难熔金属的磨削

难熔金属在空间设备(如:固体推进剂火箭发动机喷嘴,滑翔机用的凹人表面以及核空间能量系统)上的应用予示了,它有很好的前途。一般说来,所谓难熔金属就是其熔化温度高于铁、钴、镍的金属,如:铌(熔点:4460°F)、钼(熔点4750°F)、钽(5430°F)、钨(熔点6170°F)。除了这些难熔纯金属外,在国防应用上,人们还对其合金有相当大的兴趣。如钽合金(含80％的钽,20％的钨)等。这些难熔金属在加工上存在很多困难,它不但难于切削,而且也难于磨削,这不仅表现在原料去除率低,而且也容易损坏昂贵的工件。磨削的初步经验表明:任何材料的磨削都     

铼—一种独特的稀有金属

本文简述了铼金属粉末和铼化合物的生产以及铼在催化剂和镍基超合金中的主要用途。此外，我们还要叙述铼及铼－钼和铼－钨合金的性能以及铼及其他难熔金属的合金的些具体应用。     

Plansee公司——耐高温金属领先供应商

奥地利Plansee公司是采用粉末治 金方法生产耐热金属产品及零 部件的世界领先生产厂商,产品还包括ODS超级合金、硬质金属及钢。耐高温金属如钼、钽、钨或铬及其合金在增强微型电子零部件及附件的性能方面担负着举足轻重的角色。     

Mo和Mo—0.5HfC合金的高温拉伸性能

钼的熔点是２９８０Ｋ，有较好的室温加工性能，同其它难熔金属相比密度小，为１０．２２ｇ／ｃｍ＾３。钼作为高温结构材料的主要障碍是在０．５Ｔｍ以上温度时强度较低。目前发现弥散强化是提高难熔金属强度的有效方法＾「１－３」。碳化铪（ＨｆＣ）的结构类似于氧化钠（ＮａＣｌ）所有碳化物中它熔点最高，对于钼来说是一种理想的强化剂。以前的研究表明弥散粒子ＨｆＣ能使钼的再结晶温度提高６００Ｋ＾「４」。因此，在高温应用     

难熔金属———电光源关键材料

目前元素周期表中有４０多种元素在照明工业用作辅助材料和固态及气态发光剂（材料）。这些所谓的“难熔金属”亦对目前各种工业光源至关重要。这些元素包括Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｚｒ和Ｈｆ。掺钾不下垂钨的钨线圈（螺旋）成了各种工业白炽灯不可缺少的部件。从固体材料工艺学方面看，卤素白炽灯线圈（螺旋）亦是具有最高能量负载的部件。提高灯泡效能和延长使用寿命等多种应用需求日趋增大。钍钨成为几乎各种放电灯（有助于     

Ka波段冷阴极磁控管启动特性研究

冷阴极磁控管是一种性价比很高的可靠微波源,它具有瞬时启动、寿命长、可靠性高、系统容易实现小型化的优点。选用钯钡合金和难熔金属钽作为冷阴极材料,钽环作为一次发射体,由场致发射提供一次电子,钯钡合金为二次发射体,钯钡合金在一次电子的轰击下产生二次电子,两者提供磁控管阴阳极电流,实现磁控管正常振荡。从理论上详细分析了钽环厚度和钯钡合金温度对冷阴极启动特性的影响,基于理论分析结果,开展不同钽环厚度和阴极温度条件下磁控管工作性能研究,最终选用厚度为0.05 mm 的钽环作为冷阴极一次发射体,阴极工作温度在315~836 益之间,成功研制输出功率20 kW的Ka 波段冷阴极磁控管,冷启动稳定时间小于5 s,工作寿命超过500 h     

Ni-W合金原位拉伸形变的电子背散射衍射分析

采用配置在场发射扫描电镜中的电子背散射衍射仪和应变微拉伸仪,统计分析了Ni—W合金在原位单轴拉伸变形过程中,显微结构、晶界分布、晶粒转动及晶体学取向的变化。在形变（ε=22％）过程中,Ni-9％W合金中的大量晶粒转动,产生滑移,并分为亚晶。应变使大角度晶界的含量增加,挛晶界明显减小,晶粒转动量达15°。立方织构（001）[100]随拉伸形变量的增加而减小。     

EBSD技术在形变Zr合金组织与织构研究中的应用

本文采用配备在扫描电镜中的EBSD系统及相应的取向分析和组织重构技术,对形变状态和退火状态下Zr合金的微观组织及织构演变规律进行了初步研究。结果表明,形变样品中晶粒细碎且不均匀,具有较为明显的形变带特征;织构主要为基面平行于轧面（（0002）／／Z）取向织构,同时还存在较多的{0001}（1010）和{0001}（1150）织构及{1104}（1102）织构。退火样品中晶粒均匀,基本为等轴晶,几种主要基面织构变化不大,但{1104}（1102）织构含量与形变样品相比提高了一倍以上。     

超高纯Al-0.5%Cu合金溅射靶材微观组织与织构的EBSD分析

用EBSD技术对超高纯（99.9995%以上）Al-0.5%Cu合金靶材冷轧及退火过程中的微观组织、织构及取向差进行了表征,分析了合金靶材多向冷轧、退火过程中微观组织、织构及取向差等的演变规律。     

1Gb DRAM

日本NEC公司已采用氧化担薄膜的电容单元制成在1GbDRAM用的电容绝缘膜，其绝缘性能比硅氧化膜高好几倍，而目标是使用于1GbDRAM的氧化钽达到实用化水平。在下电极上采用半球状（SHG）的多晶硅，中间夹有钨，氧化钽的厚度用氧化膜来换算为1．6um，达到薄膜化，控制电极高度，容量可比以前增加2．6倍。所开发的氧化担的电容单元，下电极与以前一样为多晶硅，为了增加面积，已制成（SHG）结构。在其结构上面直接形成氧化担，要使本身的氧化膜变厚，把钨做在下电极的最上面，然后用化学汽相生长法淀积氧化担。上电极采用氯化钮。把氧化…     

纳米异质外延层与衬底的晶体取向匹配的电子背散射衍射分析

本文采用电子背散射衍射（EBSD）,测量纳米异质外延层的织构,及外延层与衬底的晶体取向匹配。测试的材料包括作为YBCO超导膜的过渡层、生长在强立方织构Ni-5at.%W（Ni-W）衬底上的La2Zr2O7（LZO）外延层,及LED器件中生长在蓝宝石衬底上的GaN过渡层和外延层。EBSD测量出LZO外延层具有旋转立方织构,显示出LZO与Ni-W衬底的面内取向（转动45°）及面外取向（沿[001]方向）的匹配关系。EBSD测量出GaN过渡层与蓝宝石衬底的面内取向（转动30°）的匹配关系,显示出由GaN过渡层的晶格畸变而引入的平行于外延生长方向的弹性应变梯度（约500 nm）。     

高纯难熔金属及其硅化物在微电子领域的应用

现代微电子装置使用了高纯难熔金属硅化作为接点，栅极，布线，阻挡层和集成电路的喷涂金属粉。这些材料良好的化学稳定性和热稳定性为厚度不到１μｍ的集成电路的设计铺平了道路。这些应用的重要的先决条件是制取碱金属，碱土笔过渡族元素的含量低于０．０５ｍｇ／ｋｇ（ｐｐｍ）的高纯难熔金属及其硅化物。铀和钍的残余浓度甚至降到０．０００５ｍｇ／ｋｇ（ｐｐｂ）以下。     

平面应变压缩过程中初始取向对AZ31镁合金变形行为的影响(英文)

在室温和150℃下对AZ31镁合金进行平面应变压缩试验,应变速率为0.01s-1,形变量为0.1。试样（切割于强织构的热轧板）的压缩轴c与其基面法向成不同的角度,从而研究初始织构对AZ31镁合金塑性变形行为的影响。利用电子背散射衍射花样（EBSD）采集变形试样的微观结构和织构信息,分析孪生和滑移行为。实验发现AZ31镁合金塑性变形由{1012} 〈011〉拉伸孪生和基面滑移共同控制,并确定了各种变形模式比例与晶体初始取向的关系,其中拉伸孪生在压缩轴垂直于c轴方向时占主导作用。     

钨中细分散氧化铈的构成方法

由本发明的方法制取掺杂钨粉或烧结钨条，有锆、铪、镧、钇族和稀土中至少一种金属氧化物。由一种可溶性金属盐溶液和蓝色氧化钨粉刺制取混合物。混合物与起沉淀作用的氢氧化动溶液混合，在蓝色氧化钨粉上形成金属的氢氧化物沉淀。在还原气氛中加热蓝钨和氢氧化物沉淀。制取具有分散氧化物颗粒的钨粉。压制掺杂钨粉并烧结成细弥散金属氧化物的钨条。     

选区激光熔化成形VNbMoTaW难熔高熵合金工艺研究

采用选区激光熔化技术制备了VNbMoTaW难熔高熵合金，研究了激光工艺参数对VNbMoTaW难熔高熵合金试样的表面成形质量、微观组织和力学性能的影响。结果表明，当采用较高的功率和较低的扫描速度时，可有效改善VNbMoTaW试样表面质量，其中孔隙和裂纹是选区激光熔化技术制备VNbMoTaW难熔高熵合金的主要缺陷。VNbMoTaW难熔高熵合金组织主要由柱状晶和胞状晶组成，底部和中心大多为柱状晶，而熔池的两侧及顶部主要为胞状晶。VNbMoTaW的最高极限抗压强度可达2154 MPa，相比电弧熔炼方式制备的合金强度提高了69.6%。     

断路器中电流开断时铜钨电极发热的数值模型

本文介绍了断路器中铜钨电极在电流开断时的模型。涉及到的主要物理现象有：热扩散、铜相变化（钨仍为固体）、蒸汽生产时对局部温度的依赖、液态铜的扩散等。根据有限体积方法，推导出的模型可以计算出材料内部放出的热量。也可测定出侵蚀速率以及残余的铜密度。     

亚稳态β钛合金冷旋锻形变组织的EBSD和TEM研究

本文利用电子背散射衍射（EBSD）和高分辨透射电子显微术（HRTEM）研究了冷旋锻亚稳态β钛合金Ti-23Nb-0．7Ta-2Zr-1．20（摩尔分数，％）（TNTZO）的形变组织，结果表明冷旋锻TNTZO合金具有与冷旋锻态或拉拔态普通体心立方金属相似的螺旋状组织及相同的织构组分——（110）丝织构；高分辨透射电镜观察表明冷旋锻TNTZO合金中存在1/2（111）位错。因此可认为TNTZ0合金仍通过传统的位错滑移机制进行塑性变形，不存在所谓的无位错塑性变形机制。     

氧化导致的Fe—Pt薄膜合金成分偏离的分析方法

Fe-Pt薄膜有望在高密度磁记录中得到应用，其合金成分是影响磁记录性能的一个重要因素。Fe50Pt50被认为具有最优的铁磁性能，而在非外延（001）薄膜织构生长中Fe60Pt40的成分被证明有助于提高易磁化轴c轴的取向度。然而，我们发现纳米薄膜和纳米颗粒的表面氧化会严重影响薄膜中合金的成分。但由于一般Fe-Pt40的成分被证明有助于提高易磁化轴c轴的取向度。然而，我们发现纳米薄膜和纳米颗粒的表面氧化会严重影响薄膜中合金的成分。但由于一般Fe-Pt纳米薄膜和纳米颗粒的氧化层极薄，     

双坩埚大功率磁偏转电子束蒸发枪的研制

由于硅材料的熔点较高（１４２０℃），难以用传统的电阻加热方式来蒸发硅材料，为产生高纯硅分子束流，特设计出这种能适应于超高真空环境的大功率电子枪，该枪对其它高熔点材料（钨、钼、钽等）同样具有良好的蒸发性能。本文对这种电子枪的原理及性能作一简单的介绍。     

织构化钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备与性能研究

用熔盐法制备了片状 Bi4Ti3O12模板,由 Bi4Ti3O12片状前驱体制备了 Bi0.5Na0.5TiO3（BNT）模板,由模板晶粒生长法制备了织构化0.91Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3-0.03K0.5Na0.5NbO3陶瓷。研究了 Bi4Ti3O12以及Bi0.5Na0.5TiO3两种模板及模板含量对Bi0.5Na0.5TiO3无铅压电体系织构化的影响及织构化陶瓷的压电性能。结果表明Bi0.5Na0.5TiO3模板比Bi4Ti3O12模板更适合用于此体系的织构化,并且,在加入质量分数15%的Bi0.5Na0.5TiO3模板时 Bi0.5Na0.5TiO3陶瓷取向度达到87.3%。质量分数5%的 BNT 模板织构化的陶瓷在6×103 V/mm 电场下应变达到0.226%,相较于随机取向陶瓷提高了48.7%。