基于FPGA的高速峰值检测

针对研发数字多道的实际需求,提出了一种基于FPGA的高速峰值检测技术,并且采用ARM+FPGA的架构实现了基于该技术的数字多道系统。通过Modelsim仿真分析了FPGA峰值检测算法的理论,该算法可精确获取高斯信号的最值并获得幅度值。最后通过CZT探测器进行~(241)Am源实测γ射线能谱,实验结果表明该峰值检测算法及数字多道系统设计可准确并且快速获得能谱图。通过合理设置峰值检测算法的高低阈值,可以测试不同基线值的前放信号。     

粗糙表面的统计研究

论述了粗糙表面的表征方法,根据表面形成的随机特性,将粗糙表面的高度分布归为二项式分布.根据粗糙度取值的不同,讨论了泊松分布表面和高斯分布表面的高度分布特点和表面截面积及相对密度的分布情况.对表面接触状态进行了初步分析,认为表面接触存在一定的嵌入深度,并且根据嵌入深度可以估算表面接触面积.分析结果表明:泊松表面和高斯表面...     

影响低电压电泳芯片分离的主要因素

运用简化的低电压电泳芯片的运动梯度场的分离和控制模型 ,对低电压芯片的各参数与分离度、分离效率的关系进行了讨论     

基于FPGA的高精度直接数字频率合成器设计

介绍了直接数字频率合成器的原理和特点,给出了利用FPGA实现DDS的方法.采用Brent-Kung二元树结构实现了流水线型累加器,该方法克服了累加器进位链过长的问题,使系统运行速度得到改善;运用并行Cordic(坐标旋转计算)算法实现幅度相位转换,包括提前计算进位方向和将后8级合并为一级,进一步减小了系统所耗硬件资源和功耗,并给出了仿真结果.     

纳米CMOS低噪声放大器的研究

介绍了纳米CMOS器件及其新技术,同时利用安捷伦公司的ADS软件,基于台积电0．18μm的RFCMOS工艺,设计了中心频率为5．2GHz的纳米CMOS低噪声放大器,达到了较好的性能。     

影响低电压电泳芯片分离的主要因素

运用简化的低电压电泳芯片的运动梯度场的分离和控制模型,对低电压芯片的各参数与分离度、分离效率的关系进行了讨论.     

二维电容式硅微加速度传感器的刚度求解

硅微电容式加速度传感器具有灵敏度高、噪音低、漂移小、功耗低、结构简单等优点,在军民两用市场中有着广泛的应用前景.本文针对自主开发设计的一种带折叠梁的二维叉指电容式硅微加速度传感器,采用力法求解了其主轴刚度,为进一步研究该二维微加速度传感器的动态响应特性提供了理论依据.     

磁控溅射SiC/W纳米多层膜的微结构研究

用磁控溅射法在Si基底上制备了不同调制波长的SiC／W纳米多层膜。利用小角度X射线衍射技术（LXD），详细研究了其中典型的多层膜的调制周期性，各子层的厚度及界面平整度等界面微观结构。结果表明：磁控溅射法制备的纳米多层膜具有较好的周期结构及陡峭的界面梯度，由衍射峰位置计算出的界面不均匀度与子层厚度之比一般在5％以内。另外，对于小角度X射线衍射谱线中的所谓峰分裂现象进行了分析和计算。     

MPEG-2传输流多路复用的软件设计与实现

对13818-1系统部分码流结构进行分析,对节目特殊信息(PSI)获取、重构、PID重映射、节目参考时钟(PCR)修正等关键技术进行了研究.结合交织调度算法,加入空包补偿,用软件方法设计并实现了基于MPEG-2传输流的多路复用器.通过测试,该复用器可将6路单节目传输流(SFIS)复用为1路多节目传输流(MPTS),并且解复用后,视频、音频具有很好的同步效果.     

W/Mo超晶格薄膜的微结构研究

纳米多层膜因常出现物理或力学性能的异常而成为薄膜研究的热点之一。采用ＸＲＤ和ＴＥＭ技术研究了Ｗ／Ｍｏ纳米多层膜微结构。结果表明,Ｗ和Ｍｏ由于同为体心立方结构,且晶格常数相近,由它们交互重叠形成的纳米多层膜具有柱状晶穿过调制界面外延生长的结构特征,形成多晶超晶格结构。