微处理器与DSP

内嵌FRAM的8051MCU Ramtron International发布一款嵌入了非易失性FRAM存储器的8051MCU—VRS51L3074。Ramtron将FRAM加入其Versa8051系列产品中,以实现设计高速及高可靠性的非易失性数据存储和     

VRS51L3074：8051MCU

Ramtron International推出嵌入非易失性FRAM存储器的8051MCU VRS51L3074。该器件8KB真正的非易失性随机存储器映像到VRS51L3074的XRAM存储寻址空间上，充分发挥其快速读写以及读写寿命无限的特点。单周期8051处理器内核可以提供高达40MIPS的吞吐量，并且与标准8051s指令兼容。     

Ramtron推出内嵌FRAM的增强型8051MCU 突破性的非易失性数据存储/处理系统

非易失性铁电存储器(F R A M)和集成半导体产品供应商RamtronInternational发布第一款嵌入了非易失性F R A M存储器的8051MCU—VRS51L3074。Ramtron将FRAM加入于其高速灵活的Versa8051系列产品中,以实现设计高速及高可靠性的非易失性数据存储和处理系统,而该系统只有嵌入了F R     

浅述嵌入式FRAM存储器MCU

铁电存储器（FRAM）作为非易失性的存储器，现正越来越受到更多设计工程师的欢迎。随着存储器技术渐趋成熟，已由独立的形式转变为嵌入式，市场对嵌入式FRAM的兴趣也越来越浓。为了适应这个趋势，Ramtron公司推出了VRS51L3074，嵌入了8KBFRAM。而本文将描述嵌入式FRAM的应用实例。     

浅述嵌入式FRAM存储器的MCU

铁电存储器(FRAM)作为非易失性的存储器,现正越来越受到更多设计工程师的欢迎.随着存储器技术渐趋成熟.已由独立的形式转变为嵌入式.市场对嵌入式FRAM 的兴趣也越来越浓.为了适应这个趋势,Ramtron公司推出了VRS51L3074,嵌入了8KB FRAM.而本文将描述嵌入式FRAM的应用实例.     

RAMTRON推出能直接替换标准工业级8051的产品VRS51L3174

Ramtron International Corporation宣布推出VRS51L3174这款基于8051微控制器,带有8KB非易失性FRAM内存,工业标准的44脚QFP封装,可以简便的实现器件升级。Ramtron已将FRAM加入于其高速灵活的Versa 8051s中,以支持高速及可靠的非易失性数据存储和处理系统,而该系统只有FRAM- Enhanced(增强型)MCU才能提供。     

RAMTRON 2KB铁电存储器微控制器

Ramtron公司推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器（MCU）-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到Versa8501产品中进行非易失性数据存储与处理系统，适合传感器、计量仪表、工业控制、医疗设备等应用。VRS51L3072将2KBF-RAM与完全集成的高性能系统级芯片相结合，特性包括40MIPS单周期8051内核、     

Ramtron向全球发布其高速8051内核MCU VRS51L2070

非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品供应商及开发商Ramtron international向全球发布其高速的8051内核MCU-VRS51L2070。高达40MIPS的速度和诸如DSP计算等丰富功能使得8位MCU在功能和速度上都能赶超16位MCU。     

Ramtron发布高速8051内核MCUVRS51L2070

非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品供应商及开发商Ramtron International向全球发布其高速的8051内核MCU—VRS51L2070。高达40MIPS的速度和诸如DSP计算等丰富功能使得8位MCU在功能和速度上都能赶超16位MCU。     

Ramtron瞄准亚洲市场发展

非易失性铁电存储器（FRAM）供应商Ramtron近日发布其亚太区的半导体业务扩展战略，以及持续发展的最新部署。同时，Ramtron还宣布推出了半导体业界首款4Mb非易失性FRAM存储器，成为了推动该公司在区内继续增长的主要元素。     

Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器

世界项尖的非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封（TSOP）的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在管脚上兼容，适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。FM22L16以德州仪器先进的130nmCMOS制造工艺为基础，在标准CMOS逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅增加了两个掩模步骤。[第一段]     

Ramtron推出Versa Mix8051系列高集成度混合信号微控制器

世界顶尖的非易失性铁电半导体产品供应商Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051系列（VMX51C1xxx）混合信号微控制器，这是一种针对嵌入式数据采集市场的单芯片解决方案，可用于工业、医疗、消费电子、仪表和汽车市场等各种不同的信号调节、数据采集、处理和控制应用。Ramtron还同时提供Versa 8051系列（VRS51x1xxx/5xx），这是低成本、符合业界标准并以8051为基础的插入式MCU，     

FRAM在医疗领域和智能电表中的应用及发展

1 FRAM的产品定位和优点FRAM(铁电随机存取存储器)是一种使用铁电膜来保存数据的非易失性铁电存储器。这种存储器具有非易失性和随机存取的特性,非易失性意味着即便关闭芯片的电源,存放在存储器里的数据也能保存下来。     

RAMTRON发布带高速串行接口的全新FRAM-ENHANCED PROCESSOR COMPANION系列产品

非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出FM33x产品系列,这是带高速串行接口(SPI)的全新FRAM-Enhanced Processor Companions系列。FM33x系列在小型封装中整合了非易失性RAM的所有特性,还包含全面广泛的高度集成支持     

RAMTRON宣布为4兆位并口非易失性F—RAM存储器提供FBGA封装选择

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA封装的49 Mb F—RAM存储器。FM22LD16是采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并口非易失性FRAM,具有高访问速度、几乎无限的读／写次数以及低功耗等优点。     

Ramtron举办铁电行业技术研讨会

铁电行业厂商Ramtron和其亚洲区总代理北天星将于4月份联手在国内5个城市(北京4／4,上海4／10,深圳4／12,西安4／24,成都4／26)举办非易失性铁电存储器(FRAM)和MCU全国巡回研讨会。此次研讨会将深     

Ramtron开始提供MaxArias无线存储器商用样片

Ramtron宣布,已经开始提供基于F-RAM的MaxArias无线存储器商用样片。Ramtron的MaxArias系列无线存储器将非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性等特性与行业标准无线存取功能相结合,     

铁电存储器在存储测试系统中的应用

为了实现环境试验的存储测试系统,采用了FRAM存储器M28W640结合SOC片上系统C8051F340的设计,通过分析其性能和接口电路,编写了相应的读写程序。由于这种并行非易失性存储测试技术方式具有高速读写、超低功耗、几乎无限次擦写,读写程序编写简便的优点,非常适合在此类存储测试系统中使用。     

Atmel推出低于3美元的ARM7闪存微控制器

非易失性铁电半导体产品供应商Ramtron公司宣布推出Versa Mix8051系列（VMX51C1xxx）混合信号微控制器．这是单芯片的解决方案．可用于工业．医疗、消费电子、仪表和汽车市场等各种不同的信号调节、数据采集、处理和控制应用。Ramtron还同时提供Versa 8051系列（VRS51X1xxx／5xx）的低成本．符合业界标准并以8051为基础的插入式MCU．带有高达128KB ISP／IAP闪存．专为简化设备的转移而设计     

Ramtron提升FRAM存储器容量至4Mb

由于具有非易失、快速存取、低功耗、可无线擦写等特点, FRAM(铁电存储器)在业内素有完美存储器的称号,并已在要求严格的汽车、测量、工业及计算等领域中实现了商业化应用。近日, Ramtron公司推出业界首个4Mb FRAM存储器FM22L16,其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。