GaN外延结构中微区应变场的测量和评价

 采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量GaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变的影响范围大约200×700nm.采用快速傅立叶变换(FFT)提取菊池花样的衍射强度,识别GaN外延结构中的应变/无应变区域.     

环境扫描电镜中电荷环境的测量

在环境扫描电镜(ESEM)中,采用高灵敏度的pA-表测试系统,测量法拉第杯,以及Cu-Zn合金、单晶Si、单晶Al2O3三种样品的样品电流(ISP)。ISP值反映出由电子流和离子流控制的ESEM样品室内的电荷环境。法拉第杯的ISP反映出入射电子和离子所控制的电荷环境;样品的ISP反映出入射电子、信号电子和离子所控制的电荷环境。由ISP值可确定ESEM在不同操作和环境条件下的离子化效率、离子化饱和程度,以及气体分子的散射作用。     

扫描电镜中的电子反射镜像现象及应用

观察非导电样品在扫描电镜（SEM）中产生的电子镜现象。研究了电子镜出现的条件，监测了电子镜像出现过程中表面电势Es和吸收电流Ia的变化。结果表明，当Es达到7kV～9kV时出现了电子镜像。当电子总发射产额σ≌1，Es≌4kV，及Ia≌0时，形成了稳定而无畸变的电子镜像。利用电子镜现象可确定电子散射率及入射电子能量的临界值E2，以及评价非导电样品导电性能。     

GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析

采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30～40nm的空间分辨率,显示GaAs-AlGaAs外延结构中的应力分布.将菊池花样质量IQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs-AlGaAs周期外延层中的应变状态.通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域.     

生命之续北大核心CSCD

作品简介:拟南芥花授粉过程拍摄仪器:冷冻扫描电子显微镜Hitachi S-3000N&Quorum PP3000T作品描述:当老花粉偶遇柱头;当嫩花粉管寻到胚珠;花,将退落;生,得延续。实验方法:先将样品经液氮雪泥速冻,经低温镀膜后在-130℃状态下电镜观察,最后将电镜得到的灰度图再经后期伪彩加工而成。     

采用法拉第杯评价ESEM的电荷环境

采用环境扫描电镜（ESEM），非导体及含水样品不经过表面喷金或喷碳处理就能直接观察。在ESEM样品室中，电子-离子-样品相互作用，构成了一个复杂的动态电荷环境：入射电子（PE），二次电子（SE）、背散射电子（BSE）受到气体的散射作用；气体分子被PE、SE、BSE电离产生正离子流向样品表面运动，并与电子中和；离子场对SE的场助发射作用等。因此测量及评价ESEM的电荷环境，可为消除荷电效应，或利用荷电效应成像提供依据。     

Ni-W合金原位拉伸形变的电子背散射衍射分析

采用配置在场发射扫描电镜中的电子背散射衍射仪和应变微拉伸仪,统计分析了Ni—W合金在原位单轴拉伸变形过程中,显微结构、晶界分布、晶粒转动及晶体学取向的变化。在形变（ε=22％）过程中,Ni-9％W合金中的大量晶粒转动,产生滑移,并分为亚晶。应变使大角度晶界的含量增加,挛晶界明显减小,晶粒转动量达15°。立方织构（001）[100]随拉伸形变量的增加而减小。     

ZnO纳米线原位生长的ESEM方法

以环境扫描电镜(ESEM)为基础,配置氧气微注入系统及加热台附件,作为ZnO纳米线生长的微型实验室。实验结果表明,纯Zn片在环境压力为1×10-2Pa和300℃的环境条件下,可原位反应生成直径几十纳米的、较均匀的ZnO纳米线。     

拟南芥花粉管的原位冷冻扫描电镜实验方法

花粉管在双受精过程中发挥着至关重要的作用,因此观察花粉管的生长是进行相关研究的重要手段.冷冻扫描电镜(Cryo-SEM)可实现对花粉管的原位观察,但由于花粉管样品的特殊性,常规制样方法并不适用.为此,研究者针对不同生长阶段的花粉管设计了两种冷冻扫描电镜的原位观察方法,并证实采用插秧式粘贴方法适用于柱突处的花粉管、采用液氮剥离方法适用于胎座表面处的花粉管,二种方法均可成功观察到花粉管的原位和原貌信息,为花粉管行为和相关受精机制的研究提供了有效方法.     

应变镍钨合金的原位电子背散射衍射分析

采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,原位测量了Ni-W合金在不同应变状态下的晶体学参数,包括Kikuchi花样质量(IQ值)及可信度(CI)、晶格错配、晶界类型、晶粒尺寸和织构.采用快速傅立叶变换(FFT)对菊池花样进行了处理,并计算其衍射强度.当Ni-W的应变量增加到1.57倍,Kikuchi花样的衍射强度降低到54%,从而导致IQ和CI值减小,允差角(Fit)和位错密度增大.结果表明IQ、CI、Fit及晶格错配可作为应变敏感参数,评价多晶材料中的应力和应变状态.