直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长

重点研究了直拉(CZ)硅中氧沉淀在快速热处理(RTP)和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为.实验发现,RTP是一种快速消融氧沉淀的有效方式,比常规炉退火消融氧沉淀更加显著.硅片经RTP消融处理后,在氧沉淀再生长退火过程中,硅中体微缺陷(BMD)的密度显著增加,BMD的平均尺寸略有增加;而经过常规炉退火消融处理后,在后续退火过程中,BMD的密度变化不大,但BMD的尺寸明显增大.氧沉淀消融处理后,后续退火的温度越高,氧沉淀的再生长越快.     

直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长

重点研究了直拉(CZ)硅中氧沉淀在快速热处理(RTP)和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为.实验发现,RTP是一种快速消融氧沉淀的有效方式,比常规炉退火消融氧沉淀更加显著.硅片经RTP消融处理后,在氧沉淀再生长退火过程中,硅中体微缺陷(BMD)的密度显著增加,BMD的平均尺寸略有增加;而经过常规炉退火消融处理后,在后续退火过程中,BMD的密度变化不大,但BMD的尺寸明显增大.氧沉淀消融处理后,后续退火的温度越高,氧沉淀的再生长越快.     

高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制

应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀．实验表明：高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀,一是多碳中心的异质成核长大的氧沉淀,碳原子同时参与氧沉淀的成核和长大,红外光谱上1230cm－1处无氧沉淀的特征峰,TEM观察这种氧沉淀是10～30nm高密度的球状小沉淀;另一种氧沉淀类似于低碳样品中均匀成核长大的氧沉淀,它在红外光谱上1230cm－1处有吸收峰,TEM观察这种氧沉淀是100～300nm各种形态的大沉淀．热处理条件不同可以改变两种机制相互竞争的优势,低于900℃的热处理以异质成核为主,而只有经过1200℃高温预处理破坏异质核心后,再在900℃以上热处理时,均匀成核长大的氧沉淀才会占优势．     

高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制

应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀.实验表明:高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀,一是多碳中心的异质成核长大的氧沉淀,碳原子同时参与氧沉淀的成核和长大,红外光谱上1230cm-1处无氧沉淀的特征峰,TEM观察这种氧沉淀是10～30nm高密度的球状小沉淀;另一种氧沉淀类似于低碳样品中均匀成核长大的氧沉淀,它在红外光谱上1230cm-1处有吸收峰,TEM观察这种氧沉淀是100～300nm各种形态的大沉淀.热处理条件不同可以改变两种机制相互竞争的优势,低于900℃的热处理以异质成核为主,而只有经过1200℃高温预处理破坏异质核心后,再在900℃以上热处理时,均匀成核长大的氧沉淀才会占优势.     

在落叶中睡去新疆游记

将这个季节所有沸腾的情感都在这次旅行中沉淀为最清澈的泉水。我知道，什么都不用想像了，当飞机穿透云层的那一时刻。我告诉自己。由它去吧。那么多年缠绕不清的梦，它应该在什么地方就去吧．     

叠栅图在碳化物沉淀相研究中的一些应用

借助于叠栅图观察了合金钢中细小沉淀相的形貌和分布特征，确定了沉淀相的点阵常数及其同母相（或另一沉淀相）的错配度，并确认了沉淀相或母相中存在的位错及其滑移面。     

跃层影院打造计划

打造独立的视听室本来就不是一件简单的事情。但如果再遇到有一些其他的要求，那么这件工程将变得更加复杂。     

指点江山：手写手机选购

谈到历史，我们总是有那么一些优越感。华夏民族五千年的历史沉淀足以使我们自豪，比如博大精深的汉字。可惜，数字化的今天，方块字已经渐渐显出弊端——输入过于繁琐。特别是应用于键盘面积有限的手机，无论是拼音输入还是笔画输入，始终不如我们早已习惯的直接书写那么便利。何况对于一些没有学习过拼音的长辈们来说，编辑电话本、设置日程管理着实让人头痛。另一方面，智能手机的分级目录与选项众多，采用键盘控制无形中增加了单调的重复操作。这个时候，选购一款支持手写输入的手机就显得尤这重要。下面我们就针对不同需求的用户推荐一些具有代表性的机型。     

漫步欧罗巴

对于欧罗巴,任何辞藻都是浮华的外衣漫长文明史沉淀的底蕴与气度足以吸引任何一个旅行者桀骛挑剔的目光再匆忙的过客都会放慢脚步哪怕只为那一湖沉静的水,一排尚有余温的石栏……慢行,才知世界之大世界再大,亦在我心。     

Pocket PC随身宝典PPC手机经典软件推荐

关于PPC软件，相信大家一定知道不少，该安装什么软件。凡是用过PPC手机的人多多少少都能说出几个。然而，我们总是在安装→卸载→再安装→再卸载的过程中俳徊，寻找量适合自己的软件。在这样的过程中，“沉淀”了一些我们称之为经典的软件，今天我们就将这些经典软件呈献给大家。[编者按]     

热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC GaAs的均匀性

对未掺杂原生ＬＥＣＳＩＧａＡｓ单晶在５００～１１７０℃温度范围进行了单步、两步和三步热处理及淬火，研究了这种热处理对ＥＬ２分布的影响，并检测了位错和Ａｓ沉淀的变化。结果表明，６５０℃以上温度的热处理可以改善ＥＬ２分布均匀性，且在６５０～９５０℃温度范围的热处理中，ＥＬ２均匀性的改善与热处理后的降温速率无明显联系。此外，两步或三步热处理的样品中ＥＬ２分布甚至比单步热处理样品中更优。９５０℃以下的热处理和淬火对位错和Ａｓ沉淀无明显影响。但是１１７０℃热处理井淬火后位错密度增加大约３０％，Ａｓ沉淀消失。对经１１７０℃淬火的样品再进行８０Ｏ℃或９５０℃的热处理，Ａｓ沉淀重新出现。ＥＬ２分布的变化可能与点缺陷、位错和Ａｓ沉淀的相互作用有关。文中提出了这种相互作用的模型，利用该模型可解释不同条件热处理后ＥＬ２分布的变化。     

伴我纵横——五款运动、三防手机

8月，运动的时节，出游远足的好时候，运动鞋、登山包、劲衣热裤的你，是否也有更换一部搭配这个季节的手机的冲动？如果你Say Yes，那么不要再犹豫了，赶快加入本次的数码运动手机之旅吧。     

(HgCd)Te中的Te沉淀

利用缺陷的化学腐蚀和透射电子显微镜,研究了x为0.2到0.3的Hg_(1-x)Cd_xTe合金中Te的沉淀,这种合金是在过量Te的条件下,用固态再结晶法制备成的。在再结晶退火温度下的淬火过程中出现了碲的沉淀。淬火初期,由于沉淀物在原有位错上成核而产生沉淀作用,这种沉淀作用形成了位错蜷线,而沉淀物处于蜷线环之内。在这些沉淀物缺陷中,发现了碲的三斜晶系相和三角形相,以及孪生基体相。淬火后期,依附某个杂质,无论是同质的还是异质的,都会出现一个附加的成核机制,形成体晶中的复合缺陷。在随后约300℃的再退火过程中,碲沉淀消溶并形成填隙金位错环和不全位错环。沉淀过程和随后的再退火都使位错明显倍增。     

微氮硅单晶中氧沉淀

实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出碳、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度，实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象，探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用。     

玩炮季节 可以让夏天更热一点

没有什么比在炎炎夏日躲在空调房里面看电影更爽的了，但如果你拥有一只优秀的低音炮，那么你最好把空调冷气再开足一点。因为低音炮最擅长的就是在你需要的时候，让你血脉责张。     

应用离子捕捉电镜技术对鸡粪便中病毒的快速鉴定

离子捕捉电镜技术,是用磷酸氢钙(CaHPO_4)通过静电引力将悬浮样品中的蛋白颗粒吸附下来,再用溶解剂将CaHPO_4溶解,使蛋白颗粒离析。其方法分以下几个步骤:一、试剂的制备,(一)、CaHPO_4的制备,将0.3M氯化钙(11.1g Cacl_2.H_2O溶解在200ml蒸溜水)和0.3M磷酸氢二钠(14.2g Na_2HPO_4溶解在200ml蒸溜水)以相同流速(120滴/分钟)分别以两个各自的容器中流入一个盛有100ml蒸溜水的烧杯里,同时用磁力搅拌器搅拌。将粗制的CaHPO_4(呈絮状沉淀)再反复经4次蒸溜水悬浮和沉淀,最后将沉淀的CaHPO_4用0.15M磷酸盐缓冲液(PBS pH7.2)悬浮,保存于4℃冰箱待用;(二)乙二胺四     

微氮硅单晶中氧沉滨

实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出破、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度．实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象，探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用．     

诺基亚6230i ＆ 6020手机的出色搭档——Buddy ＆ Buddy

手机是你生活与工作的密友，这句话虽然有点老土，却是一个谁也无法回避的事实。但还有一个事实不知你是否能体会，如果能为你的第一部手机再找一位良伴，那么与这对出色搭档在一起的生活将会更加精彩。     

标识！完美的个人影像设计师

对大众而言，HDR-SR1E绝对是一款堪称完美的摄像机；从其高品质的影像拍摄，到简单的后期处理，再到良好的扩展能力……几乎很难找到它的弱点。如若非要找点不足之处，那只能说其价位偏高，暂时还不那么平易近人吧。[编者按]     

影院气氛营造者明基(BENQ)PE7700 DLP前投影机

家庭影院屏幕准则：大就是美所谓“家庭影院”，就是在普通家庭环境下来模拟商业电影院的音视频效果。那么，在普通家庭条件下，这些音视频效果能够模拟到什么程度呢？实际上，声音这方面相对来讲容易一些：家庭中听音环境不会太大，一套够水准的5声道或6声道音箱再加上大功率多声道环绕声放大器（房间再大一些就加配一只超低音），经过认真调试后，声场和震撼力都不会输给电影院太多。