真空灭弧室压力变化及真空寿命的判定

真空灭弧室是以真空作为绝缘和灭弧介质的。内部气体压力对灭弧室的性能起着决定性的作用，本文分析引起内部气体压力上升的气体源，简述了真空寿命的计算判定方法。     

场发射显示技术研究进展

介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理,讨论了目前这项技术所面临的问题。着重介绍了近两年来在场发射显示技术研究领域的最新进展,包括发光材料的改进、器件寿命的提高、器件结构的改进以及样机的试制工作等。进而分析了场发射显示技术的发展前景     

真空电子技术

0461,0441,1 2004010066感应揭合气体放电及其静电场/王超,熊熠明,李培芳(浙江大学)11真空电子技术.一2003、(l)一18一20提出了长圆柱形感应搁合气体放电的电动力学模型.放电为磁场激励型,稳定的等离子体由电磁场所维待,空间电荷产生的静电场引起荷电粒子的双极扩散.图3参3(刚)TNIO72()04010072真空灭弧室的一次封排工艺/魏铁印(北京真空电子所)11真空电子技术·2003、(1).一42一44以真空灭弧室的一次封排_卫艺的真空度质量为主,对真空灭弧室有关的设计、工艺流程等方面进行讨论;这会对真空灭弧室的生产开发和电真空五艺有所帮助.图1表1参…     

终端设备与显示设备

0309807新型 PDP 放电单元结构分析[刊]/徐静声//电子器件.—2002,25(4).—413～419(L)0309808场致发射显示技术研究进展[刊]/李俊涛//电子器件.—2002,25(4).—332～339(L)首先回顾了 Spindt 型微尖场发射技术,介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理,讨论丁目前这项技术所面临的问题。着重介绍了近两年来     

通过残余气体分析对真空开关的质量控制

没有一种开关像真空开关那样具有高可靠、应用广泛、要求极少维修以及不污染环境。获得这种殊誉在于它采用了高品位材料和先进的真空灭弧室制造技术。另一个因素是使用科学手段和现代方法相结合的质量控制。这是因为承载的电流和在额定电压高达５２ｋＶ时开系?流达到５０ｋＡ的情况下，对真空灭弧室的设计提出了许多要求。主要目标是，真空灭弧室在它的整个寿命期间至少三十年内保持超高真空。残余气体分析、气体扩散和内部气源的研     

碳纳米管(CNT)场发射显示器的关键技术的研究

对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力.     

微电子学、集成电路

T刊4,TN一l!96010465新加坡、马来西亚的微电子工业(续)/张纯蓓(中国华晶电子集团公司)/尸卜导体技术.一1995,(5).一29~32 分别介绍了新加坡与马来西亚的微,匕r工业发展概况与动向,分析了新加坡的儿个典型微电子企业.图2表2参19(文)系统介绍了近年来真空微电子学的研究内容、达到的水平和急待解决的问题:包括真空微电子器件的基木结构、场发射阵列、微尖结构物理、新材料和新器件的探索等图3表2参l9(文)TN4,TP212夕6()10466微电子机械系统/王跃林,苏以撤,1文(浙江大学)j}电子学报.一995,23(10).一37~42 对国外微电子机械系统(MEMS)的研…     

真空微电子学的研究和进展􀀂

真空微电子学是迅速发展的一门新学科，近年来国内外的研究已取得了一系列的成果。本文着重介绍了近两年真空微电子学在微尖性能提高、发射材料、阴极结构以及场致发射应用(主要是场发射显示器)等方面的最新进展。真空微电子学在场发射平面显示器件方面的研究已进入实用阶段，相信近几年在这方面的应用将会获得突破性的进展。     

场发射平板显示器件

综述近年来一些先进国家利用真空微电子技术开展场发射平板显示器件研究的情况。概述这类器件的结构、工作原理、制作工艺、性能特点与发展水平，市场竞争与预测。     

锆粉的真空质谱分析方法

虽然锆粉作为一种吸气材料使用于电真空器件中,但由于它含有杂质以及对它进行工艺处理等原因,在器件的生产过程和工作期间,锆粉除了表现出吸气性能外同时还会放出一些气体杂质,这就会改变电真空器件内部的气氛,从而影响了阴极的工作以及器件的性能。下面我们将简单介绍一下利用迴旋质谱计(omega-tron)测试锆粉吸、放气性能方法的原理。一、迴旋质谱计工作原理真空技术中用来测量气体成分及含量的方法是根据质谱学原理建立的所谓离子光学方法。迴旋质谱计是较为广泛使用的仪器之一,它的结构和工作原理如图一和图二所示。质谱计电极是由钼制成、体积约为20×     

《液晶与显示》征稿简则

1.本刊征集有关液晶和各类显示材料及制备方法、液晶物理、生物液晶、液晶非线性光学、液晶显示、等离子体显示、阴极射线管显示、发光二极管显示、有机电致发光显示、场发射显示、微显示、真空荧光显示、电致变色显示及其他显示、各类显示器件物理和制作技术、各类显示新型模式和驱动技术、显示技术应用、显示材料和器件的测试方法与技术、各类显示器件的应用等研究论文。2.本刊设有综述、研究报告、研究快报、研究简讯等栏目。综述:介绍显示技术领域中某一学科(交叉科学须侧重显示技术)具有代表性的科技成果,当前该学科的研究热点,分析未…     

碳纳米管场发射显示器件(CNT-FEDs)封接关键技术的研究

碳纳米管场发射显示器件（CNT—FEDs）现已成为场发射研究的热点。本文研究了碳纳米管场发射显示器件在其真空封接过程中出现的碳纳米管丢失的问题,对碳纳米管场发射显示器件的封接方法提出了一些改进,并提出一种新型的碳纳米管场发射显示器件的封接结构,有效的解决了真空封接过程中的碳纳米管丢失的问题,为碳纳米管场发射显示器件（CNT-FEDs）的发射均匀性,改善区域之间的亮度差异及延长使用寿命提供了保证。     

场致发射显示技术研究进展

首先回顾了Spindt型微场发射技术，介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理，讨论了目前这项技术所面临的问题，着重介绍了近两年来在场发射显示技术研究领域的最新进展，包括纳米碳管和复合材料在FED中应用前景。     

场发射技术在强流真空电子器件中的应用

阴极电子源是强流真空电子器件的核心部件,热阴极存在热辐射能耗大、开启时间偏长、高温下材料蒸发等缺陷。以碳纳米管(CNT)为代表的场发射技术在克服热阴极缺陷、提高器件性能上显示了卓越的潜力。本文回顾了基于CNT、场发射阵列等场发射阴极的强流器件(微波管、X射线管等)的发展现状,并对场发射技术存在的不足和可能的解决途径进行了讨论。     

双栅极场发射阵列的特性模拟与设计

具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件)的关键技术。本文简要比较了两种结构的DGFEA的主要性能和优缺点,叙述了双层栅极结构DGFEA的设计与模拟方法.从模拟计算获得的发射特性和聚焦性能可以看到:这种结构的DGFEA能获得几乎平行的场发射电子束,其最大发射电流密度可达到约500A/cm2以上,是发展真空微电子微波、毫米波器件和其它强流电子注器件等较理想的电子源。     

真空电子技术

046 95050125电离气体中控制电子能最产生选择性激发的研究/陈宗柱.袁一鸣,陈磊,王新兵(东南大学)11真空科学与技术学报一了995.15(3)一194一200 依据原子碰撞物理学分析电子碰撞产生选择性激发的速率.采用外加脉冲控制电离气体中电子的能量,获得了选择性激发受电子能量控制,随时间而变化的方法.选择性激发效果由测量光潜相对张度分布来检测.图9参11(许)电子技术公司)/l现代显示一1995,(2).一1~9 运用Fowle,Nordheim方程,对各种规格场发射显示中阴极发射特性的要求进行讨论,并特别强调了场发射而积和发射点数量对场发射显示性能的影响。图1…     

《液晶与显示》征稿简则

1 .本刊征集有关液晶和各类显示材料及制备方法、液晶物理、生物液晶、液晶非线性光学、液晶显示、等离子体显示、阴极射线管显示、发光二极管显示、场发射显示、电致发光显示、真空荧光显示、电致变色显示及其他显示、各类显示器件物理和制作技术、各类显示新型模式和驱动技术、显示技术应用、显示材料和器件的测试方法与技术等研究论文。2 .本刊设有综述、研究报告、研究快报、研究简讯、信息与动态、产品信息等栏目。综述 :介绍显示技术领域中某一学科 (交叉科学须侧重显示技术 )具有代表性的科技成果 ,当前该学科的研究热点 ,分析未来发…     

电子器件

0616997微波管环境下场发射阵列阴极的工作稳定性研究〔刊,中〕/冯进军//真空科学与技术学报.—2006,25(增刊).—16-19(L)场致发射阵列阴极在微波管中的应用无疑是微波真空电子器件的一场革命,但经过多年的研究和发展目前仍没有解决微波管环境下阵列阴极的工作稳定性和寿命问题。虽然国外也有一些利用这种冷阴极的行波管和预群聚速调四极管的实验,但都存在同样的寿命问题。参160616998新型定向耦合器在DIFM中的应用〔刊,中〕/朱畅//现代雷达.—2006,28(2).—60-63(G)0616999用于SAW器件的C轴择优取向Li NbO3薄膜的制备及结构研究〔刊,…     

《液晶与显示》征稿简则

1 .本刊征集有关液晶和各类显示材料及制备方法、液晶物理、生物液晶、液晶非线性光学、液晶显示、等离子体显示、阴极射线管显示、发光二极管显示、场发射显示、电致发光显示、真空荧光显示、电致变色显示及其他显示、各类显示器件物理和制作技术、各类显示新型模式和驱动技术、显示技术应用、显示材料和器件的测试方法与技术等研究论文。2 .本刊设有综述、研究报告、研究快报、研究简讯、信息与动态、产品信息等栏目。综述:介绍显示技术领域中某一学科(交叉科学须侧重显示技术)具有代表性的科技成果,当前该学科的研究热点,分析未来发展方…     

《液晶与显示》征稿简则

1.本刊征集有关液晶和各类显示材料及制备方法、液晶物理、生物液晶、液晶非线性光学、液晶显示、等离子体显示、阴极射线管显示、发光二极管显示、场发射显示、有机电致发光显示、微显示、真空荧光显示、电致变色显示及其他显示、各类显示器件物理和制作技术、各类显示新型模式和驱动技术、显示技术应用、显示材料和器件的测试方法与技术、各类显示器件的应用等研究论文。2.本刊设有综述、研究报告、研究快报、研究简讯、信息与动态、产品信息等栏目。综述:介绍显示技术领域中某一学科(交叉科学须侧重显示技术)具有代表性的科技成果,当…