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本文对铁电薄膜的光学性质的研究进展进行了详细的总结。与人们对铁电薄膜的电学性质的研究相比,人们对光学性质的研究较少。由于铁电薄及其无定形薄膜都具有许多优良的电学性质,因此对它们的光学性质研究也很有必要。光学手段具有非破坏性,通过这种手段可以获得薄膜的光学常数折射率和消光系数,从而进一步获得它们的禁带宽度。中红外透射可以表征铁电薄膜内部结构的相变过程。通过远红外手段,可以研究薄膜的内部微观机制,如晶格振动等。最后,阐述了铁电薄膜及其无定形薄膜光学性质研究的发展方向。 相似文献
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采用磁控溅射法,选用LaNi O3作为缓冲层,在硅基片上制备出了0.74Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26PbTiO3弛豫铁电薄膜.研究了沉积温度对薄膜的微结构和光学性能的影响.其中,沉积温度为500oC时制备的薄膜,不仅具有纯的钙钛矿结构,高度(110)择优取向、致密、无裂纹的形貌、而且具有最大的剩余极化,大小为17.2μC/cm2.使用柯西模型进行拟合反射谱,分析得到薄膜的折射率和消光系数.在波长为633 nm时,500oC沉积的薄膜的折射率大小为2.41.另外,薄膜的光学带隙在2.97~3.22 eV范围内.并初步讨论了这些薄膜的光学性能的差异. 相似文献
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通过对不同组分的铌镁钛酸铅(PMNT)薄膜的紫外-可见透射光谱以及红外椭圆偏振光谱的分析,利用Tauc-Lorentz(T-L) Cauchy色散关系和经典中红外色散关系,得到了该材料在可见和中红外区的光学常数,发现在可见和中红外区,薄膜的折射率随着PT(PbTiO3)含量的增加而增大,但是薄膜的光学禁带宽度随之而减小. 相似文献
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太阳电池中CdS多晶薄膜的微结构及性能 总被引:9,自引:1,他引:9
采用化学水浴法制备了CdS多晶薄膜,通过XRD,AFM,XPS和光学透过率谱等测试手段研究了CdS多晶薄膜生长过程中的结构和性能.结果表明,随着沉积的进行,薄膜更加均匀、致密,与衬底粘附力增强,其光学能隙逐渐增大,薄膜由无定形结构向六方(002)方向优化生长,同时出现了Cd(OH)2相.在此基础上,通过建立薄膜的生长机制与性能的联系,沉积出优质CdS多晶薄膜,获得了转化效率为13.38%的CdS/CdTe小面积电池. 相似文献
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张易君张粞程栾明昱曾陶黄佳木 《激光与光电子学进展》2017,(3):310-316
采用射频磁控溅射法,以铌靶和硅靶为靶材,在玻璃基片上沉积了NbSiN薄膜。研究了硅靶、铌靶功率、氮气流量以及溅射时间对薄膜光学性能的影响,得出实验室条件下的最佳制备工艺参数。测试结果表明,最佳工艺参数下制备的NbSiN薄膜均匀致密,主要成分为NbN、NbSiN、无定形的Si3N4及少量的SiO2和Nb2N2-xO3+x。光学性能分析表明,NbSiN薄膜在波长550nm处(人眼最敏感)的可见光透射率为90.5%,红外反射率约为28%,光学性能优异。 相似文献
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文中提出了一种白光干涉法测量薄膜表面微观不平度的方法。无需测量干涉条纹,通过对透明薄膜的反射光谱进行分析,可以测出薄膜的厚度。测试膜片上不同点的厚度,可以得到物体表面微观状貌。该方法测量精度高、对薄膜无破坏作用。薄膜厚度测量范围为0.2-小于20μm,无横向测试范围的限制。在对SiO2薄膜的测试中,和椭圆偏振仪的测试结果相对照,纵向测量误差小于2nm。文中介绍的测试系统结构简单,测试精度高,测试结果可靠,具有较强的实用性。文章最后给出了对介质薄膜软酸铅(PbTiO3)表面的测试研究结果。 相似文献
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溶胶-凝胶法制备高c轴取向纳米V_2O_5薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶法,以二乙酰丙酮氧钒(VO(C5H7O2)2)为前驱物,通过提拉方式,在预镀非晶SiO2薄膜的硼硅玻璃上制备多晶纳米五氧化二钒(V2O5)薄膜。通过X射线衍射、傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见-近红外光谱等表征手段对不同热处理条件下的样品进行了结构和光学性能分析。结果表明,热处理温度在350~550℃,无论是在空气中还是在氧分压为0.1Pa的氮气中,均能得到高c轴取向生长的纳米V2O5薄膜,结晶性能良好,晶粒尺寸分布在21~45nm,样品在810cm-1和1026cm-1附近存在对应于5价钒氧化物的红外吸收峰,在500nm出现强烈的带间吸收。与现有的溶胶-凝胶法相比,本实验选用的VO(C5H7O2)2是制备高c轴生长、结晶性好的纳米V2O5薄膜的理想前驱物。 相似文献
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采用溶胶凝胶方法在石英玻璃上制备了均匀透明的PbZr0.40Ti0.60O3(PZT)非晶薄膜,测量了200-1100nm的紫外可见近红外透射光谱,根据经典的包络计算方法,同时获得薄膜在透明振荡区的折射率,消光系数以及厚度,薄膜的折射率色散关系可以通过单电子sellmeier振荡模型成功地进行解释。最后,根据Tauc's法则,得到PbZr0.40Ti0.60O3非晶薄膜的禁带宽度为3.78eV。 相似文献
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钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用 总被引:10,自引:1,他引:9
叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理,介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能,并与块状陶瓷材料进行了比较,分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。 相似文献
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系统研究了退火温度对硅薄膜结构和光学性能的影响。通过电子束蒸发工艺制备硅薄膜,然后在氮气保护下对薄膜样品在200~500°C范围内进行退火处理。使用XRD、拉曼光谱、电子自旋共振和透射光谱测量等方法对薄膜样品进行了表征。结果显示,随着退火温度的升高,非晶硅薄膜结构有序度在短程和中程范围内得到改善,同时缺陷密度显著降低-。当样品在400°C退火后,消光系数k由6.14×10-3下降到最小值1.02×10~3(1000 nm),这是由于此时硅薄膜缺陷密度也降到最低,约为沉积态薄膜的五分之一。试验结果表明,硅薄膜在适当的温度下退火可以有效地降低近红外区膜层的光学吸收,这对硅薄膜在光学薄膜器件研制中具有重要应用。 相似文献
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Blown glass and vacuum-evaporated thin films of TeO2 were prepared. A comparison between their fundamental optical absorption edges, refractive indices, infrared absorption spectra and structure is presented. The results are discussed in terms of the usual density-of-states model of amorphous materials. 相似文献
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磁控溅射法制备的PZT非晶薄膜光学性质研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用磁控溅射方法在石英玻璃上制备了PbZrxTi1-xO3(PZT)(x=0.52)非晶薄膜,并测量了200~1100nm的紫外.可见.近红外透射光谱.基于薄膜的结构和多层结构的透射关系,发展了仅有6个拟合参数的光学常数计算模型.利用该模型,可以同时获得薄膜在宽波段范围内的光学常数和厚度,得到折射率的最大值为2.68,消光系数的最大值为0.562,拟合薄膜厚度为318.1nm.根据Tauc′s法则,得到PZT非晶薄膜的直接禁带宽度为3.75eV.最后,利用单电子振荡模型成功地解释了薄膜的折射率色散关系. 相似文献