新型功率器件IGBT研制

本文简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺，对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性，开关特性及闩锁效应进行了系统的研究，结合实施工艺对ＩＧＢＴ的版 图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料，成功地制了１０Ａ／８００Ｖ，２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了试制样品的测试结果。     

新型功率器件IGBT及其辐照效应

简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，对制作的２０Ａ／１０５０Ｖ ＩＧＢＴ芯片进行了中子辐照实验，并对比了辐照前后器件的关断特性，发现辐照可提高器件的开关速度，但也导致了器件有关特性的退化。     

中子辐照对IGBT特性的影响

简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理,制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片,给出了测试结果。对试制芯片进行了中子辐照实验,对比了辐照前后器件的关断特性。     

提高IGBT开关速度的技术

简要分析了ＩＧＢＴ（绝缘栅双极晶体管）的工作机理,制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片,给出了测试结果,并对试制样品中辐照前后的关断特性作了详细的比较和讨论。     

850V／18A,1200V／8AIGBT研制

简单介绍了８５０Ｖ／１８Ａ，１２００Ｖ／８ＡＩＧＢＴ的研制与工艺，并给出了测试结果。     

1000V／20A IGBT的研制

介绍了ＩＧＢＴ的结构设计及终端设计，利用ＳＤＢ技术制备所需Ｎ＾－Ｎ＾＋Ｐ＾－基片，设计了合适的工艺流程，制备出１０００Ｖ／２０Ａ的ＩＧＢＴ器件。最后给出测试结果。     

800V／10A和1200V／6A绝缘栅双极晶体管的研制

本文简单介绍了８００Ｖ／１０Ａ和１２００Ｖ／Ａ绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的研制．重点介绍工艺过程和测试结果．     

800A／600V的IGBT

８００Ａ／６００Ｖ的ＩＧＢＴ日本东芝公司推出集电极－发射集极电压为６００Ｖ、集电极电流为８００Ａ的ＩＧＢＴ，型号为ＭＧ８００ＪＩＵＳ５１。该公司采用独自开发的工艺技术，不仅提高开关特性，而且提高可靠性。产品单价２．２万日元。羽中资料来源：Ｓｅｍｉｃｏ...     

高压IGBT的研制

介绍高压绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的终端和单元的设计与制造技术；实验验证了两种用于１０００～１２００ＶＩＧＢＴ的高压终端，研制的芯片获得了７．５Ａ，耐压１１５０Ｖ的实验结果。     

1300V,1600V高压IGBT的实现

本文基于理论分析和实验研究，分别在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｐ＾＋外延和硅单晶基片上实现了１３００Ｖ及１６００Ｖ高压ＩＧＢＴ；并进而证实了获得高压ＩＧＢＴ相互联的关键技术──器件纵向横向几何结构及工作参数的准确计量优化，低缺陷密度高性能厚层硅材料的工艺生长技术，和复合高压终端结构的叠加组合形成。     

三重扩散IGBT的参数优化

采用三重扩散工艺制作ＩＧＢＴ是一种比较经济的方法。利用解析方法和二维模拟方法,优化了耐压为６００Ｖ三重扩散ＩＧＢＴ的部分参数,为实际利用三重扩散工艺制作耐压６００Ｖ的ＩＧＢＴ提供了参数依据。     

优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n^—／n^＋／p^＋

我们的实验研究结果表明，已经在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｐ＾＋的纵向电气与几何参数的最佳理论设计、关键的工艺生长技术和缺陷控制诸主要方面取得了进展，并因此制备了２＇＇－３＇＇１００μｍ厚度的高阻异型镜面硅外延片，且将其成功应用于１３００Ｖ／２０Ａ高性能ＩＧＢＴ的研制。     

优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n~－／n~＋／p~＋

我们的实验研究结果表明，已经在ｎ~－／ｎ~＋／ｐ~＋材料的纵向电气与几何参数的最佳理论设计、关键的工艺生长技术和缺陷控制诸主要方面取得了进展，并因此制备了２－３”１００μｍ厚度的高阻异型镜面硅外延付，且将其成功应用于１３００Ｖ／２０Ａ高性能ＩＧＢＴ的研制．     

高性能IGBT模块的设计考虑

本文对ＩＧＢＴ模块中功率芯片（ＩＧＢＴ和续流二极管）的优化设计进行了讨论。通过优化几个重要的工艺参数并改进器件的结构，ＩＧＢＴ不仅有足够的短路容量，而且正向压降与电流下降时间之间可实现最佳折衷。另外，续流二极管的反向恢复特性也有明显改善。通过采用衬底控制技术，ＩＧＢＴ模块的输出特性不受温度的影响，输出电流更稳，输出阻抗更高。本文详细介绍了整个设计考虑。     

绝缘栅双极晶体管直流电参数高温性能的测试与分析

通过对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）直流参数温度特性的测试分析并与ＶＤＭＯＳＦＥＴ进行比较，从中得出ＩＧＢＴ能够承受更大的电流密度，其导通压降在高温下较之ＶＤＭＯＳＦＥＴ有较大的优势。     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

生产IGBT的一种工艺──三重扩散

根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法──三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优点和可行性，并用实验结果验证其正确性。     

关于国家标准GB/T 9383-1999的说明

国家标准 ＧＢ／Ｔ ９３８３－１９９９《声音和电视广播接收机及有关设备抗扰度限值和测量方法》已于１９９９年 ８月 ２日发布，于 ２０００年 ３月 ２日开始实施。该标准等效采用ＩＥＣ／ＣＩＳＰＲ ２０：１９９８，实施后将取代ＧＢ９３８３—１９９５《声音和电视广播接收机及有关设备传导抗扰度特性限值和测量方法》，ＧＢ／Ｔ１３８３８－９２《声音和电视广播接收机及有关设备辐射抗扰度特性允许值和测量方法》和ＧＢ／Ｔ１３８３９－９２《声音和电视广播接收机内部抗扰度特性允许值和测量方法》等三项标准。 ＧＢ ９３８３—１９…     

元器件快讯

元器件快讯Ｐｒｏｔｅｋ公司推出５８７Ｂ系列瞬态电压抑制（ＴＶＳ）模块ＰｒｏＴｅｋ公司生产的５８７Ｂ系列瞬态电压抑制（ＴＶＳ）模块特性如下：●符合ＩＥＣ８０１－５、ＡＮＳＩ／ＩＥＥＥ、Ｃ６２·４１，ＣＡＳ／ＮＲＴＬ等国际标准。●低钳位电压系数●反应速度...