有机超导体最高温度Tc在不断提高

第一种有机超导体是在1980年发现的,它的临界温度低于1K。1988年,有机超导材料的最高临界温度越过10K。近年来,该温度又有提高:亚尔古恩(Argonne)国际实验室的研究者目前报导了两种新合成的有机超导体。其中一种超导体的临界温度在环境压力下是11.6K;第二种材料在0.03GPa压力下变成超导的温度是12.8K。在超导性开始的临界值范田以外,压力增大时,新超导体的临界温度下降。这就有     

多孔功能梯度梁的热-力耦合屈曲行为

采用经典欧拉梁理论和高阶三角剪切变形理论,研究了多孔功能梯度梁的热-力耦合屈曲行为。分析中考虑了材料物性与温度的相关性,采用含孔隙率的Voight混合模型描述了多孔功能梯度的材料属性。利用迭代算法求解结构在均匀、线性和非线性温升(考虑热传导效应)下的热-力耦合屈曲临界温度,讨论了材料非均匀参数、孔隙率和长细比等参数对屈曲临界温度的影响。ABAQUS数值模拟结果和文献对比结果验证了理论的可靠性,同时表明高阶剪切变形理论较经典欧拉梁理论精确。结果表明,功能梯度材料梁的热屈曲分析必须考虑物性与温度的相关性,否则可能高估热屈曲临界温度10%~30%;随着孔隙率增大,材料的等效弹性模量减少,即结构刚度有所弱化,但屈曲临界温度反而大大增高。     

德国发布新闻公报:硫化氢创下超导临界温度最高纪录

<正>德国马克斯·普朗克协会化学研究所日前发布新闻公报说,其研究人员发现,高压下的硫化氢会在-70℃时失去对电流的阻碍能力,超导临界温度的最高纪录由此被刷新。超导体在一定低温条件下会出现电阻为零的现象。使超导体电阻为零的温度,叫做超导临界温度。此前的纪录是铜氧化物超导材料的超导临界温度最高,其中一种材料在高压下的超导临界温度     

神奇的可逆热敏变色材料

神奇的可逆热敏变色材料,可在各种场合下通过热量及温度而显示自身的颜色变化。经过特殊加工与处理后的这种材料(各种有机或无机材料,如:纸张、石膏板等),在其所处温度超过一定值(变色临界温度)后,便变成了绿色,当温度降到变色临界温度以下后,又立即回复为原来颜色。原来颜色可为除绿色之外的各种颜色,也即来经处理前的原材底色。这种材料温度与颜色变化之间的关系:在一般气温下,如水中或无热源直接辐照的空气中,变色临界温度为     

超导材料的研究进展及应用现状

超导体不仅在临界温度下具有零电阻特性,而且在一定的条件下具有常规导体完全不具备的电磁特性,因而在电气与电子工程领域具有广泛的应用价值。我国在超导材料及其应用领域总体上处于国际先进行列,基本掌握了各种实用化超导材料的制备技术,在多个应用方面也取得了良好的发展。我国超导材料及其应用领域将不断探索更高临界温度的超导体,提升超导材料及其应用技术的发展水平。本文将介绍超导材料的研究进展及其实际应用情况。     

复合材料层合板非线性热屈曲分析

本文基于高阶变形理论和修正型Hahn-Tsai非线性本构模型,提出一种复合材料层合板非线性热屈曲分析方法.针对四边简支反对称角铺设复合材料层合板,导出了非线性热屈曲临界温度封闭解.数值结果表明:材料非线性能显著降低层合板临界温度.      

复合材料层合板非线性屈曲分析

本文基于高阶变形理论和修正型Ｈａｈｎ－Ｔｓａｉ非线性本构模型，提出一种复合材料层合板非线性热屈曲分析方法。针对四边简支反对称角铺设复合材料层合板，导出了非线性热屈曲临界温度封闭解。数值结果表明：材料非线性能显著降低层合板临界温度。     

波动温度环境下形状记忆合金梁的参激振动控制EI北大核心CSCD

引入形状记忆合金多项式本构模型描述材料的热力学行为,导出形状记忆合金梁在横向周期力扰动下的非线性动力学控制方程,从而研究合金梁在波动变化温度场中的参数激励振动控制。数值分析表明,温度对形状记忆合金梁的弹性模量和振动特性影响很大,且利用最大Lyapunov指数法可以获得临界温度值,当温度在该临界温度值附近波动时可以实现形状记忆合金梁的参数激励振动控制。最后,讨论临界温度值受外激励振幅和频率的影响,从而拓展所提出方法的实际应用。     

高温超导材料的商业用途和开发现状

1987年2月,美国休斯敦大学制得临界温度超过77K 的稀土铜氧化物超导材料。新超导材料可用比液氦便宜得多的液氮作冷却剂。与在液氦温度冷却现有金属超导体消耗     

波动温度环境下形状记忆合金梁的参激振动控制

引入形状记忆合金多项式本构模型描述材料的热力学行为,导出形状记忆合金梁在横向周期力扰动下的非线性动力学控制方程,从而研究合金梁在波动变化温度场中的参数激励振动控制.数值分析表明,温度对形状记忆合金梁的弹性模量和振动特性影响很大,且利用最大Lyapunov指数法可以获得临界温度值,当温度在该临界温度值附近波动时可以实现形...     

信息三则

据苏联《科学技术革命:问题和解答》1989年第9期报道,苏联科学院合成聚合材料研究所最近在超导研究中,发现了一种临界温度达280K的超导材料,有时甚至在429     

高Tc超导薄膜研究近况

新的氧化物超导体的高临界温度特性为人们利用物质的超导电性展现了光明的前景。但由于这类超导体是多组元的氧化物陶瓷,其体材料中允许通过的电流远不能满足实际应用的需要,而其优质的膜材料却允许     

热处理工艺参数对结构钢内部裂纹愈合的影响

用钻孔压缩法在试样内部引入裂纹,然后对含内部裂纹的试样进行不同加热温度和不同保温时间的空冷处理,采用金相显微镜及扫描电镜观察分析裂纹愈合程度,研究了热处理工艺参数对20钢、45钢、20CrMnTi钢内部裂纹愈合的影响。结果表明：温度是影响裂纹愈合的主要因素,而加热时间的影响次之;裂纹愈合存在临界温度,此-临界温度应大于该材料的最低再结晶温度。     

Y-Ba-Cu-O厚膜超导材料

本文报导了采用丝网印刷法制备 Y-Ba-Cu-O 系厚膜超导材料的工艺以及热处理对厚膜超导体微结构、超导电性的影响。在 ZrO_2基片上烧出的厚膜,其临界温度 T_(c(p-o))>77K。     

磁体用NbTi超导体的研究进展

NbTi是典型的低温超导材料,广泛应用于核磁共振成像(MRI)、核磁共振(NMR)、高能物理(HEP)等领域.常用NbTi超导材料的临界温度Tc为9.6K,4.2K时的上临界场Hc2为11T,因此NbTi超导材料的应用都是在低场范围内,也是不可替代的低场超导材料.综述了NbTi超导材料的发展现状和未来的发展趋势.     

在金属带上涂覆超导薄膜

美国结构材料工业公司开发出一台设备，它可在千米级长度的柔软金属带上沉积一层超导薄膜，这一工艺是在弹道导弹防御局资助下完成的。用这台设备可生产出千余米长的高临界温度超导带材。     

超导材料辐照效应的研究进展

超导材料由于具有一系列的优异特性如零电阻效应、迈斯纳效应、约瑟夫森效应等,已逐渐应用在信息能源、电力交通、科学仪器、医疗技术、国防军事等重要领域,有力推动了国民经济和人类社会的发展。目前,超导材料在强磁场、强辐射、超低温等极端环境下的辐照效应是国内外研究者们普遍关注的热点。在高能粒子轰击作用下,超导材料晶格中的原子发生一系列的碰撞,从而产生大量的辐照缺陷(如离位峰、贫原子区、空位、间隙原子、位错、空洞)、缺陷团以及新的析出相,这些对其超导性能(临界温度T_C、临界磁场H_C、临界电流I_C以及临界电流密度J_C等)存在显著影响。本文全面综述了不同超导材料辐照效应的国内外研究进展。按临界温度TC分类,超导材料可分为低温超导材料(T_C25 K,主要有NbTi、Nb_3Sn和Nb_3Al)和高温超导材料(T_C25 K,主要有铋系、钇系、MgB_2以及铁基超导材料)。重点综述了辐照源(包括中子、离子(He、B、C、O、Ne、Si、Ar、Ti、Ni、Xe、Au、Pb等)、质子、电子以及射线(γ、χ射线))、辐照条件(能量、剂量、温度)、超导材料的初始状态、掺杂(MgO、B、Sn、Ag等)等因素对其超导性能的影响。大量研究表明,超导材料经辐照后可引入缺陷,磁通钉扎强度和密度增大,临界电流密度J_C得到改善;此外,增加超导材料中的载流子或改善晶体的有序化可提高其临界温度T_C。最后,针对当前超导材料亟待解决的一些关键问题,提出了通过优化材料体系及其制备工艺、热处理、掺杂以及数值模拟与实验相结合等方式改善其辐照效应的技术途径,为超导材料的研究开发和商业化应用提供思路。     

碳纤维/ 水泥基复合材料微观结构及机敏特性

以普通硅酸盐水泥为基体材料, 以碳纤维为功能组分, 采用压力成型法制备了碳纤维增强水泥基复合材料(CFRC) 。用SEM 和孔结构分析仪对复合材料的微观结构进行了分析, 同时研究了其机敏特性。结果表明:较大成型压力制备的复合材料孔隙率明显低于较小成型压力制备的复合材料。不同成型压力制备的复合材料电阻率均随温度升高而呈先增大后减小的趋势。较小成型压力制备的CFRC , 其临界温度为75～100 ℃; 较大成型压力制备的CFRC , 其临界温度为100～120 ℃。循环载荷下, 碳纤维水泥基复合材料电阻的相对变化与载荷之间呈现明显的一一对应关系, 较大成型压力制备的CFRC 在每个循环过程中电阻相对变化的幅度明显大于较小成型压力制备的CFRC , 更适合应用于结构的实时、动态的健康监测和损伤评估。      

二氧化钒薄膜材料相变临界场强调控方法研究

采用无机溶胶-凝胶法并结合真空退火工艺在Al_2O_3陶瓷基片上制备了二氧化钒及其他价态钒氧化物共存的薄膜材料。研究了退火时间对VO_2、V_2O_5、V_6O_(13)、V_6O_(11)等价态成分和含量的影响以及对薄膜的相变临界温度和相变临界电场强度的影响。实验采用的退火时间分别为10h、8h及6h,得到的薄膜的相变临界电场强度分别为1.8 MV/m、0.8 MV/m及0.4 MV/m,相变场强降低75%以上,且随着电场强度相变点的降低,薄膜材料相变点前后电阻变化倍数也降低,但相变临界温度没有明显变化。研究结果表明:通过控制真空退火时间能够实现对电场强度相变点的有效调控,利用该方法可以研制不同相变临界场强的薄膜材料,以适应不同电磁环境的防护应用要求。     

制备温度对多孔硅光学特性的影响(英文)

本文不同的温度下制备多孔硅.通过荧光光谱、光吸收谱、X射线光电子谱研究了多孔硅的光和结构特性.研究结果表明存在着一个制备临界温度343 K,当制备温度从临界温度之下提高到临界温度之上时,多孔硅的荧光和光吸收从红移转向蓝移,同时硅2p电子结合能也从减小转向增大.