文章研究了聚合工艺、交联单体、促进剂和固化剂对压敏胶剥离强度和耐温性能的影响。制备了一种能够耐受180℃高温、90°剥离强度值适中的耐高温压敏胶。此胶可以广泛应用于FPC耐高温保护膜。     

热处理工艺对AC PDP中MgO保护膜性能的影响

保护膜的表面特性严重影响ＡＣ ＰＤＰ的性能,本文以电子束蒸发法制得的ＭｇＯ保护膜为例,有关热处理条件对保护膜表面基本特性,如结晶结构,表面形貌及成分等的影响进行了研究。     

非晶态碳膜在红外光学零件上的应用

非晶态碳膜具有许多接近于金刚石的、令人感兴趣的性能,能很好地用作红外零件上的保护膜和增透膜。本文叙述了非晶态碳膜的制备及光学性能等。     

PDP介质保护膜材料的研究进展

由于AC PDP介质保护膜与放电气体直接接触,因而对PDP的工作特性如工作寿命、发光效率、发光亮度、着火电压及放电时间延迟等有重要影响,其性能的提升对提高AC PDP的工作特性有重要意义。本文综述了介质保护膜材料的最新发展状况,包括五种掺杂MgO保护膜和两种新型材料的介质保护膜,并将其发光效率、发光亮度、维持电压、记忆系数等工作特性同传统MgO保护膜进行了对比、分析。     

保护膜材料对AC PDP放电特性的影响

利用所研制的模拟AC PDP放电特性测量装置，对（CaSr)O,(MgSr)O等不同材料形成的保护膜对AC PDP放电特性的影响进行了研究，确定了新颖膜材料的选择方向，探索了使用高发射性能保护膜材料所必须解决的问题，研究结果表明，用（CaSr)O等混合氧化物制成的保护膜的AC PDP具有比单一氧化物低的工作电压和好的老化特性，但工作电压稳态范围却较窄。研究结果还表明氧化物混合的比例不同，ACPDP的工作电压和稳态范围不同，大约在CaO(或MgO)与SrO的重量比达到1：3时，器件的工作电压最低。     

X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究

促使物相尽可能地向Pt2Si和PtSi 转化,是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射（ XRD）、X射线光电子能谱（XPS）微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察,研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体（N2和H2）退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明,氢气气氛退火能提高薄膜质量;真空退火可以减少氧元素对成膜的影响。     

介质保护膜对AC-PDP放电特性影响测量装置的研究

本文提出并采用了测量ＡＣ ＰＤＰ放电特性和加速老化特性来探求保护膜发射和稳定性能的间接测量方法,研制了模拟ＡＣ ＰＤＰ放电特性测量装置。该装置驱动电源、放电室及真空系统组成,能够模拟ＡＣ ＰＤＰ的工作条件和过程,不仅可用来测量不同材料和不同方法、工艺制成的保护膜对ＡＣ ＰＤＰ工作电压、寿命等的影响,还可用来测量ＡＣ ＰＤＰ放电单元内所充气体的种类,气体混合比例、压力以及放电间隙的距离等参数对ＡＣ     

硫系玻璃薄膜封装层对OLED寿命的影响

在高真空条件下(3×10-4Pa),利用硫系玻璃(Se,Te,Sb)薄膜封装材料对有机电致发光器件(OLED)进行原位封装,有效避免了传统封装方法难以避免的水、氧危害,以达到延长器件寿命的目的。实验对比了正常封装与增加Se、Te、Sb薄膜封装层后器件的性能,对比实验中封装过程都未加干燥剂。研究发现Se、Te、Sb薄膜封装层分别可以使器件的寿命延长1.4倍,2倍,1.3倍以上;采用封装层对器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能几乎不产生影响,但影响了器件散热,薄膜封装层使器件的击穿电压、最高亮度等参数稍有下降。     

PECVD淀积Si3N4作为光刻掩膜版的保护膜

采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命.分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件.实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比.结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上.     

Channel Protection Layer Effect on the Performance of Oxide TFTs

We have investigated the channel protection layer (PL) effect on the performance of an oxide thin film transistor (TFT) with a staggered top gate ZnO TFT and Al‐doped zinc tin oxide (AZTO) TFT. Deposition of an ultra‐thin PL on oxide semiconductor films enables TFTs to behave well by protecting the channel from a photo‐resist (PR) stripper which removes the depleted surface of the active layer and increases the carrier amount in the channel. In addition, adopting a PL prevents channel contamination from the organic PR and results in high mobility and small subthreshold swings. The PL process plays a critical role in the performance of oxide TFTs. When a plasma process is introduced on the surface of an active layer during the PL process, and as the plasma power is increased, the TFT characteristics degrade, resulting in lower mobility and higher threshold voltage. Therefore, it is very important to form an interface using a minimized plasma process.     

基于敏感薄膜的F-P光纤温度传感器的高温特性

根据薄膜型光纤温度传感器的感温原理及光学薄膜的应力特性,利用膜层干涉的特征矩阵分析了传感元件的传感特性,建立了薄膜型光纤温度传感器的热应力特性及其对传感特性影响的理论模型。通过对薄膜和光纤的热光效应和热膨胀特性的分析,对比了蓝宝石光纤、纯硅芯光纤和普通多模光纤三种光纤基底的热应力-温度特性,设计了高温传感器传感探头的薄膜膜系,分析了膜系中每层膜的热应力-温度特性,以及临界载荷应力特性,确定所选光纤基底脱膜的临界应力值。通过模拟不同应力作用下的光谱传感特性,为传感器薄膜敏感探头的稳定性和可靠性提供理论依据和支持,提高传感器研制的效率。     

高强度激光对光学薄膜的破坏

在薄膜破坏中起主要作用的是个别的脉冲尖峰。分析了薄膜结构对薄膜受破坏的影响,以及SiO_2保护膜在提高ZrO_2/SiO_2膜的抗激光强度中的作用。     

The Operation Characteristics of an Alternating Current Plasma Display Panel With Si-Doped MgO Protecting Layer

In this paper, the operation characteristics of an ac plasma display panel (PDP) with Si-doped MgO protecting layer are investigated. The test panels are fabricated with the protecting layers of conventional MgO and Si-doped MgO, and the operation voltage margin, luminous efficacy, and address discharge time lag are observed. Even though the test panel with Si-doped MgO protecting layer showed lower operation voltages, higher luminous efficacy, and shorter statistical discharge time lag, its addressing discharge characteristics become deteriorated as the scanning time is increased from the end time of the reset period. The photon-induced surface conductivity increased by Si doping into MgO, and surface charges on the Si-doped MgO protecting layer showed faster decay characteristics compared to those on the conventional one. It is believed that the impurity doping into the protecting layer can improve the short-period characteristics of an ac PDP, but the long-term stability of surface charge retention is deteriorated.