一种半岛型结构谐振梁压力传感器

提出了一种新型结构压力传感器 ,器件由上下两硅片键合而成 ,上硅片制作半岛型结构氮化硅谐振梁 ,下硅片制作矩形压力膜。应用有限元软件对器件结构及灵敏度进行了计算机模拟分析 ,器件利用MEMS技术研制并采用电热激励压阻拾振方式进行了测试。实验及理论模拟分析结果证实新型结构可以大大提高压力传感器灵敏度     

一种半岛型结构谐振梁压力传感器

提出了一种新型结构压力传感器,器件由上下两硅片键合而成,上硅片制作半岛型结构氮化硅谐振梁,下硅片制作矩形压力膜.应用有限元软件对器件结构及灵敏度进行了计算机模拟分析,器件利用MEMS技术研制并采用电热激励压阻拾振方式进行了测试.实验及理论模拟分析结果证实新型结构可以大大提高压力传感器灵敏度.     

硅十字梁单块力传感器

本文介绍一种用硅材料制成的十字梁力传感器,它的各主要结构部分是通过微加工技术在同一硅片上得到的。具有灵敏度高、温漂小,成本低、一致性好等优点。本文对器件进行了结构分析、应力计算,得到了各结构参数对器件灵敏度的影响,并在理论分析的指导下制作了高灵敏度的力传感器样品,最高灵敏度可达340mV/10g,适用于小量程范围力的测量。器件还具有过载保护结构。     

带有静电自检测功能的高灵敏度加速度传感器

研究了一种带有自检功能的在平面内自限制压阻式加速度传感器．为实现该加速度传感器，提出了一套新的体硅微机械工艺，使用普通硅片取代SOI硅片来制作器件．传感器采用在深槽侧壁（悬臂梁弯曲的表面）制作压阻的方法，灵敏度比在硅表面上制作压阻的传统器件高近一倍．传感器利用集成在内的静电驱动器，实现电自检测功能．     

带有静电自检测功能的高灵敏度加速度传感器

研究了一种带有自检功能的在平面内自限制压阻式加速度传感器.为实现该加速度传感器,提出了一套新的体硅微机械工艺,使用普通硅片取代SOI硅片来制作器件.传感器采用在深槽侧壁(悬臂梁弯曲的表面)制作压阻的方法,灵敏度比在硅表面上制作压阻的传统器件高近一倍.传感器利用集成在内的静电驱动器,实现电自检测功能.     

一种新型的双桥式压力传感器的研究

本文提出了一种新型的双桥结构压力传感器两个灵敏度不同的敏感电桥被制作于同一芯片上，通过双桥间的线补，可有效地消除压力传感器的零位和灵敏度温漂。文中给出了具体的算法及相应的实验结果２。     

新型MOS晶体管式压力传感器

在应力作用下，MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化。基于MOS晶体管的这种力敏效应，采用晶体管和电阻构成压敏电桥，提出了一种新型的MOS晶体管式压力传感器。该器件在与目前最常用的压阻式压力传感器相比，继承了其制作工艺简单、稳定性和线性度好等优点，大幅提高了传感器灵敏度并降低了功耗，使得器件性能得到整体提高。     

本征法布里-珀罗腔光纤压力传感器理论研究

建立了光子晶体光纤(PCF)型本征法布里-珀罗(F-P)腔光纤压力传感器压力响应理论模型,讨论了各参数对压力响应灵敏度的影响,给出了Matlab程序理论模拟结果。鉴于PCF焊接工艺的困难,提出了利用外径不同的单多模光纤熔接构成的改进型单多模光纤复合本征F-P腔光纤压力传感器结构,建立了压力响应理论模型,分析了提高压力响应灵敏度的关键参数,并模拟了光纤外径对压力响应灵敏度的影响。通过对两种本征F-P腔光纤压力传感器的比较分析看出,改进型结构无论在压力响应灵敏度还是制作难易度方面都颇具优势。     

碳纳米管场发射压力传感器结构设计与测试

研制出了碳纳米管场发射压力传感器。在结构设计中提出了场发射压力传感器台阶双层阳极变形膜结构，计算机模拟证明，这种结构具有大量程与高灵敏度的优点。同时对这种结构的形变特性进行了实验测试，为传感器结构的整体尺寸设计提供了依据。最后对这种新型传感器的性能进行了测试，表明传感器的灵敏度为0．22μA／kPa(5kPa-101kPa)。     

新型真空微电子压力传感器特征研究和实验制作

本提出并研究了新型的“台阶阴极”和“曲面阴极”真空微电子压力传感器．与普通的真空微电子压力传感器相比，新型传感器的阴极发射电流大大提高，使得输出信号易于检测，抗噪声能力增加，并在改善输出信号线性、提高灵敏度和扩展量程方面有很大优势。本给出了计算机模拟结果，简述了台阶阶陈列阴极和阳极压力敏感膜的制作，并展示了ＳＥＭ照片。