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5 GSM系统越区切换流程GSM系统越区切换流程可按切换区域不同分类。首先可把切换分为:MSC内部切换和MSC之间切换。为了说明方便,文中定义了如下缩写:BSSA、BSCA和BTSA分别是MS切换之前所在的BSS、BSC和BTS;BSSB、BSCB和BTSB分别是MS切换之后所在的BSS、BSC和BTS;MSCA是控制最初呼叫建立的MSC;MSCB是MS在基本切换时所切换的目标MSC;MSCB′是MS在后续切换时所切换的目标MSC。图2 BTS之间切换流程5.1 MSC内部切换… 相似文献
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本文比较了SOS,DLS后备带与全后备带作为S1240系统后援的利弊。介绍了SOS,DLS等后备带的实现方法和用SOS,DLS等后备带做DISKBUILD的途径。 相似文献
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本文较为详细地介绍了能有效地改善SOS材料结晶质量的双固相外延DSPE工艺,给出了优化的工艺条件.通过比较用DSPE及普通SOS材料制作的CMOS/SOS器件和电路的特性可以看出,采用DSPE工艺能显著改善SOS材料的表面结晶质量,应用DSPE工艺在硅层厚度为350nm的SOS材料上成功地研制出了沟道长度为1μm的高性能CMOS/SOS器件和电路,其巾NMOSFET及PMOSFET的泄漏电流分别为2.5pA和1.5pA,19级CMOS/SOS环形振荡器的单级门延迟时间为320ps. 相似文献
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1概述智能网的核心是基于计算机、数据库的业务处理点 (ServiceControlPoint———SCP)。交换机升级为业务交换点 (ServiceSwitchPoint———SSP) ,SSP与SCP计算机之间的通信采用No.7信令的TCAP,协议为INAP。智能网系统由SCP、SSP、业务管理点 (ServiceManage mentPoint———SMP)、业务生成环境 (ServiceCreationEnvironment———SCE)和智能外设 (IntelligentPeripher al———IP)构… 相似文献
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SC数据库就像BSC的心脏一样 ,管理着BSS系统的配置、各种各样的无线参数和网络参数 ,从而实现对整个BSS系统结构、覆盖、性能、网络运行质量的管理。操作与维护好BSC中的数据库 ,对于管理、维护及优化整个BSS系统起着至关重要的作用。下面 ,以SIEMENSBS60系统为例 ,从对BSC数据库的基本操作、修改及更新等方面谈谈对BSC数据库的操作与维护。1BSC数据库的基本操作对于SIEMENSBS60系统的BR4.0版本来说 ,BSC数据库存放在DK40硬盘中 ,DK40硬盘有170MB容量。一般来说 ,其… 相似文献
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本文介绍了全球卫星搜救系统COSPAS/SARSAT的构成,功能及其发展应用,着重介绍了COSPAS/SARSAT全球卫星搜救系统在我国的建设与应用。 相似文献
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介绍防止飞机空中相撞的两重保障--间隔保障和避撞告警。为了提高飞机自治能力而增强机上信息显示,包括对空中交通信息的了解,机上自治间隔有赖于GNSS转发器和ADS-B的数据链广播技术,今后将继续发展S模式的ACAS,同时研究发展新的基于GNSS/ADS-B和CDTI技术的ASAS,最终地形成一种双信息源,双功能的ACAS/ASAS集成系统进入应用。 相似文献
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SunOS提供了非常丰富的网络服务,本文对SUN工作站的操作系统SunOS及其网络服务作了初步介绍,着重介绍了NFS的工作机制和管理配置,并概述了为NFS提供服务的RPC/XDR,最后还简述了SunOS的另一个重要服务NIS的原理和应用。 相似文献
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采用横断面的透射电子显微术,扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法,研究了GeSi沟道p-MOSFET的微结构。观察表明,器件是由Si基片/SiO2非晶层/SOISi层/GeSi沟道层/超薄SiO2非晶层/Si细晶层/SiO2非晶层/Al电极层等组成的;SOISi层工作区单晶性良好,很难找到缺陷,缺陷能效地被限制在工作两侧的缺陷聚集区;在SOSSi层和GeSi沟道层之间存在着一些瓣状衬底,它可能是在 相似文献
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SRS—3D技术和SRS5250解析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首先提出用双声道技术实现三维音效的原因。然后介绍实现SRS-3D技术的音响生理学和心理学基础,讨论了SRS-3D系统的原理和组成方框图。接着,分析服典型SRS-3D集成芯片SRS5250的工作原理和信号流通过程。最后分析SRS-3D技术的应用前景。 相似文献
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SDH专用集成电路设计中的并行处理方法 总被引:1,自引:0,他引:1
SDH的发展带动了SDH专用集成电路ASIC的发展,SDH专用ASIC也促进了SDH的发展,由于SDH处理的信号速率高,而现有的大规模CMOS集成工艺在速率和功耗等方面给出ASIC的设计提出了一定的限制,从而给SDH专用集成电路设计带来了困难。 相似文献
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在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实验表明,SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻,改善单管的输出特性,降低SOI/CMOS环振电路门延迟时间,提高SOI/CMOS电路的速度特性。 相似文献