激光照射下生物组织内部温度分布的数值模拟

基于生物热传导理论和有限元算法,采用Matlab软件中的偏微分方程工具箱,模拟激光照射下生物组织的温度分布,并用三维图展现生物组织的温度随时间、空间的变化规律.对激光临床应用有理论指导意义.     

硅单晶中氮的特性

采用 FZ 和 CZ 法生长出了掺氮硅单晶,由红外(IR)吸收法和活化分析法测得氮的浓度为0.6～7×10~(15)原子数 cm~(-3)。根据压痕玫瑰花纹观察结果表明掺氮硅单晶对位错的钉扎作用比普通硅单晶更强。经退火热处理后,氮的红外吸收峰值的降低,CZ 硅单晶比 FZ 硅单晶更为显著。这暗示了氮原子与杂质氧的紧密结合,从而成为氧沉淀的核心。发现杂质氮     

用三点弯方法研究微氮硅单晶机械强度

通过三点弯方法研究普通和微氮硅单晶在室温下的机械强度 ,以及它们的高温抗弯强度 .实验发现 ,由于氮的掺入 ,硅片室温下的机械强度有明显的改善 ,同时证实了高温下氮对位错的钉扎作用 ;研究还指出 ,硅片表面状态和晶向对室温时机械强度也存在影响 .对室温下氮杂质增强机械强度的可能机理进行了探讨     

重掺硅中氧的测定

研究了重掺硅中氧的测定 ,实验首先选用轻掺 (ρ>10Ω· cm)样品分别用气体熔化分析法 (GFA法 )和傅里叶变换红外法 (FTIR法 )测氧 ,而后用 GFA法测定了重掺锑、砷、硼单晶的氧浓度 .实验发现用 GFA法和 FTIR法测氧 ,二者的结果成很好的线性关系 ,为便于比较可将重掺硅在 GFA法下的测定结果转换为 FTIR法下的测定结果 ,还对影响 GFA法测定结果的样品制取、样品处理、测试参数选择等方面进行了探讨     

用三点弯方法研究微氮硅单晶机械强度

通过三点弯方法研究普通和微氮硅单晶在室温下的机械强度,以及它们的高温抗弯强度．实验发现,由于氮的掺入,硅片室温下的机械强度有明显的改善,同时证实了高温下氮对位错的钉扎作用;研究还指出,硅片表面状态和晶向对室温时机械强度也存在影响．对室温下氮杂质增强机械强度的可能机理进行了探讨     

p型含氮CZ—Si单晶的退火性质

本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。     

p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性

研究了p型含氮以及不含氮直拉(CZ)硅中热施主(TD)以及氮氧(N-O)复合体的电学性质.硅片在350～850℃范围进行不同时间的退火后,利用四探针和通过室温傅里叶红外光谱(FTIR)分别测量其载流子浓度和间隙氧浓度的变化.实验结果表明:p型含氮直拉硅(NCZ)中热施主的电学特性基本与n型NCZ硅相同,但N-O复合体的消除温度明显低于n型NCZ硅,这是由于p型NCZ硅中硼促进了N-O复合体的消除.     

微氮硅单晶中新施主的形成特性

借助于电学测量和低温（８Ｋ）红外分析技术，研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新施主的可能形核中心低温４５０℃预退火能促进新施主生成，而高温１０５０℃预退火样品则同样没有新施主生成．     

Nitridation Kinetics of Silicon Monocrystal and Morphology of Nitride Film

Basing on TGA (thermal gravimetric analysis) of thermal nitridation at l200, l250, l300℃, respectively,analysis of high temperature kinetics for nitridation of silicon monocrystal has been carried out. According tothe theory for kinetics of reaction of vapour with solid phase a nitridation kinetic model, from which it can beshown thal the rate of nitridation reaction of silicon crystal should be controlled by three stage limiting factors,was proposed. These limiting factors are chemical reaction, chemical reaction mixed with diffusion and diffu-sion. Using this model to treat our experimental data, satisfactory correlation coefficient and apparentactivation energy of nitridation of p-type (lll) silicon crystal have been obtained. The nitride film was identi'fied to be a-Si_3N_4 (Hexagonal, a=0.7758nm,c_o=0.5623nm) by X-ray diffraction analysis. Morphology ofthe nitride films formed in different nitridation duration was observed in both planar andcross-sectional viewsby SEM (scanning electron microscope).     

大同水泥厂新建湿法生产线投产

为了缓解大水泥紧张状况,满足重点工程的急需,国家建材局和山西省本着大同能源充足、投资少、见效快、好管理的有利情况,把大同水泥厂扩建两台φ4/3.5/4×150m湿法生产线列为“八五”省重点建设项目。