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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
蒋亮 《电信快报》1999,(11):14-18
5 GSM系统越区切换流程GSM系统越区切换流程可按切换区域不同分类。首先可把切换分为:MSC内部切换和MSC之间切换。为了说明方便,文中定义了如下缩写:BSSA、BSCA和BTSA分别是MS切换之前所在的BSS、BSC和BTS;BSSB、BSCB和BTSB分别是MS切换之后所在的BSS、BSC和BTS;MSCA是控制最初呼叫建立的MSC;MSCB是MS在基本切换时所切换的目标MSC;MSCB′是MS在后续切换时所切换的目标MSC。图2 BTS之间切换流程5.1 MSC内部切换…  相似文献   

2.
伍天兵 《电信科学》1994,10(2):51-54
本文比较了SOS,DLS后备带与全后备带作为S1240系统后援的利弊。介绍了SOS,DLS等后备带的实现方法和用SOS,DLS等后备带做DISKBUILD的途径。  相似文献   

3.
张兴  石涌泉  路泉  黄敞 《半导体学报》1995,16(11):857-861
本文较为详细地介绍了能有效地改善SOS材料结晶质量的双固相外延DSPE工艺,给出了优化的工艺条件.通过比较用DSPE及普通SOS材料制作的CMOS/SOS器件和电路的特性可以看出,采用DSPE工艺能显著改善SOS材料的表面结晶质量,应用DSPE工艺在硅层厚度为350nm的SOS材料上成功地研制出了沟道长度为1μm的高性能CMOS/SOS器件和电路,其巾NMOSFET及PMOSFET的泄漏电流分别为2.5pA和1.5pA,19级CMOS/SOS环形振荡器的单级门延迟时间为320ps.  相似文献   

4.
SS7网络的可靠性 单点代码备份方式 电信级系统要求极高的可靠性,通常要达到“5个 9”,即 99.999%的可用率。在很多系统都需要在SS7网络连接以及支持SS7网络连接的设备中消除单点故障。需要考虑的典型故障原因包括: SS7链路故障 SS7板卡故障 系统(机箱)故障 只有处理SS7链路故障的过程在SS7协议中有明确的描述,而其它故障的处理则要另行设计。还有一个问题是,要在执行软件升级时避免整个系统中断或停机。一种方法是使用多个带有SS7板卡的机箱支持1条或多条SS7链路。如果两个机箱能使用相同的S…  相似文献   

5.
铁伟  路舒明 《电信技术》2000,(12):32-34
1概述智能网的核心是基于计算机、数据库的业务处理点 (ServiceControlPoint———SCP)。交换机升级为业务交换点 (ServiceSwitchPoint———SSP) ,SSP与SCP计算机之间的通信采用No.7信令的TCAP,协议为INAP。智能网系统由SCP、SSP、业务管理点 (ServiceManage mentPoint———SMP)、业务生成环境 (ServiceCreationEnvironment———SCE)和智能外设 (IntelligentPeripher al———IP)构…  相似文献   

6.
SPT推出CMOS单片高速A/D变换器系列SignalProcessingTechnologiesInc.(SPT)推出10位CMOS单片高速AD变换器系列。这一系列的速度从5MSPS到40MSPS。其中的5种产品分别是SPT7835(5MSPS),...  相似文献   

7.
《电信技术》2001,(12):60-60
日前 ,亚信科技与思科在北京共同推出“亚信OSS/BSS解决方案中心” ,这是国内首个支持新电信全业务运维支撑系统的模拟、演示的中心。中心将对外开放 ,是面向整个业界提供电信运维支撑系统(OSS/BSS)解决方案软硬组件测试的技术平台 ,旨在协助、促进国内电信运维领域的研究和应用 ,全面提升电信运营管理能力。亚信OSS/BSSSolutionCenter(OSS/BSS解决方案中心 )展示了端到端的业务管理、客户信息的统一视图、“一站购齐”式 (OneStopShopping)的客户管理、“直通”式 (Flow -T…  相似文献   

8.
SCSI规范概述     
本文从SCSI规范的发展历史入手,简要介绍了与SCSI相关的概念、SCSI设备及其连接、SCSI总线与IDE/ATX总线的比较等问题。  相似文献   

9.
周武 《电信技术》2001,(3):39-40
SC数据库就像BSC的心脏一样 ,管理着BSS系统的配置、各种各样的无线参数和网络参数 ,从而实现对整个BSS系统结构、覆盖、性能、网络运行质量的管理。操作与维护好BSC中的数据库 ,对于管理、维护及优化整个BSS系统起着至关重要的作用。下面 ,以SIEMENSBS60系统为例 ,从对BSC数据库的基本操作、修改及更新等方面谈谈对BSC数据库的操作与维护。1BSC数据库的基本操作对于SIEMENSBS60系统的BR4.0版本来说 ,BSC数据库存放在DK40硬盘中 ,DK40硬盘有170MB容量。一般来说 ,其…  相似文献   

10.
马进华 《电信科学》1999,15(11):39-40
本文介绍了全球卫星搜救系统COSPAS/SARSAT的构成,功能及其发展应用,着重介绍了COSPAS/SARSAT全球卫星搜救系统在我国的建设与应用。  相似文献   

11.
周其焕 《导航》1997,(2):16-24
介绍防止飞机空中相撞的两重保障--间隔保障和避撞告警。为了提高飞机自治能力而增强机上信息显示,包括对空中交通信息的了解,机上自治间隔有赖于GNSS转发器和ADS-B的数据链广播技术,今后将继续发展S模式的ACAS,同时研究发展新的基于GNSS/ADS-B和CDTI技术的ASAS,最终地形成一种双信息源,双功能的ACAS/ASAS集成系统进入应用。  相似文献   

12.
SunOS提供了非常丰富的网络服务,本文对SUN工作站的操作系统SunOS及其网络服务作了初步介绍,着重介绍了NFS的工作机制和管理配置,并概述了为NFS提供服务的RPC/XDR,最后还简述了SunOS的另一个重要服务NIS的原理和应用。  相似文献   

13.
为了使整合芯片更加完美,矽统科技于近日率先推出了全球第一颗支持AMD Athlon 3C的整合单芯片-SiS730S芯片。为此矽统科技(SiS)再接再励。于8月9、10、11日,分别在北京、上海、广州3大城市举行“整合更加完美──SiS730S整合单芯片新闻发布会”,重点展示这一新品。 在SiS成功整合经验的基础上.SiS730S支持AMD Athlon 3C,将北桥。南桥芯片及 128—bit3D绘图芯片──SiS300整合为单芯片。在多媒体应用方面SiS730S内建了传输速率高达IGB/s的AG…  相似文献   

14.
什么是ISO900系列标准?ISO9000系列标准是国际标准化组织(ISO)为适应国际贸易发展的需要而制定的国际质量标准。该标准共分5个部分:ISO9000、ISO9001、ISO9002、ISO9003、ISO9004。ISO9000是ISO900...  相似文献   

15.
赋DOS键新功能●胡西川ANSI、SYS是以美国国家标准研究机构的ANSI标准为规范的终端驱动程序,它可通过运行CONFIG、SYS文件安装。这需要在CONFIG.SYS文件中做如下设置:DEVICE=[路径名]ANSI.SYS[/X][/K]其中:...  相似文献   

16.
采用横断面的透射电子显微术,扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法,研究了GeSi沟道p-MOSFET的微结构。观察表明,器件是由Si基片/SiO2非晶层/SOISi层/GeSi沟道层/超薄SiO2非晶层/Si细晶层/SiO2非晶层/Al电极层等组成的;SOISi层工作区单晶性良好,很难找到缺陷,缺陷能效地被限制在工作两侧的缺陷聚集区;在SOSSi层和GeSi沟道层之间存在着一些瓣状衬底,它可能是在  相似文献   

17.
SRS—3D技术和SRS5250解析   总被引:1,自引:0,他引:1  
董政武 《电声技术》1997,(10):20-25
本文首先提出用双声道技术实现三维音效的原因。然后介绍实现SRS-3D技术的音响生理学和心理学基础,讨论了SRS-3D系统的原理和组成方框图。接着,分析服典型SRS-3D集成芯片SRS5250的工作原理和信号流通过程。最后分析SRS-3D技术的应用前景。  相似文献   

18.
自对准硅化物CMOS/SOI技术研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
在CMOS/SIMOXSOI电路制作中引入了自对准钴(Co)硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOIMOSFET单管特性和CMOS/SOI电路速度性能的影响.实验表明,采用SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻,改善单管的输出特性,降低CMOS/SOI环振电路门延迟时间,提高CMOS/SOI电路的速度特性.  相似文献   

19.
SDH专用集成电路设计中的并行处理方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
金德鹏  曾烈光 《数字通信》2000,27(1):11-12,37
SDH的发展带动了SDH专用集成电路ASIC的发展,SDH专用ASIC也促进了SDH的发展,由于SDH处理的信号速率高,而现有的大规模CMOS集成工艺在速率和功耗等方面给出ASIC的设计提出了一定的限制,从而给SDH专用集成电路设计带来了困难。  相似文献   

20.
在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实验表明,SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻,改善单管的输出特性,降低SOI/CMOS环振电路门延迟时间,提高SOI/CMOS电路的速度特性。  相似文献   

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