碳纳米管“听从安排”

美国IBM公司科研人员宣称，他们开发出一种特殊纳米芯片制造工艺技术，使碳纳米管制成的晶体管在集成电路上“听从安排”。这是碳纳米管计算机研究方面取得的重大突破。     

三维晶体管阵列有望打破摩尔定律

<正>目前,用于计算机处理器的硅集成电路正接近单个芯片上晶体管的最大可行密度,至少在二维阵列中是这样。摩尔定律看似已难以维持。美国密歇根大学一研究团队却另辟蹊径,将晶体管阵列带入三维空间,在最先进的硅芯片上直接堆叠第二层晶体管。这一研究为开发打破摩尔定律的硅集成电路铺平了道路。摩尔定律认为,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔两年便会增加一倍。目前硅集成电路的晶体管密度已接近极限。而随着硅晶体管尺寸变得越来越小,它们的工作电压也在不断下降     

碳纳米管的电子输运性

单壁碳纳米管存在非常有发展前景的电子输运性质。碳纳米管应用于制造场效应晶体管，可获得比硅基器件更高的驱动电流和跨导。然而一个主要悬而未决的问题就是接触电阻对传输性能的影响。这方面已有大量的实验和理论工作，然而实验工作只是局限于测量以源一漏间的电压和门电压为函数的电流，却没有提供对碳纳米管掺杂行为带来的电子空间扩展方面的信息。     

碳纳米管太阳能电池研制成功

美国康奈尔大学研究人员利用碳纳米管代替传统硅管,制造出高效太阳能电池。这一技术的关键是用碳纳米管代替传统硅管制造出光电二极管,后者是太阳能电池的基本元件。研究人员利用不同颜色的激光对这种二极管进行研究发现,在将光能转化成电能的过程中,它可以使电流强度加倍。     

碳纳米管性能测量新方法

日前，IBM公司的科学家宣布他们对碳管内的电荷分布进行了测量，并发现其直径小于2纳米，仅相当于人类头发直径的5万分之一。这项新颖的技术借助电子和声子交互作用为碳纳米管电学性能提供了一个详细的解释，与今天常规的硅晶体管相比，这一材料为更小、更快并且能耗更低的计算机芯片提供了基础。     

碳纳米管压阻微悬臂梁红外热探测器的研究

研究了压阻复合层微机械悬臂梁红外探测器的热挠曲理论模型。利用IC工艺和微机械加工技术设计制作了一种硅/铝/碳纳米管三层微机械悬臂梁红外探测器,该探测器基于硅和铝两种材料热膨胀系数的差异,存在双物质效应,不同温度下梁的挠度不同,其形变可通过梁根部的压敏电桥检测。为提高探测器的红外吸收特性,实验探索出了在微机械悬臂梁上涂敷碳纳米管吸热层的工艺方法。实验研究了具有碳纳米管薄膜吸热层的三层微机械悬臂梁红外热探测器对红外辐射的响应规律,结果表明涂敷碳纳米管吸热层使响应灵敏度提高近一倍。     

氮化镓晶体管有望成新“半导体之王”几乎可实现电力转换的“零损失”

美国康奈尔大学的研究人员制成了一种高效低耗的氮化镓晶体管，有望在短期内取代硅晶体管，成为电力应用中的“半导体之王”。相关的研究报告发表在近期出版的《应用物理快报》上。     

创新前沿

<正>3D碳纳米管计算机芯片问世美国研究人员表示,他们使用碳纳米管替代硅为原料,让存储器和处理器采用打三维方式堆叠在一起,降低了数据在两者之间的时间,队而大幅提高了计算机芯片的处理速度,运用此方法研制出的3D芯片的运行速度冇可能达到目前芯片的     

“智”胜未来 台达智能战略导入新生力——2016年台达自动化产品策略媒体交流会在京召开

<正>呼应"十三五"规划与"中国制造2025"迈向制造业强国的总体战略,3月31日,台达在北京隆重召开了"智胜未来——2016年台达自动化产品策略媒体交流会",推出包括拥有高效能CPU,可应用于电子制造、食品包装、纺织设备中担任智能制造控制大脑的     

碳纳米管薄膜的制备及其超疏水性研究

采用化学气相沉积法在平面硅基体上制备碳纳米管薄膜,并通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜和接触角测量仪对样品进行形貌结构和浸润性质的表征。结果表明:碳纳米管的定向性主要由基体上催化剂粒子的分布控制,并遵循顶部生长生长机制;2种碳纳米管薄膜都具有较大的接触角,获得的定向碳纳米管表面具有微纳米复合结构是产生超疏水的主要原因。     

混合集成伺服放大器

一、概述 电子电位差计和平衡电桥用的伺服放大器是自动平衡记录仪的核心,它的作用是将测量来的微小偏差信号放大,来驱动平衡或执行机构,以便实现系统的自动平衡。随着硅器件工艺的进步,在伺服放大器中硅器件取代了锗晶体管,从而大大提高了晶体管伺服放大器温度性能和可靠性。目前我国大量     

采用全印刷工艺制成的5GHz频率CNT晶体管

美国Optomec利用印刷工艺制作出了使用碳纳米管（CNT）、工作频率5GHz的晶体管。由美国麻省州立大学（University of Massachusetts）和美国Brewer Science共同开发。由于使用Optomec的印刷技术“AerosolJet”就可以形成晶体管的全部构成要素，因此无需真空工艺和曝光工艺。     

分散剂对电泳沉积制备碳纳米管薄膜形貌和场发射性能的影响

采用丙酮、异丙醇、丙酮/无水乙醇混合溶液3种不同的分散剂,利用电泳沉积法在硅基底上制备了碳纳米管(CNTs)薄膜;采用超景深光学显微镜和电子显微镜观察了不同薄膜的表面形貌,并在高真空中对碳纳米管薄膜阴极进行了场发射特性测试。结果表明:以异丙醇作分散剂制备的CNTs薄膜表面均匀连续,场发射性能较好,开启电场和阈值电场分别为0.188V.μm-1和2.8V.μm-1。     

直接控制继电器光电子元件

西德 AEG—Telefunken 公司生产了两种新型光电控制元件——BPX28及 BPX37。光电控制元件 BPX28在许多情况下都可作为高灵敏度的光电晶体管使用,它特别适用于直接控制电器。在与 TO5相似的具有平面窗口的外壳中把一个2×2毫米大小的光电元件和一个硅—NPN—外延平面晶体管、一个偏压二极管及一个雪崩二极管组接在一起。在工作     

特殊材料取代硅造出半导体薄膜 为研制高性能柔性电子器件开辟新途径

正据美国《每日科学》网站报道,美国麻省理工学院的工程师最近开发出一种新技术,他们用一批特殊材料取代硅,制造出超薄的半导体薄膜。新技术为科学家提供了一种制造柔性电子器件的低成本方案,并且得到的电子器件其性能将优于现有硅基设备,有望在未来的智慧城市中大展身手。如今,绝大多数的计算设备都由硅制成,硅是地球上含量第二丰富的元素,仅次于氧。硅以各种形式存在于岩石、黏土、沙砾和土     

序

云制造是一种基于网络（如：互联网、物联网、电信网、广电网、无线宽带网等）的、面向服务的智慧化制造新模式。它融合发展了现有信息化制造（信息化设计、生产、实验、仿真、管理、集成）技术与云计算、物联网、服务计算、智能科学、高效能计算等新兴信息技术,将各类制造资源和制造能力虚拟化、服务化,构成制造资源和制造能力的服务云池,并进行协调的优化管理和经营,     

澳科学家成功研制出单原子晶体管

北京时间2月20日,澳大利亚新南威尔士大学的研究人员表示,已经研究出一种可工作的单原子晶体管。这一设备由蚀刻在硅基底上的单个磷原子构成,拥有控制电流的门电路和原子级的金属接触。这标志着下一代计     

美国研制能自我修复的太阳能电池

美国研究人员研制了一种新式太阳能电池,通过使用碳纳米管和DNA等材料,该电池能像植物体内天然的光合作用系统一样进行自我修复,从而延长电池寿命并减少制造成本。     

美开发出砷化铟二维半导体量子膜

<正>据美国物理学家组织网11月14日报道,美国加利福尼亚大学伯克利分校研究人员开发出一种全新的二维半导体,这是一种由砷化铟制造的"量子膜",具有带状结构,只需简单地减小尺寸就能从块状三维材料转变为二维材料。相关论文发表在近期出版的《纳米快报》上。当半导体材料的尺寸小到纳米级,它们在电学和光学方面的性质就会发生极大改变,产生量子限制效应,由此人们可以制造出被称为量子膜的二维晶体管。量子膜约为10nm或更少,其运行基本上被限制     

碳纳米管针尖制造的关键技术研究

通过理论分析得出，碳纳米管针尖的长度过长会影响其成像的稳定性的结论，然后在原子力显微镜上运用电蚀的方法对碳纳米管针尖的长度进行优化，结果显示，截短后的碳纳米管针尖能够获得稳定的高分辨率成像，从而解决了碳纳米管针尖制造中针尖长度优化这一关键技术问题。