X波段砷化镓场效应管介质振荡器

本文介绍了反馈型介质振荡器,给出了介质谐振器尺寸的计算方法.该振荡器在8GHz下,温度范围-40～+70℃,频率稳定度为0.6ppm/℃,输出功率16～30mW,在+55℃下连续工作8 小时,频率漂移小于50kHz,推频系数小于10kHz/V,在偏离载频100kHz的FM噪声为-110dBc/Hz.该振荡器在无人值守中继系统中作上下变频器的本振源,使用良好.这类振荡器在10.7GHz下,温度范围-40～+55℃,频率稳定度0.6ppm/℃,输出功率大于5mW.     

高性能微带型介质腔稳频体效应振荡器设计

本文采用 T.Hirota 等人提出的微带振荡器非线性等效模型,对体效应管非线性等效电路参数进行数值拟合,得到体效应管的非线性等效电路;利用介质谐振器作为稳频元件,实现稳频 MIC 体效应振荡器,在三公分波段获得高性能稳定振荡器:在-20℃～+80℃温度范围内,频率稳定度为2.2ppm/℃,振荡输出功率大于110mW。     

C波段介质谐振器稳频FET振荡器

本文运用电磁场理论对圆柱形介质谐振器进行了分析和计算,并设计制作了C波段反馈型介质谐振器稳频FET振荡器,其工作频率f_0=7.4GHz,输出功率P≥30mW,频率稳定度为±2×10~(-5)(-10～+50℃),频率温度系数为0.67ppm/℃。     

环路反馈式场效应管介质稳频振荡器

本文介绍了一种环路反馈式场效应管介质稳频振荡器.该振荡器主要是由一个FET放大器及一个独立的介质谐振器反馈电路结构组成.通过分别仔细地调试此两部分的指标,可以获得较好性能的振荡器.所研制的振荡器的基本性能为:振荡频率为2.7GHz;从室温到50℃范围内频率稳定度可达0.3ppm/℃;输出功率为5～20mW.     

S波段介质反馈型稳频晶体管振荡器

本文介绍一种利用介质谐振器作为反馈元件的晶体管稳频振荡器,它具有体积小、重量轻、结构简单、输出功率大、频率稳定等优点,是理想的微波振荡源。文章还详细介绍了该振荡器的工作原理及设计技术以及调试过程和测试结果。其振荡频率f_0=2GHz,输出功率P_0=50mW,频率稳定度为4.1PPm/℃(温度范围为-20℃～+50℃)。     

介质谐振器稳频晶体管振蓄器

本文利用开波导法对屏蔽情况下不对称放置的环形介质谐振器进行了区域划分,并将Itoh和Rudokas模型加以推广,用这种模型来分析环形介质谐振器中的电磁场,采用两种数学处理方法来求解其谐振频率,并编制了有关程序。将计算结果与已发表文献上有关数据比较,误差分别小于3.3%和1.2%,随后对传输型介质谐振器稳频振荡器电路作了分析。从导出的有关公式可知,振荡器频率,稳定度,效率等与振荡器,介质谐振器的参数及介质谐振器与微带线的耦合系数有关。最后实验试制了-2.64GHz的传输型振荡器,其输出率功可达20mW。在-30℃～+50℃温度变化范围内,其频率稳定度为1.8ppm/℃。电压推频系数为1.95MHz/V。     

1.25厘米单调谐体效应振荡器

本文报导了一种单调谐体效应振荡器.该振荡器结构类似于Kurkoawa电路.但谐振腔采用H_(011)高Q圆柱腔.该振荡器电路负载变化对振荡频率影响较小,能够避免通常反射腔稳频振荡器受到负载变化可能出现跳频的缺点.而且噪声电平比其它振荡源要小.对电路参数经过适当选择后,振荡器的输出效率能达到40～60%,输出功率30～100mW.机械牵引带宽大于600MHz.该振荡器的主腔和调谐活塞采用线胀系数不同的材料进行温度补偿.当温度循环在-40℃至+70℃的范围内,频率温度系数一般优于0.08MHz/℃,功率稳定度优于0.022dB/℃.     

4千兆赫介质谐振器振荡器

本文叙述了介质谐振器作为加载带阻滤波器稳频的基本原理,介绍了4GHz介质谐振器振荡器.该振荡器在-40℃到+55℃范围内,频率稳定度在2ppm/℃左右,在+55℃下连续工作8小时,频率漂移一般在50kHz以内,振荡器的输出功率在10mW左右.该振荡器曾在国际卫星通迅公司5号星电视传输试验中作接收系统的本振源,使用良好.     

高稳定Ka波段微带耿氏振荡器

报道了一种使用介质谐振器稳频的高性能和高稳定的Ka波段全微带GaAs Gunn振荡器。在33GHz下,输出功率高达170mW,频率稳定度为9.7ppm/℃。     

高稳定度中功率C波段耿氏DRO

文章介绍了 C 波段介质谐振器稳频耿氏振荡器实用电路结构,简明分析了耿氏 DRO 稳频和工作原理以及用高 Q 介质谐振器稳频和双金属补偿所得的实验结果:在5.3GHz 附近,振荡器输出功率为280mW,在-40～+60℃范围内,振荡器频率温度系数为0.56PPm/℃,功率温度系数小于0.01dB/℃。     

高平均波长稳定性超荧光光纤光源

光纤陀螺要求其光源具有高功率、宽谱输出,同时在大温度范围内仍具有好的平均波长稳定性。为了满足-45℃~70℃大温度范围的应用需求,采用双程后向抽运、法拉第旋转反射、带通滤波等技术手段,对光纤材料和器件进行大温区全局优化,以改善超荧光光纤光源的平均波长稳定性。理论分析了不同中心波长和带宽的带通滤波器以及光纤长度等参量对平均波长稳定性的改善效果,以及和光谱带宽的关系。按照设计结果选择滤波、光纤长度等参量,通过对-45℃~70℃全温区范围进行系统全局优化设计,得到输出功率为32mW,功率稳定性为0.65%,光谱带宽为12.5nm,光源平均波长变化量为23.5×10-6。结果表明,平均波长稳定性在0.5×10-6/℃以下的高稳定性超荧光光纤光源中,32mW输出功率非常高;所得的0.2×10-6/℃是115℃大温差范围、30mW以上超荧光光纤光源中非常优异的平均波长稳定性指标,满足光纤陀螺对光纤光源的要求。     

低阈值的三段复合腔GaAlAs/GaAs单模激光器

本文介绍的低阈值三段复合腔GaAlAs/GaAs激光器,其最低CW阈值电流为18mA,具有稳定的单模性,外微分量子效率为50～80％,线性功率可达30mW以上。在5℃温度范围内保持单纵模工作不变,最高CW激射温度为117℃。     

Ku波段固态倍频源

采用晶振 倍频链的方式研制生产了１３ Ｇ Ｈｚ 的微波固态频率源。在－ ５５～＋ ８５℃温度范围内, 输出功率优于２５０ｍ Ｗ, 相位噪声为－ １０２ｄ Ｂ／１ｋ、－ １１０ｄ Ｂ／１０ｋ。     

周期极化掺镁铌酸锂光参量振荡器的输出光谱特性

实验研究了基于多周期的掺镁铌酸锂晶体光参量振荡器(OPO),分析了光学参量振荡器的输出光谱特性.实验中,采用激光二极管(LD)端面抽运的声光调Q Nd:YVO4激光器作为光参量振荡器的抽运源,谐振腔采用双凹腔结构.在调Q开关重复频率为10 kHz,周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的温度为25.4℃的条件下,实验测得光学参量振荡器的振荡阈值为110 mW.当输入的抽运光的平均功率为325 mW时,获得了平均功率为84 mW的信号光输出,其光-光转换效率为25.8%.通过改变周期极化掺镁铌酸锂晶体的温度(25.4～120℃)和极化周期(28.5～30.5 μm),实现了信号光在1449.6～1635 nm范围内的可调谐输出.在室温25.4℃时,观测到了抽运光与信号光的和频光的光谱.实验结果表明.光参量振荡器输出光谱的半峰全宽(FWHM)小于0.5 nm.     

垂直腔面发射激光器制作新工艺

采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器(VCSEL),即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥,为电注入提供了天然的桥状通道,解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率约为以往结构器件的1.34倍。在20℃~80℃范围内,对器件的输出功率、阈值电流及波长漂移性进行了研究。60℃时最大输出光功率可达到6 mW。激射波长随温度升高呈线性变化,且向长波方向移动,速率为0.06 nm/℃。由实验结果计算出器件的热阻为1.96℃/mW。     

一种高精度带隙基准电压源设计

提出一种采用0．35umCMOS工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和低的温度系数。整体电路使用TSMC0．35umCMOS工艺,采用HSpice进行仿真。仿真结果表明,在-25～＋125℃温度范围内温度系数为6．45ppm／C,电源抑制比达到-101dB,电源电压在2．5～4．5V之间,输出电压Vrel的摆动为0．1mV,功耗为0．815mW．是一种有效的基准电压实现方法。     

High-temperature(T = 80℃) operation of a 2μm InGaSb-AlGaAsSb quantum well laser

正An InGaSb/AIGaAsSb compressively strained quantum well laser emitting at 2μm has been fabricated. An output power of 82.2 mW was obtained in continuous wave(CW) mode at room temperature.The laser can operate at high temperature(T = 80℃),with a maximum output power of 63.7 mW in CW mode.     

8mm GaAs Gunn稳态功率放大器

报导了以商用ＧａＡｓＧｕｎｎ氏振荡管（超临界掺杂Ｇｕｎｎ二极管）研制稳态型功率放大器的设计方法和研制结果。提出了放大器宽温不稳定的解决方法。单管单级放大器，增益大于１０ｄＢ，带宽大于２ＧＨｚ（３３～３５ＧＨｚ），最大输出功率２００ｍｗ，能在－４０～＋５５℃内稳定工作，全温增益变化小于０．５ｄＢ，带内波纹小于０．５ｄＢ。可靠性高。