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相似文献
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1.
针对低频声学器件的小型化、大带宽问题,该文基于Y切-铌酸锂压电薄膜激发了反对称A0兰姆波模式,并采用有限元法对A0模式进行了结构设计与理论分析。研究了铌酸锂切型、电极材料、金属化比及膜层厚度变化对声速和机电耦合系数等性能的影响。结果表明,特定结构下,与常规声表面波相比,A0模式兰姆波声速较小,机电耦合系数较大,有利于低频声学滤波器小型化设计。通过研究不同结构对谐振器A0模式兰姆波的横向模态的影响,实现了杂波抑制。  相似文献   

2.
利用三维有限元法(3D FEM)分析了Ni柱型声子晶体对(110)ZnO/41°YX LiNbO3结构Love波器件声学特性(包括相速度、机电耦合系数和质量灵敏度等)的影响。结果表明,Ni柱的引入对所激发Love波性能的影响较大,Love波1阶模式阈值提前(激发1阶模式Love波所需的导波层厚度减小到0.05),机电耦合系数提高了约8%。同时,Ni 柱/(110)ZnO/41°YX LiNbO3结构Love波器件的质量灵敏度也得到改善,其Love波0阶和1阶模式的质量灵敏度较无Ni柱结构Love波器件分别提高了3倍和4倍。该研究结果为利用声子晶体结构实现高频声表面波器件的研制及其应用领域的拓宽提供了理论依据。  相似文献   

3.
研究了IDT/AlN/LiNbO3结构声表面波滤波器的频散特性,发现了高机电耦合系数(>18%),高声速(>10 km/s)的纵向假声表面波模式。对研究得到的二次模进行了归一化插入损耗频率响应的模拟,其结果与文献报道的实验结果基本一致。  相似文献   

4.
通讯用宽带陶瓷滤波器   总被引:3,自引:1,他引:2  
林庭芬 《压电与声光》1996,18(3):179-181
压电陶瓷滤波器是通讯设备的重要元件之一。陶瓷滤波器的带宽受压电材料机电耦合系数限制,相对带宽一般小于6%。采用锑锰锆钛酸铅压电陶瓷材料,厚度振动模式振子和差接桥型电路的宽带陶瓷滤波器,其通带宽度可达15%。  相似文献   

5.
研究了IDT/AIN/LiNbO。结构声表面波滤波器的频散特性,发现了高机电耦合系数(〉18%),高声速(〉10km/s)的纵向假声表面波模式。对研究得到的二次模进行了归一化插入损耗频率响应的模拟,其结果与文献报道的实验结果基本一致。  相似文献   

6.
具有小杂波激励的新切型基片—Y—78°X—90°LiNbO3   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文给出低杂波激励新切型基片——Y-78°X-90°LiNbO_3的一些研究结果,它是一种比常用的几种LiNbO_3基片在更宽的频带范围内有更低的杂波激励,它有中等的机电耦合系数和温度系数.是一种较好的中等带宽SAW滤波器基片材料.  相似文献   

7.
高质量的压电换能器需要具备较高的机电耦合系数和灵敏度。该文在传统型1-3-2压电复合材料的基础上提出了一种改进型1-3-2压电材料,提高了压电换能器的机电耦合系数和换能器的接收灵敏度。通过有限元仿真分析了不同间距对改进型1-3-2压电材料敏感元件的谐振频率、反谐振频率及机电耦合系数的影响,并与传统1-3-2型压电复合材料进行了对比。结果表明,与传统型1-3-2压电复合材料相比,在相同间距条件下,改进型压电材料的机电耦合系数约大0.03。制做的3种不同间距改进型压电材料表明,间距为1 mm的改进型压电材料的机电耦合系数较大,约为0.68。  相似文献   

8.
近年来声表面波(SAW)器件最常用的两种基片材料(α-石英和LiNbO_3)在满足某些器件性能方面都存在一些问题.例如,ST切α-石英对SAW虽有温度补偿作用,但它的机电耦合系数小,K_5~2=1.4×10~(-3),使它不适宜于要求低插损的宽带器件;而Y切Z传输  相似文献   

9.
该文提出了基于钽酸锂漏波材料设计的扇形声表滤波器。钽酸锂在36°Y-X切向时,其机电耦合系数(ΔV/V)为2.4%、频率温度系数(TCF)为-32×10-6/℃。36°Y-X钽酸锂具有较强的压电耦合性和适中的温度稳定性,用它设计相对带宽5%~10%的滤波器可以实现较小的插入损耗和适中的温度稳定性,器件实测结果与仿真相符。  相似文献   

10.
声光波导光开关可以作为高速光通信网络中的开关器件,其中光纤-器件对接耦合损耗大是影响其性能的主要因素.从光波导模场椭圆度和不对称度对模场失配引起的耦合损耗出发,计算Ti:LiNbO3波导与光纤耦合损耗最小时对应的最佳Ti离子扩散深度.分析得到不同切型的Ti:LiNbO3,波导中扩散深度、光纤模场半径对耦合损耗的影响.结果表明,y切Ti:LiNbO3波导耦合损耗约为z切波导的3倍.研究结果为共面型声光波导调制器中光波导制作参数的设计提供帮助.  相似文献   

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