LPE GaAs／Ga1—xAlxAs多层光阴极材料均匀性研究

用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第三代光阴极。     

LPE法GaAlAs／GaAs多层光阴极材料的研制与性质

应用ＬＰＥ法成功地制出了Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ／ＧａＡｓ多层结构材料，讨论了生长过程中铝、锗等元素的行为，测量了载流子浓度分布、少子扩散长度等电学性质，井观察了材料表面形貌。     

MOCVD法制备GaSb,GaAsSb,AlGaSb和AlGaAsSb异质外延材料

本文报导了用常压ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＳｂ和ＡｌＧａＡｓＳｂ异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系，优化了生长参数。首次采用组分缓变过渡层和超晶格结构来解决品格失配问题，利用ＳＥＭ和光学显微镜、Ｘ射线衍射仪、电子探针等测量、分析了外延层结构与组分、表面与断面形貌及其电学性质。测得ＧａＳｂ６／ＧａＡｓ结构中非有掺杂ＧａＳｂ层的Ｘ射线双晶摆曲线半峰小于１５０孤秒，霍尔迁移率μ＿ｐ（３００ｋ）＞６２０ｃｍ￣２／Ｖ·８，载流子浓度小于１×１０￣１６ｃｍ￣（－３），接近同质外延水平．     

（100）n－GaAs在H_2SO_4－H_2O_2－H_2O溶液中的腐蚀速度

以Ｃ－Ｖ测量、击穿电压测量并结合逐层腐蚀技术，对ＧａＡｓ外延多层结构的剖面分布进行了测量，获得了ＧａＡｓ（１００）晶片在不同温度下的Ｈ＿２ＳＯ＿４－Ｈ＿２Ｏ溶液中的腐蚀速度数据。结果表明，当Ｈ＿２ＳＯ＿４：Ｈ＿２Ｏ＿２：Ｈ＿２Ｏ＝９：１：１时，对ｎ＝１．１０￣（１４）～１．１０￣（１８）ｃｍ￣－３的ＧａＡｓ（１００）晶片，２０℃时的腐蚀速度为ｖ＝０．３～０．９μｍ／ｍｉｎ．作者认为，这一配方对ＧａＡｓ（１００）多层结构是一个最为理想的减薄腐蚀剂。     

铁水凝固界面前沿中夹杂物与气泡行为研究

在固—液界面前沿的富集层中，由于界面的张力差，引起粒子的运动，粒子的运动速度计算公式为：Ｖ＿ｌ＝（４／９ηＤ＿Ｌ）（１－Ｋ＿Ｅ）Ｃ＿ｏ（ｄ＿σ／ｄＣ＿Ｌ）ＲＶｓ×［１－（９／８）Ｒ（ｘ－Ｒ）］￣（－１）ｅｘｐ［－Ｖ＿ｓ（ｘ－δ）／Ｄ＿Ｌ］，用此公式分析了Ｆｅ－Ｏ、Ｆｅ－Ｔｉ、Ｆｅ－Ｓ等富集层中，Ａｌ＿２Ｏ＿３夹杂物与气泡的状态，阐明了粒子运动速度、铁水量、溶质度、夹杂物及气泡半径等的关系。分析表明，由于氧、钛、硫溶质的浓度差，小的Ａｌ＿２Ｏ＿３夹杂物或气泡向固相面运动并与之接触，夹杂物与气泡的运动速度随氧、钛、硫溶质浓度的增大而提高。     

Thermoluminescence of BaFCl_xBr_（1－x）：Sm System and Assignment of Their Glow Peaks

ＴｈｅｒｍｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｏｆＢａＦＣｌ_ｘＢｒ_（１－ｘ）：ＳｍＳｙｓｔｅｍａｎｄＡｓｓｉｇｎｍｅｎｔｏｆＴｈｅｉｒＧｌｏｗＰｅａｋｓＣｈｅｎＷｅｉ；（陈伟）；ＳｕＭｉａｎ－Ｚｅｎｇ；（苏勉曾）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，...     

AlAs／GaAs双势垒量子共振隧穿二极管

以ＭｏｃｖＤ材料试制了ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双势垒量子共振隧穿二极管，其室温伏安特性为非线性。讨论了材料质量、器件结构、制作工艺等对器件性能的影响。首次报道了有ＡＶ＿（０．１４）Ｇａ＿（０．８６）Ａｓ垫的双势垒结构器件性能，有垫器件性能较无垫常规器件改进很大。     

[Eu2(p-MOBA)6(phen)2](H2O)2配合物热分解动力学研究

采用ＴＧ－ＤＴＧ技术研究了「Ｅｕ２（ｐ－ＭＯＢＡ）６（ｐｈｅｎ）２」（Ｈ２Ｏ）２（ｐ－ＭＯＢＡ代表对甲氧基苯甲酸根离子;ｐｈｅｎ表示１,１０－邻啡罗啉）在静态空气中的非温热分解过程及动力学,根据ＴＧ曲线确定了热分解过程的中单产的及最终产物,动用Ａｃｈａｒ法与Ｃｏａｔｓ－Ｒｅｄｌｆｅｒｎ法对非等温动力学数据进行分析,推断出和线步的动力学方程为ｄａ／ｄｔ＝ＡｅｘＰ（－Ｅ／ＲＴ）「－ｌｎ（１－ａ）」＾－     

Gd—Al—Dy系磁致冷材料的研究

用粒子排列烧结法制备了（Ｇｄ１－ｘＤｙｘ）３Ａｌ２系功能材料。研究了化学配位数ｘ分别为０和０１的二层（Ｇｄ１－ｘＤｙｘ）３Ａｌ２系合金。结果表明，（Ｇｄ１－ｘＤｙｘ）３Ａｌ２系化合物随着ｘ的增加，其居里温度Ｔｃ逐渐降低，二层梯度材料有与各单层相似的二个Ｔｃ，磁熵变化ΔＳｍ随温度Ｔ的变化平缓，因此，改善了材料的磁致冷性能。     

MOVPE生长CdTe/GaAs薄膜的表面形貌控制

通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施,在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中,用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲基镉（ＤＭＣｄ）、二异丙基碲（ＤｉＰＴｅ）和元素汞,采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ）,在ＧａＡｓ衬底上生长出了ＭＣＴ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进。     

LaCo_（13）基及R_2（Fe_（1－x）Co_x）_（17－y）Al_y化

ＬａＣｏ_（１３）基及Ｒ_２（Ｆｅ_（１－ｘ）Ｃｏ_ｘ）_（１７－ｙ）Ａｌ_ｙ化合物的结构及磁性ＴｈｅＳｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＭａｇｎｅｔｉｃＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＬａＣｏ_（１３）－ＢａｓｅｄＳｙｓｔｅｍｓａｎｄＲ_２（Ｆｅ_（１－ｘ）Ｃｏ_ｘ）_（１７－...     

MOCVD生长GaAlAs／GaAs HBT材料的研究

研究了ＭＯＣＶＤ法ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制，得出了ＧａＡｌＡｓ发射极的ＰＬ性质和多层材料的纵向浓度分布是ＨＢＴ材料的质量表征的结论，采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量，达到良好的器件特性。     

Intragranular Rare Earth－rich Phases in As－cast High－temperature Ti－5Al－4Sn－2Zr－1MO－0．25Si－1Nd Alloy

ＩｎｔｒａｇｒａｎｕｌａｒＲａｒｅＥａｒｔｈ－ｒｉｃｈＰｈａｓｅｓｉｎＡｓ－ｃａｓｔＨｉｇｈ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＴｉ－５Ａｌ－４Ｓｎ－２Ｚｒ－１ＭＯ－０．２５Ｓｉ－１ＮｄＡｌｌｏｙＬｉＧｅｐｉｎｇ（李阁平）；ＬｉＤｏｎｇ（李东）；ＬｉｕＹｕｙｉｎ...     

稀土掺杂的ZnS蓝光发光二极管

稀土掺杂的ＺｎＳ蓝光发光二极管郭常新（中国科学技术大学物理系合肥２３００２６）发光二极管（ＬＥＤ）有很高的亮度和低廉的价格，在显示显象应用中用途越来越广，由Ⅲ—Ｖ族Ｇａ（１－ｘ）ＡｌｘＡｓ（１－Ｙ）ＰＹ制成的ＬＥＤ覆盖了红，橙，黄，绿颜色范围，其他材...     

γ一射线辐照对稀土复合氧化物La_（2－x）Sr_xFe_2O_（7－δ）改性

用ＸＲＤ、ＴＧ、ＩＲ和ｍｏｓｓｂａｕｅｒ技术，研究了γ－射线辐照对稀土夏合氧化物Ｌａ＿（２－ｘ）Ｓｒ＿ｘＦｅ＿２Ｏ＿（７－δ）（０．２≤ｘ≤１）粉料性能的影响。发现粉料经辐照后，其Ｆｅ一Ｏ键相互作用增强，非他学计量氧的减少量增大，高质异能移（Ｉ．Ｓ．）发生变化。证明了γ一射线辐照是一个还侯过程，γ一射线辐照可以改变粉料的性能。     

CaO－MgO_（sat）－FeO_n－SiO_2渣系与铁液间磷平衡分配比的极

按文献［１～４］，Ｌ＿ｐ与（ＦｅＯ＿ｎ）和Ｒ之间均有极值关系存在。本文得出从不同侧面反映的Ｌ＿ｐ极值关系式和曲线：（１）按ＣａＯ／ＳｉＯ＿２＝０～０．９，０．９１～１．９和＞１．９三个区段划分的，用１／Ｔ、ｌｇ｛（ＣａＯ）＋０．７（ｍｇＯ）｝、ｌｇ（ＴＦｅ）和ｌｇ（Ｐ＿２Ｏ＿５）表述的一次多项式；（２）按ＣａＯ／ＳｉＯ＿２＝０～０．０９，０．１～０．９，０．９１～１．４，１．４１～１．９和＞１．９五个区段划分的，用１／Ｔ，（∑ＦｅＯ）、（∑ＦｅＯ）￣２和ｌｇ（１＋ＳｉＯ＿２）表述的非齐次多项式；（３）按∑ＦｅＯ＝１３％～１５％，１６％～２０％和３０％～３５％三个区段描述的Ｌ＿ｐ－Ｒ极值曲线。并发现Ｌ＿ｐ与（∑ＦｅＯ）和Ｒ之间的极值关系存在一定规律。     

氟哌酸钕的合成及其热分解非等温动力学研究

合成了钕（Ⅲ）的氟哌酸配合物〔Ｎｄ（ＮＦＡ）３·６Ｈ２Ｏ〕，对其进行了热分解非等温动力学研究。通过元素分析，红外光谱对其性质进行了表征。运用Ａｃｈａｒ法和Ｃｏａｔｓ－Ｒｅｄｆｅｒｎ法，对非等温动力学进行分析，推断第一步，第二步失水反应均按动力学方程ｄａ／ｄｔ＝３／２Ａｅ－Ｅ／ＲＴ（１－ａ）４／３｛〔１／（１－ａ）１／３－１〕｝－１进行，同时给出了动力学补偿效应表达式ｌｎＡ＝０．３０７４Ｅ－２．２０６２（第一步），ｌｎＡ＝０．２８９７Ｅ－１．９４９２（第二步）。     

Nd_2O_3对PbTiO_3基压电陶瓷性能的影响

本文主要介绍Ｎｄ＿２Ｏ＿３改性ＰｂＴｉＯ＿３基压电陶瓷的一些实验结果。此种陶瓷系统的额定化学式为（Ｐｂ＿（１－ｘ）Ｎｄ＿ｘ）（Ｔｉ＿（０．９２）Ｍｎ＿（０．０２Ｉｎ＿（０．０６）Ｏ＿３，其中ｘ是摩尔分数，并有ｘ＝０，０．０２，０．０４，０．０６，Ｏ．０８，０．１和０，１２。通过使用静水压成型和氧气氛烧结，可以获得用于高温和高频领域的ＰｂＴｉＯ＿３压电陶瓷，此种材料的性能是，气孔小，密度高，晶粒细小，ｋ＿ｐ～１０％，ｋ＿ｔ～６０％，ε＿（３３）／ε＿０～２４０，ｔａｎδ～２％和居里点～３４０℃。     

TEM观察砷化镓晶片损伤层

用透射电镜、扫描电镜对ＧａＡｓ材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测。结果切片损伤层深度≤５０μｍ、双面研磨损伤层深度≤１５μｍ、机械化学抛光损伤层深度（腐蚀前）＜１．２μｍ。分析了损伤结构及其引入的因素。     

锗（Ge）（Ⅳ）－P－CIPF－混合离子表面活化剂显色反应的研究和应用

本文研究了锗（Ⅳ）在混合离子表面活化剂（ＣＰＢ、ＴｒｉｔｏｎＸ－１００）存在下与Ｐ－ＣＩＰＦ形成多元配合物的显色特性。在１．５－４．０ｍｏｌ／ＬＨ＿２ＳＯ＿４介质中，Ｇｅ（Ⅳ）－Ｐ－ＣＩＰＦ－混合离子表面活化剂生成橙红色配合物，最大吸收波长（λ＿（ｍａｘ））位于５１５ｎｍ处，其摩尔吸光系数为ε＿（５１５）＝２．８×１０￣５Ｌ·ｍｏｌ￣（－１）·ｃｍ￣（－１）。配合物的组成比为Ｇｅ：ＣＩＰＦ＝１：３（在混合离子表面活化剂存在时）。在０－１２βμｇ／Ｇｅ５０ｍＬ范围内符合比尔定律。本法具有良好的选择性，完全不经分离或富集。已成功地用于直接测定人参、枸杞、当归、大蒜和锅炉烟尘中的微量锗。