开关管镀镍工艺理论及应用研究

本文研究并选择了适宜于开关管镀镍的种类，并对其性能进行了比较深入的分析，为开关管镀镍奠定了理论基础：研究了镀镍层对开关管性能参数的影响，经镀镍技术经济分析，确立了开关管镀镍的使用前景。     

三极真空开关管

三极真空开关管通常所称的真空开关管在用作三相电路开关时，其本身的优点得不到充分发挥，故而三菱电机株式会社的竹内伴治发明了一种三极真空开关管。该管中设置了三对触头，只通过一个柔性波纹管和一个操作杆，就可实现三对触头的开闭。而以往真空开关管作三相电路开关...     

基于TMS320LF2407的SVPWM死区研究

对于三相全桥式变流电路，由于功率开关管的非理想开关特性，同桥臂的两开关管容易发生短路故障。为解决这一问题，通常的办法是加人一个死区时间．即在一只开关管关断后隔一段时间再开通另一只开关管。如果提前关断且延迟开通，称为双边对称设置。若按时开通．延迟开通，称为单边不对称设置。     

VMOS场效应管开关电源

本文介绍用新型功率器件ＶＭＯＳＦＥＴ研制的输出直流２４Ｖ、１０Ａ开关电源。该电源与双极型功率管开关电源相比，效率进一步提高，体积、重量进一步减小，电路大为简化，可靠性大大提高。与双极型功率管相比，ＶＭＯＳＦＥＴ具有两大突出优点：１）开关速度极快，可以在几ｎｓ到几十ｎｓ的时间内开关几Ａ到几十Ａ的电流，比同功率双极型开关管快１～２个数量级；２）ＶＭＯＳＦＥＴ为电压控制器件，几乎不需要驱动电流。因此，用ＶＭＯＳＦＥＴ代替双极型功率管可使管耗进一步下降、效率进一步提高；集成块可直接驱动，使驱功电路非常简单而可靠，功耗、体积也相应减小。有效地克服了双极型开关电源的缺点。     

功放的录音座输入端子

Q 我前段时间买了一台二手合并式功放，牌子叫做GOODMAN，听说是英国的，是这样吗？这台功放声音还不错，我想请教的是前几天发现的一个现象：有一天突然发现功放出不了声了，摆弄了半天，最后发现是家人做清洁时不小心把功放面板上的TAPE开关按下去了。我这才注意到TAPE开关和另外几个输入选择开关有些不同，那几个开关的操作是多选一，就是说按下某个开关时，先前按下的会自动弹起来（我描述得不清楚，不过相信编辑先生应该能明白我的意思），唯独这个TAPE开关是自己管自己，     

开关稳压电源的效率与调整管调整效率的关系分析

从开关稳压电源中调整管的工作状态出发，定量计算出调整管的功率损耗，具体分析出开关稳压电源的效率与调整管调整效率的关系。     

类火花开关管

类火花放电是５０ 年代末期发现的一处低气压气体放电现象。利用这种放电现象制成的一种真空电子器件即类火花开关管，具有耐压高、功率大、电流上升速度快和重复频率高等特点。这种开关管可以替代闸流管、触发管、真空开关管和引燃管等器件，在高功率脉冲装置中应用，其效果良好。文中叙述了类火花放电的过程和特征、类火花开关管的特点、触发方式、种类及其结构特点，最后指出了类火花开关管的应用及其发展前景     

IGBT在雷达发射机中的应用

IGBT是一种综合性能十分优越的大功率开关管,广泛应用于大功率电子电路中,具有功率大、电压高、电流大、开关时间快等优点。本文介绍固态开关管IGBT在发射机几种典型类型的调制器电路中的应用方法和注意事项。     

开关电源的电磁干扰研究与对策

介绍了开关电源的基本工作原理,分析了其产生电磁干扰(EM)I的原因及其造成的危害,给出了几种抑制其谐波干扰的方法,如:滤波、屏蔽、接地技术等。重点研究了软开关技术,PFC主电路采用无损吸收缓冲网络,使开关管实现了零电流开通和零电压关断。通过对其开关管工作原理的分析,说明了此电路在改善电流谐波、降低开关管的开关损耗、提高转换器工作效率方面的突出特点。     

光网络开关中的微热学控制技术研究与应用

文中对热光波导光开关、喷墨气泡光开关、微热管光开关、热驱动MEMS 光开关等几种典型光开关中所涉及的热科学问题进行了评述。在对其关键问题进行深入分析的基础上,尝试提出了几类可能的解决方案,对于研究开发新型光开关及升级改进现有光开关技术具有积极的参考价值。     

输出电压估计误差的研究

本文在详细分析了直流母线电压和逆变器三相开关管状态进行输出电压估计的基础上，研究了死区时间和开关管非线性特性对输出电压估计的影响，并实现了以TMS320F240为核心的简易矢量控制系统。针对1.1kW异步电机进行了实验，结果表明死区时间与开关管非线特性对输出电压估计具有很大影响。     

一种基于开关电容的带隙基准电路

设计了一种基于开关电容的新型带隙基准源。该基准源利用开关电容放大器，减小运算放大器输入失调电压的影响，同时，采用基极电流消除技术和虚拟开关管，减小PTAT电压的误差，以及开关管断开时带来的寄生效应。仿真结果表明，该基准源电路具有良好的温度系数和线性调整率，属于离散时间带隙基准。     

应用轨迹法分析功率开关管的损耗

本文提出子一种用于判断功率开关管损耗的新方法－－轨迹法，它使得用普通示波器观察功率开关管的损耗成为可能。实验结果表明，该方法具有中的实用性。     

基于传输线的纳秒脉冲成形电路研究

提出了一种脉冲成形和脉冲展宽的方法，在基于理想开关的纳秒脉冲成形电路基础上，使用MOS管代替理想开关，保证MOS管工作在饱和区实现了脉冲成形，分析了MOS开关进入饱和区后在不改变传输线延迟时间的情况下，改变电源电压可以实现脉冲展宽，并通过实验验证了仿真获得的结果。     

长虹NC-3机心彩电开关电源故障分析与检修

<正> 长虹NC-3机心彩电开关电源的常见故障有以下九种,本文将分析这九种故障的原因并介绍故障检修方法。 1.开关管击穿短路 开关管击穿短路有两种故障表现形式:(1)总电源开关接通瞬间,开关管击穿短路,同时有多种器件损坏;(2)电视机使用过程中开关管击穿短路,并伴有其它元器件损坏。 开关管击穿短路说明开关管的集电极电流超过了开关管最大允许电流。造成开关管电流急剧增加的原因,一是开关电源稳压电路和过流保护电路有故障,在     

平衡半桥D类放大器

一．D类放大器失效的主要原因 目前,实用的D类放大器,无论是集成电路还是分立元件,开关输出级全部采用了半桥或全桥结构。这种桥式电流开关是两个MOS管串联后直接跨接在正负电源两端,或电源两端与参考地之间。正常情况下,两个MOS管是轮流导通的,关闭的MOS管起限流和防止电源短路的保护作用,这是理想的状态。实际上由于开关管的延迟效应、储存效应等参数的差异,以及死区时间设计过小等因素,都会引起两个MOS管同时导通,这时灾难就发生了。MOS管的导通电阻很小,只有几十到几百111Q,这么小的电阻跨接在电源两端上,一个很大的电流将引起电源短路,这种现象叫通溃（ShootThrough）。     

单级功率因数校正电路及其开关应力分析

文章给出了几种单级功率因数校正电路的拓扑结构，计算和分析了其功率开关管上的电压应力和电流应力。为设计功率因数校正电路选择适宜的电路拓扑结构提供了一种依据。     

几种全固态刚管调制器的对比

随着固态开关器件串并联技术的发展,采用多个全固态开关管串并联实现大功率全固态刚管调制器的技术越来越成熟.文中介绍了近年来大功率全固态刚管脉冲调制器的发展情况,分析了各种类型的刚管调制器特点和关键技术,给出了几种调制器的典型波形,分析了各自的应用场合,同时对各种调制器的优势进行了总结,对应用前景进行了展望.     

一种智能功率集成电路隔离技术

本文介绍一种智能功率集成电路（高边ＣＭＯＳ模拟开关）的隔离技术。对除开关管ＶＤＭＯＳ管以外的器件采用自隔离技术，ＶＤＭＯＳ管不是自隔离的。衬底电势的变化易引起电路闭锁，采用浮阱技术来防止电路闭锁。     

多谐振软开关全桥Boost变换器

提出一种利用多谐振实现开关管软开关的全桥Boost变换器.其将变压器漏感作为谐振电感,利用电感与电容谐振实现桥臂开关管和箝位开关管的软开关.桥臂开关管工作于零电流开通与零电压关断状态.有源箝位电路既可抑制变换器工作时可能出现的振荡电压,又可将箝位电容吸收的能量返还回主电路,且箝位开关管工作于零电压开通与零电流关断状态.最后利用硬件实验验证了其多谐振软开关特性.