行业人士看好汽车功率半导体5-10倍空间提升

在近日举行的SEMICON China大展的功率与化合物半导体国际论坛上,闻泰科技副总裁吴友文演讲中表示,“电动车需求将驱动汽车功率半导体5到10倍的行业空间提升”。新能源汽车的未来是“行驶里程延长、充电时间缩短,电池容量更大”,第三代化合物功率半导体将是实现该项目标的关键性因素。在“十四五”规划纲要中,“集成电路”领域特别提出了碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体要取得发展,再一次将第三代化合物半导体推向了聚焦的中心。     

西门子和英飞凌成立合资公司 瞄准功率器件

英飞凌（Infineon）正在计划和SiemensPowerTransmissionandDistribution（PTD）成立合资公司，为高压直流（HVDC）功率传输线开发高功率闸流管。英飞凌的一位发言人表示，此次合作协议将在近日签署。新公司将包括英飞凌在德国Warstein和匈牙利Cegled的两家功率半导体生产线。[第一段]     

功率半导体将迎来爆发之年

按器件结构划分，功率半导体可分为功率集成电路与功率分立器件两类。功率半导体与半导体芯片一样具有重要价值，在国民经济和社会生活中具有不可替代的关键作用。据国际权威机构预测，2011年功率半导体在中国市场的销售量将占全球市场的50％，每年接近200亿美元，中国不久就将成为全球第一大功率半导体市场。然而，     

功率半导体封装外包业务将迅速增长

功率半导体封装领域在业界一直没有很大的吸引力,也从未能产生大量利润。然而,所有这些可能都会很快改变,特别是在需要高成本新封装方式的高端功率半导体产品领域。 在新的经济复苏过程中,许多类型功率半导体封装产品的需求都将急剧增长。对于能够抓住这些机会的封装厂商,这将会为他们带来较高的收入。随着业务改善,以及模块和分立功率半导体制造商寻求更多的外部合同封装厂商,功率半导体封装市场将会成为外包市场中的下一个热点。     

半导体功率电子器件技术与产业专题研讨会将于今年8月23日在北京召开

为促进我国半导体功率电子器件科学和技术、产业、市场的发展和进步,由中国半导体行业协会主办,半导体分立器件专业分会和深圳市亚科希信息顾问有限公司承办的“半导体功率电子器件技术与产业研讨会”将于今年8月23日在北京召开。这次专题研讨会是对近年来我国在半导体功率电子     

三菱电机合肥功率半导体厂正式投产

三菱电机在合肥兴建的功率半导体生产工厂于今年初投产,此举可将在中国生产的功率半导体数量逐年提升,至2015年时增加一倍,以应对越来越大的功率半导体市场。     

英飞凌和博世签订功率半导体合作协议

英飞凌科技股份公司和博世集团将双方的合作范畴扩展至功率半导体。 此次合作有两个重要内容：首先，博世将从英飞凌获得功率半导体制造工艺的许可——尤其是低压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）以及必要的制造工艺。其次，双方的合同还包括一个第二货源协议。目前，博世在罗伊特林根已拥有自己的半导体工厂，     

功率半导体热参数的测量

本文提供一些关于功率半导体热量参数及其测量和使用的基本知识。有了这些知识,读者能将更好理解功率半导体热参量并且能过回答一些关于热参数和功率的问题。     

英飞凌和博世签订功率半导体合作协议

2009年3月27日，德国Neubiberg和斯图加特讯——英飞凌科技股份公司（FSE／NYSE：IFX）和博世集团将双方的合作范畴扩展至功率半导体。此次合作有两个重要内容：首先，博世将从英飞凌获得功率半导体制造工艺的许可——尤其是低压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）以及必要的制造工艺。其次，双方的合同还包括一个第二货源协议。目前，博世在罗伊特林根已拥有自己的半导体工厂，英飞凌也将采用该厂的工艺为博世生产和供应元件。     

节能减排的基础技术-功率半导体芯片

功率半导体作为半导体行业的一个重要分支,大量应用于消费类电子、工业控制和国防装备,是节能减排的关键技术和基础技术。本文结合我国功率半导体市场需求,概要介绍了功率半导体发展的技术趋势以及面临的挑战和发展前景。同时根据我国功率半导体技术的发展现状,对未来我国功率半导体领域的发展方向和重点发展技术做了展望与建议。     

陕西投资50亿元建立西安半导体产业园

日前,投资50亿元的“西安半导体产业园”在西安高新区签约。该项目建成后以半导体照明、太阳能光伏和半导体功率器件3条产业链为主,将实现年销售收入140亿元。该项目由陕西电子信息集团有限公司投资,根据规划,“西安半导体产业园”项目建设期为五年半,产业园先期启动建设项目规划用地约23万平方米,将于2009年上半年启动建设,一期投资约20亿元,建设期2年。园区除半导体照明、太阳能光伏和半导体功率器件3条产业链之外,     

恩智浦打造完善的TD-LTE LDMOS产品组合

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出全新Gen8+LDMOSRF功率晶体管,作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。恩智浦半导体大中华区无线通讯及射频业务总经理陈平路表示,随着中国开始铺设全球最大4G网络,Gen8+的推出将巩固恩智浦TD-LTE产品组合(目前颇完善的TD-LTE LDMOS产品组合)的地位,并且显著提升性能、灵     

三代半导体功率器件的特点与应用分析

以S i双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献。近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。人们寄希望于宽禁带半导体功率器件来解决第一代、第二代功率器件的输出功率低、效率低和工作频率有局限性以至于无法满足现代雷达、电子对抗和通信等电子装备需求等方面的问题。文中简要介绍了半导体功率器件的发展背景、发展过程、分类、特点、应用、主要性能参数和几种常用的半导体功率器件;重点叙述了宽禁带半导体功率器件的特点、优势、研究进展和工程应用;对宽禁带半导体功率器件在新一代雷达中的应用前景和要求进行了探讨。     

蔚华科技携手高功率半导体测试专家ShibaSoku抢攻大中华区车用电子测试市场

<正>《电子工业专用设备》讯,半导体测试解决方案专业品牌蔚华科技宣布结盟日系高功率半导体测试厂商ShibaSoku,双方将透过蔚华快速打进大中华市场,扩大功率半导体测试市场占有率。蔚华科技表示,随着中国车用电子、电动车、节能电器等产业发展趋势而快速成长的IGBT测试需求,ShibaSoku提供高精准度及可靠度的测试解决方案,有助于客户产品开发流程更加顺利,并在中国积极发展的电动车及节能等发酵议题中抢占先机。未来蔚华将配合ShibaSoku的技术,凭借其良好的工程能力和产业链完整解决方案能力,共     

第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展（广州）论坛

<正>为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐，推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高，加快其成果转化和应用推广，增强自主创新能力。由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的“第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会”于2023年11月23～25日在广州召开。本会议是继厦门、昆明、长沙、苏州、深圳、成都、重庆、无锡成功举办后，我国半导体功率器件及应用领域又一次重要的学术、技术交流活动，将为广大从事新型半导体功率材料、器件及其应用技术工作者提供一个高起点、     

快捷半导体与清华大学签署重要合作协议 合作建立快捷半导体在中国的第一个集成电路研发实验室

高性能系统功率最佳化产品供货商快捷半导体公司　(Fairchild　Semiconductor)　与中国著名学府清华大学签订了一项策略性多边合作协议。这项策略性的协议内容包括快捷半导体已在中国成立第一个集成电路研发实验室。 依照该协议,快捷半导体已在北京和上海分别设立了集成电路研发实验室,并聘请毕业于清华大学的设计工程师,负责在实验室中开发和设计新的半导体产品,全力支持快捷半导体为多元终端市场提供系统功率最佳化方案的策略。他们的工作同时包括开发标准产品和特定应用产品,与公司的整体策略相辅相成。作为功率专家,快捷半导体将全力…     

第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会

<正>为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐,推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高,加快其成果转化和应用推广,增强自主创新能力,由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的"第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会"于2019年11月22—24日在广东深圳召开。本会议是继厦门、昆明、长沙、苏州成功举办后,全国新型半导体功率器件及应用领域又一次重要的学术与技术交流活动,将为广大从事新型半导体功率材料、器件及其应用技术的工作者提供一个高起点、大范围、多领域的沟通平台,增进产、学、研之间的技术交流,相互学习,共同提高。为此,会议组     

SiC和GaN功率半导体竞争激烈

正与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加,同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功率半导体方面,在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013     

业界要闻

2003年全球半导体市场增长20％中芯国际张汝京对中国市场充满信心 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司CEO张汝京日前表示,2003年全球半导体市场将出现20％的增长,而未来中国内地将成为全球半导体市场增长的主要力量。 张汝京乐观地表示,虽然2001年全球半导体市场较2000年大幅衰退25％,但预测2002年将与2001年相当,而2003年将可重新出现20％的大幅增长。 中国半导体市场方面,张汝京表示,2002年中国内     

飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议

飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrenchR非对称结构功率级双MOSFET模块是飞兆半导体全面广泛的先进MOSFET产品系列的组成部分,为电源设计人员提供了适用于关键任务的高效信息处理设计的全面解决方案。