恶性斗殴为何屡禁不止？——运营商互殴：粗暴宣泄何以为“道”!

“我有一个梦想：某一天三大运营商员工不摆摊了,不打架了,员工年收入差距缩小了,前端营业员待遇提高了,后端装维与资源矛盾化解了,服务质量提高了,恶性竞争消除了,重复建设停止了,不再破坏对手广告了,不互挖墙角搞策反了,不再零元购机了,不打价格战了,都能活的有尊严了”.     

乱

江湖最近挺乱. 金融海啸了,经济危机了;奥巴马当选了,杨致远下课了;三聚氰胺走了又来了,"林书记"来了又走了;百度乱卖广告被央视曝光了,首富黄光裕涉嫌违法被拘查了;国家开始上万亿的花钱了,央行敢于一百零八个基点的降息了!     

Wedding……

兄弟结婚了，朋友结婚了，朋友的朋友结婚了；男的结婚了，女的结婚了，不男不女的也结婚了；有感情的结婚了，没感情的结婚了，认识不认识的结婚已经无所谓了……     

恶性斗殴为何屡禁不止?

"我有一个梦想:某一天三大运营商员工不摆摊了,不打架了,员工年收入差距缩小了,前端营业员待遇提高了,后端装维与资源矛盾化解了,服务质量提高了,恶性竞争消除了,重复建设     

临界连续模式功率因数校正器的高频数字控制研究

本文提出了一种无需检测电感电流及其过零点的简单数字控制方案，实现了临界连续模式功率因数校正器的控制。取得了功率开关管的ZVZCS，消除了整流二极管和快恢复二极管的反向恢复带来的损耗，提高了变换器的效率和可靠性；另外，数字控制器克服了模拟IC控制器的开关频率限制问题，消除了输入电流的低频畸变，提高了功率因数；同时，也降低了输入电感的值，降低了成本的同时提高了功率密度。为实现中小功率数字控制功率因数校正器的产品化提供了一个良好的解决方案。     

干扰电子通信的要素以及应对策略的探讨

在当今的社会中,人们已经离不开电子通信了,其作为了一个新兴产业,并得到了良好的应用,对各行各业起到了促进作用,同时,传统的产业收到了冲击。我国的电子通信发展较快,达到了先进的水平,不过,由于发展时间较短,存在很多不足之处,拉低了整体水平。特别是干扰问题,严重影响了电子通信的发展。本文对电子通信进行了概述,探讨了干扰要素,并且,提出了相关的应对策略。     

校园供水系统运行数据研究模型

本文研究了供水系统运行状态实时模拟模型,首先对数据进行了预处理,然后运用多元线性回归,给出了准则判断了数据优势;建立了供水系统与用水量之间的数学模型,并给出了误差分析,探讨了供水量和用水量对模型的影响。     

探究高功率密度数据中心制冷解决方案

提出了一种紧靠热源制冷的IDC机房制冷解决方案。首先阐述了数据中心传统制冷解决方案,分析了其局限性,然后提出了冷源机柜的概念,分析了其原理及可行性,并进行了实际测试,最后进行了总结与展望。     

软件过程管理分析

CMMI利用了两个或多个单一学科的模型实现了组织的集成化过程改进,提炼了公共过程域,缩减了过程域的总数量,提高了软件开发质量和生产效率,推动了软件产业的发展。对CMMI的重要内容做了相应解释,并阐述了在应用CMMI中的经验和感想。     

JPEG2000标准中ROI感兴趣区域编码的改进算法

分析了小波压缩的相关理论知识,着重对JPEG2000系统中的ROI功能进行了研究,实现了ROI的构思和实用算法,给出了性能分析,进而分析了目前ROI算法的局限性并给出了ROI的改进算法,做出了相应的实验结果分析.     

从丹麦开放标准政策看《TBT协定》对信息技术标准的适用性

丹麦政府2007年向世界贸易组织(WTO)通报了在公共部门强制实施开放标准的政策.尽管开放标准在当时已经成为信息技术领域一个重要的政策议题,但时至今日,WTO成员没有就丹麦开放标准政策进行任何讨论.WTO成员“忽视”丹麦开放标准通报主要原因是:WTO《技术性贸易壁垒协定》(TBT)对通讯技术标准适用性不明确,围绕该通报的讨论难以产生有意义的结果.丹麦开放标准通报说明了《TBT协定》在解决技术标准、特别是信息技术标准相关贸易纠纷中的局限性,以及加强信息技术标准适用性研究的重要性.     

一种MIMO-OFDM系统信道估计简化方法

提出了一种基于MMSE准则的MIMO-OFDM系统信道估计简化方法。该方法将信道估计问题转化为TBT线性方程求解问题,然后利用快速求解算法避免了复杂的矩阵求逆和矩阵相乘,大大降低了实现复杂度。仿真结果表明,相比于传统MMSE算法,该简化算法在降低复杂度的同时仅带来微弱的性能损失。     

Improving the photocatalytic performance of TiO2 via hybridizing with graphene

In this paper an improvement in the photocatalytic performance of TiO₂ was carried out via hybridizing with graphene. Graphene-TiO₂ (GR-TiO₂)nanocomposites with different weight addition ratios of graphene oxide (GO) have been prepared via a facile microwave irradiation of GO and tetrabutyl titanate in isopropyl alcohol. Raman spectroscopy (RS), X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), UV-visible spectroscopy (UV-vis), Fourier transform infrared spectra (FTIR), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) and photoluminescence spectra (PL) are employed to determine the properties of the samples. Microwave irradiation can heat the reactant to a higher temperature in a short time, simultaneously GO is reduced to graphene and TiO₂ nanoparticles grown on the surface of GR. GR-TiO₂ nanocomposites synthesized via this approach have efficient electron conductivity in GR, resulting in a reduced electron-hole recombination rate. Among the synthesized nanocomposites, GT-8wt% exhibited the best photocatalytic activity toward photocatalytic degradation of MB. Our current work provides a new insight for the fabrication of GR-TiO₂ nanocomposites within a short reaction time and also explains the mechanism of photocatalysis employing radical and hole scavengers.     

Vanadium-based ohmic contacts to n-type Al<Subscript>0.6</Subscript>Ga<Subscript>0.4</Subscript>N

Four vanadium-based contacts to n-type Al_0.6Ga_0.4N were compared in this work. Both V/Al/Pd/Au and V/Al/V/Au contacts with optimized layer thicknesses provided lower specific-contact resistances than did the previously reported V/Al/Pt/Au ohmic contact. Specific contact resistances of the V/Al/Pd/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) and V/Al/V/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) contacts were 3×10⁻⁶ Ω·cm² and 4×10⁻⁶ Ω·cm², respectively. On the other hand, an analogous V/Al/Mo/Au contact never became ohmic, even after it was annealed at 900°C for 30 sec. Compared to the V/Al/Pd/Au contact, the V/Al/V/Au contact required a less severe annealing condition (30 sec at 700°C instead of 850°C). The V/Al/V/Au contact also provided a smoother surface, with a root-mean-square (RMS) roughness of 39 nm.     

1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC

利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.     

Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT／PZT／BIT，PZT／BIT和BIT层状铁电薄膜，获得了电流密度－电压（I－V）回线和极化强度P－V电滞回线。在这三种结构中，Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100）结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系，他们与I－V回线及P－V回线的关系相匹配，这种匹配关系使得以I－V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。     

多媒体通信中基于ABR业务的融入凭证方式的速率控制机制

提出了一种融入基于凭证方式的基于速率的流量控制模型，该模型继承了基于凭证方法的记数机制，通过设定高低缓存门限和调节速率升降因数来控制源端速率。仿真结果表明，这种控制机制不仅能够保证缓存的充分利用，而且能够提高其在减少信元丢失、降低传输时延等方面的性能。     

WLAN工程设计

本文就WLAN工程设计提出了带有普遍意义的概念,包含室内覆盖、室外覆盖、室外(视距内)无线桥接。并就无线侧的规划、优化进行了浅析。     

难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理．用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱（AES）、X射线衍射图谱（XRD）对接触的微观结构进行了分析．结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10－6Ω·cm2．这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性．     

TiO2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性

在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300～600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600～800 ℃范围内随温度的升高而降低.