采用介质谐振器的C波段高稳定、低噪声GaAs FET集成振荡器

用BaO-TiO_2陶瓷介质谐振器稳频的GaAs FET集成振荡器提供一种高稳定低噪声小型微波功率源。新研制的陶瓷材料具有互相补偿的膨胀系数和介电常数温度系数,从而得出较小的谐振频率温度系数。振荡器在6千兆赫上得到输出功率100毫瓦,效率为17％,频率温度系数低达2.3ppm/℃。由于稳频使调频噪声电平减小30分贝以上。精确地测量了振荡器和谐振器的动态特性,以确定等效电路形式。介绍了基于这些等效电路形式的大信号设计理论,以便在振荡器和谐振腔之间实现最佳耦合条件。本稳频振荡器的性能可满足微波通讯系统的要求。     

八毫米单调谐体效应管振荡器

<正> 南京固体器件研究所研制成的八毫米单调谐体效应管振荡器采用Kurkawa提出的传输腔稳频电路,由一个TE_(011)模式的高Q腔进行稳频,以满足微波通讯设备对噪声及频率稳定度的要求。 振荡器中的体效应二极管安装在同轴线的末端,同轴线的另一端接由羧基铁制成的吸收体,同轴线的中段与高Q腔耦合,高Q腔通过小圆孔同外负载耦合。 为了改善振荡器的频温系数,除了选择频温系数小的体效应二极管外,主要途径是提高谐振腔的Q值(这对降低调频噪声也是有益的),另外应选择低膨胀系数的金属材料制作腔体。 该振荡器经过一年时间的研制,获得了良好的性能。其特点是受负载影响小,无跳模问     

高稳定度中功率C波段耿氏DRO

文章介绍了 C 波段介质谐振器稳频耿氏振荡器实用电路结构,简明分析了耿氏 DRO 稳频和工作原理以及用高 Q 介质谐振器稳频和双金属补偿所得的实验结果:在5.3GHz 附近,振荡器输出功率为280mW,在-40～+60℃范围内,振荡器频率温度系数为0.56PPm/℃,功率温度系数小于0.01dB/℃。     

1.25厘米单调谐体效应振荡器

本文报导了一种单调谐体效应振荡器.该振荡器结构类似于Kurkoawa电路.但谐振腔采用H_(011)高Q圆柱腔.该振荡器电路负载变化对振荡频率影响较小,能够避免通常反射腔稳频振荡器受到负载变化可能出现跳频的缺点.而且噪声电平比其它振荡源要小.对电路参数经过适当选择后,振荡器的输出效率能达到40～60%,输出功率30～100mW.机械牵引带宽大于600MHz.该振荡器的主腔和调谐活塞采用线胀系数不同的材料进行温度补偿.当温度循环在-40℃至+70℃的范围内,频率温度系数一般优于0.08MHz/℃,功率稳定度优于0.022dB/℃.     

宽温高频率稳定度C波段体效应振荡器

本文介绍空载电子设备用的宽温高频率稳定度C波段体效应振荡器。文中叙述了工作在E_(010)模式圆柱腔的两种振荡器。不用高Q外腔稳频而用简单的双金属结构和介质加载的“综合”补偿法,在-40°——+85℃较宽的温度范围内,使高低温频漂小于±2MHz,最好的可达±1MHz,即频温系数为6×10~(-6)-3×10~(-6)/℃。     

微波(电视)收发信机体效应管腔控稳频本振特性原理

通过阐明6GC微波(电视)收发信机体效应管腔控稳频本地振荡器的工作原理,为搞好电视信号的传输和设备的维护工作提供了帮助。     

传输式介质稳频体效应振荡器

本文介绍了一种在X波段利用传输式高Q介质谐振器进行稳频的体效应振荡器。在叙述了高Q介质谐振器的基本工作原理之后,进一步介绍了传输式振荡器的设计问题。最后实验结果表明,在X波段这种振荡器可以达到小于±2×10~(-5)(在-20～+50℃之间)。因此,它可以满足SHF卫星电视直播接收机对本振频率稳定度的要求。     

Ku波段高线性度DRO的设计

在Ansoft非线性电路设计软件Serenade支持下，通过变容管的选取，输出端的优化匹配，设计了一中心频率为18GHz的高线性度的场效应管介质谐振器稳频振荡器。测试结果表明，此振荡器具有非常好的线性度和很低的相位噪声，可以为微波锁相环路提供高品质的DRO。     

K波段注入锁相固态稳频源

本文报道一个结合毫米波和亚毫米波频率合成和频率精密测量的实际需要而研制的1．25厘米波段注入锁相固态微波稳频源。该稳频源主要由840MHz注入锁相晶体管振荡器、将840MHz信号27信频到2268GHz的阶区二极管高次培频器和22.68GHz注入锁相体效应管振荡器组成。其频率长期稳定度和频率准确度为10（-8）量级，输出频率在22.56GHz至22.96GHz范围内以2.7kHz或6.75kHz的步进间隔断续可调，输出功率约60mW。已被作为短厘米波段的频率基准成功地用于4毫米波段的频率合成和HCN亚毫米被激光器337μm谱线的频率精密测量。     

X波段耿氏振荡器

体效应二极管振荡器具有寿命长、噪声低、供电方便、体积小和重量轻等优点,但是它的频率温度系数太大,限制了它在整机系统中的应用.因此必须研究提高体效应二极管振荡器的频率稳定度.一般采用高Q值腔直接稳定和温度补偿方法来改善振荡器的频率稳定度.常用殷钢制成圆柱腔直接稳频方式.近年来,在微波材料领域已研制成功的高稳定、低损耗的微波介质谐振器,它可以代替殷钢腔作为振荡器的稳定腔,     

V波段体效应振荡器

V波段体效应振荡器采用反射型腔稳振荡结构,工作频段为60～75GHz,输出功率从20mW到90mW,在环境温度为-40～+55℃范围内,振荡器的频率稳定度为-0.5MHz/℃,功率稳定度为-0.04dB/℃.     

采用介质谐振器的C波段高频稳度的低噪声GaAs FET集成振荡器

本文所介绍的采用氧化钡——二氧化钛系列陶瓷介质谐振器来稳频的GaAsFET(砷化镓场效应晶体管)集成振荡器,向人们提供了小型低噪声微波功率源。最近研制的陶瓷其膨胀系数与介电常数的温度系数相互补偿,因而谐振频率的温度系数很小。在6千兆赫时可获得输出为100毫瓦、效率为17％、频率温度系数小到2.3ppm/℃的振荡器。由于稳定,调频噪声电平还可减小30分贝。作者对振荡器和介质谐振器的动态特性作了精确测量,以决定等效电路表达式;提出了建立在这些等效电路表达式基础上的大信号设计理论,以求得振荡器与稳定介质谐振器之间的最佳耦合条件。本稳定振荡器的性能足以满足微波通信系统的需要     

K波段介质谐振器稳频GaAs FET谐波振荡器

本文对介质谐振器稳频GaAs FET谐波振荡器进行了研究;分析了场效应管中的非线性源产生二次谐波分量的情况,利用两种不同类型的场效应管设计制作了两个介质谐振器稳频场效应管谐波振荡器,在22GHz和18GHz分别得到了5.4mW和305mW的二次谐波功率。     

用介质諧振器的高稳定度微波集成固态源

本文主要阐述用介质谐振器稳频的两种高稳定度C波段固态源的分析、设计和实验结果。一种是将介质谐振器作成温度稳定的鉴频器,通过自动频率控制(AFC)环路对微波晶体管振荡器进行稳频的源;另一种是使介质谐振器与振荡器发生直接耦合,以加载带阻滤波器方式进行稳频的源。两种稳频方法均能获得极佳的稳频效果,实验证明这两种C波段的稳频源:在-40℃至 60℃环境温度范围内的频率漂移可做到小于±250KHz,一般的不超过±500KHz;源的输出功率在10毫瓦上下;其噪声比没有稳频措施时低20dB以上。这类微波源可作雷达、导航和通讯等设备中的本振源用。     

五公分15瓦脉冲体效应振荡器的研制

本文介绍一种空间电子设备用的5公分15瓦脉冲体效应振荡器。这种振荡器采用E_(010)模式的圆柱腔,用简单的双金属结构和介质加载的“综合”补偿法解决了频率稳定度的问题。在-40～+70℃的温度范围内频漂小于±2MHz,频温系数达到3～6×10~(-6)/℃。     

一种新型毫米波频率调制器研究

本文给出一种新型毫米波频率调制电路，是将腔稳Ｇｕｎｎ振荡器与变容管调制电路通过反馈调节电路耦合起来形成的，在确需调制频偏的情况下，通过调整环路反馈系数可减少小变容客调制电路对Ｇｕｎｎ振荡器中心频率稳定度的影响，Ｇｕｎｎ振荡器中加一高Ｑ稳频腔，从而可以获得较高的频率稳定度。调制器调制灵敏度为３．５ＭＨｚ／Ｖ，调频线性度估于２％，中心频率稳定度６．５ｐｐｍ／℃（－２０－５０℃），输出功率大于１７ｄＢｍ     

LC振荡器输出幅度的分析和计算

LC振荡器工作在稳态振荡时,运用到晶体管非线性区域,其输出幅度不能简单的采用晶体管小信号等效电路来分析和计算。晶体管非线性特性,可用非线性跨导来描述。本文在分析LC振荡器工作过程后,引出非线性等效电路和输出电压计算方法。供工程设计时参考。     

腔稳固体负阻振荡器

本文对腔稳振荡器稳频效应的四个主要性能参数:稳频因数、稳频损耗、腔控带宽极限值和单模实用可调带宽给出了明确的定义。列出了遵循一种方法导出的反射腔稳式、频带反射式、带阻滤波式和传输腔稳式的性能参数计算公式,从而在统一的基础上将它们作了比较,从中可明显看出它们的优缺点和使用条件。     

采用差频响应光电倍增管的光测距系统

在光测距系统中,发射光源是以第一种频率进行调制的,在穿越被测距离之后,再由光电倍增管接收。固定在第二种频率的振荡器信号加到位于光电倍增管的光阴极附近的栅极上,因此产生大体上比第一种频率低的差频光电流信号,对此差频光电倍增管响应可靠。用相位探测差频信号来提供被测距离的连续指示。差频相位检波器系统包括本机振荡器,为了再现增加了信噪比的差频信号,通过线性鉴相器和伺服放大器把本机振荡器的相位锁定在差频信号上。为了改变由本机振荡器输出的非线性检波得到的无畸变斜坡函数读出信号波形的响应时间,伺服放大器的增益是可以改变的。     

超导共面波导谐振腔稳频振荡器的实验研究

对共面波导谐振腔稳频振荡器进行了实验研究。在对不加谐振腔的简单振荡器研究的基础上，设计并制作了反馈型和传输型谐振腔稳频振荡器。首先，稳频谐振腔分别用常规导体介质基片和在ＺｒＯ衬底上的金膜来实现。然后，用ＬａＡｌＯ３介质衬底上的ＹＢＣＯ超导薄膜制作的共面波导稳频谐振腔嵌入振荡器电路，利用其高品质因数取得较好的稳频效果。所有电路的有源器件均采用ＮＥ７２０８４ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。