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为了实现天线收发共用,设计了一种大功率短波宽带收发开关,它主要用于高频雷达和大功率短波通信系统.从提高隔离度的角度提出了以对称式双PIN二极管为核心的开关电路,为了减少收发开关的转换时间、降低功耗和提高其稳定性,提出了单极性脉冲电路作为开关电路的控制脉冲电路,同时提出了接收机和发射机保护电路.在便携式高频地波雷达系统中,单极子/交叉环天线通过大功率短波收发开关实现了一发三收收发共用,简化了便携式高频地波雷达的天线系统,减少了天线的占地面积,同时降低了天线架设的难度,本系统硬件电路简洁,功耗低,工作稳定、可靠. 相似文献
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大功率四端环流器是雷达收发信号的关键器件。雷达发射机通过它将电磁波馈向天线,目标回波信号通过它馈向接收机。本文阐述了用于某型雷达的S波段大功率四端环流器的设计、试验、调试及测试结果。 相似文献
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大功率有源馈电网络收发系统越来越多地运用于相控阵雷达卫星中。介绍了一种星载大功率有源馈电网络收发系统的实例,并探讨了星载环境的幅相一致性、抗微放电以及抗空间静电放电等关键设计技术。本系统由16套大功率固态T/R组件、1套功率分配网络和1套高频电缆网组成。 相似文献
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介绍了一种VHF波段全固态大功率行发射机的设计,对发射机的系统组成、数字收发模块、前级功放组件、末级功放组件等关键技术展开了详细的阐述。为了提高天线的合成效率和波束指向精度,设计中采用了基于数字收发的幅相校正技术,保证了发射机每行输出幅度和相位的高度一致性。 相似文献
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采用ADS软件仿真设计了一种基于GaAs小信号单片微波集成电路(MMIC)、GaN大功率MMIC和多层复合介质板的C波段小型化发射/接收(T/R)模块,实现了微波信号的放大、收发控制、数字幅相控制及+28 V高压电源调制的一体化,具有小体积、轻量化、低噪声、高功率、高效率等特点.TR模块尺寸为33 mm×65 mm×10 mm,在C波段实现指标为:发射功率50 W,功率附加效率28%,接收增益37 dB,噪声系数3 dB. 相似文献
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T/R组件是相控阵雷达有源分布阵列天线的核心部件,其性能直接影响雷达整机的指标。介绍了一种P波段大功率T/R组件的工作原理、设计方法和检测技术,并根据设计方法加工了实物样件,该T/R组件采用相控阵体制结构来实现:发射通道主要由移相器、衰减器和高功率放大器组成;接收通道主要由低噪声放大器、移相器和衰减器组成。在2dBm输入功率的情况下实现了200W输出功率,效率高达35%,在采取幅相一致设计措施后,该功放组件在100dB的动态范围内实现了相位误差在±3°以内。 相似文献
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A 500-600 MHz high-efficiency, high-power GaN power amplifier is designed and realized on the basis of the push-pull structure. The RC-LC stability network is proposed and applied to the power amplifier circuit for the first time. The RC-LC stability network can significantly reduce the high gain out the band, which eliminates the instability of the power amplifier circuit. The developed power amplifier exhibits 58.5 dBm (700 W) output power with a 17 dB gain and 85% PAE at 500-600 MHz, 300 μs, 20% duty cycle. It has the highest PAE in P-band among the products at home and abroad. 相似文献
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宽带大功率微波功放在通信对抗中的应用越来越广泛,而宽带功放的设计在国内还处于起步阶段。介绍了一种用ADS技术来设计宽带微波功放模块的方法,利用MESFET功放管提供的静态Ⅳ特性曲线和小信号S参数,分别优化放大器的输入输出匹配电路,以期达到宽频带大输出功率的目的。通过一个1~2GHz 10W功放模块的设计实例,较为详细地介绍了ADS技术在设计过程中的应用,最后给出了试验电路的测试结果。 相似文献
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氮化镓功率半导体器件技术 总被引:1,自引:1,他引:0
作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,特别是大直径硅(Si)基GaN外延技术的逐步成熟并商用化,GaN功率半导体技术有望成为高性能低成本功率技术解决方案,从而受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。总结了GaN功率半导体器件的最新研究,并对GaN功率器件发展所涉及的器件击穿机理与耐压优化、器件物理与模型、电流崩塌效应、工艺技术以及材料发展等问题进行了分析与概述。 相似文献
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F类功率放大器是一种新型高效率放大器。可用于雷达、通信和电子对抗等领域的末级功率放大器,是现代电子设备高效率、高功率和小型化功率放大器的重要途径。分析了其工作原理和设计方法,并设计了一款S波段高效F类功率放大器,输出功率大于10 W,实际效率达到75%,增益大约12 dB,实测结果验证了仿真设计的有效性。 相似文献
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