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本文简要介绍了ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的发展现状，用湿法工艺制作了自对准ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ，其电流截止频率高达５０ＧＨＺ，性能优于我们在同等工艺条件下制作的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＰ。 相似文献
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研究了电压控制振荡器（ＶＣＯ）的相位噪声与构成该振荡器的有源器件的低频噪声的关系,测试了ＳｉＢＪＴ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ和ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的低频噪声,并分析了各自低频噪声产生的原因,提出了选择ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ ＶＣＯ来实现微波固体振荡器低相位噪声化这一发展方向。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ... 相似文献
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本文提出了一种台面型全自对准结构ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的制造方案，对其中的欧姆接触金属系统的制备，ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ材料的选择性腐蚀及聚酰亚胺的反应离子刻蚀终点监控等关键工艺技术进行了研究，并给出了应用该工艺研制的ＨＢＴ器件的初步结果。 相似文献
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李丹红 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
势垒厚度在２．５～５０ｎｍ ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ隧道发射极ＨＢＴ的奇特电流增益近几年来，人们对用隧道势垒作为有效质量滤波器的兴趣越来越大。曾有人提出一种新型ＴＥＢＴ结构ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ双极晶体管。在这种结构中，由于其电子和空穴穿过势垒的几率有很大... 相似文献
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ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ毫米波ＨＢＴ的研制吴英，钱峰，陈新宇，邵凯，郑瑞英，肖秀红，葛亚芬，金龙（南京电子器件研究所，２１００１６）ＴｈｅＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒＷａｖｅＨＢＴ￥ＷｕＹｉｎｇ；ＱｉａｎＦｅｎｇ... 相似文献
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雁南 《固体电子学研究与进展》1994,(4)
Ｘ波段输出功率２Ｗ ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ据（（Ｍｉｃｒｏｗａｖ＆ＲＦ））１９９４年第４期报道，ＡＩＧａＡｓ是ＧａＡｓ为基底的ＨＢＴ发射区选用的材料。而ＧａｌｎＰ发射区具有以下特性：最高振荡频率超过１００ＧＨｚ，大于１００的高电流增益。据报道，已... 相似文献
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最高振荡频率为46 GHz的GaInP／GaAs异质结双极晶体管 总被引：2，自引：2，他引：0
最高振荡频率为４６ ＧＨｚ的ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管钱峰，陈新宇，肖秀红，姚晓峨，周天舒，潘菁，陈效建（南京电子器件研究所，２１００１６）齐鸣，李爱珍（中科院上海冶金所，２０００５０）Ａｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ... 相似文献
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介绍了一套用于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ集成电路的ＣＡＤ软件，它可完成ＨＢＴ的器件模拟、模型参数提取及电路模拟。应用该软件对ＨＢＴ运算放大器进行了模拟，为电路的研制提供了依据。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(1)
高温稳定电路用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＤＨＢＴ在深级钻探、工业加工控制和航天航空等领域所使用的电子设备都要设计得能在３５０℃，甚至更高的温度下工作。ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ系统正好能够适合这一温度范围的要求，因为其带隙大于１．４ｅＶ。据《... 相似文献
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吕全立 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):211-215
从异质结构流体动力学模型方程（ＨＨＴＭ）出发，经适当近似，得到了Ｎｐｎ型ＨＢＴ准中性均匀基区饱和电流密度的解，定义了一个判别基区是否存在准弹道输运的判别因子─－弹道比ｒＢ，指出为了实现基区准弹道输运，应使ｒＢ《１．对（Ａｌ，Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓＮｐｎ型ＨＢＴ而言，这一条件意味着基区宽度Ｗａ《１００ｎｍ。因此为了实现准弹道基区输运，应将（Ａｌ，Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓＮｐｎ型ＨＢＴ的基区宽度从目前的５０～１００ｎｍ降低到３０ｎｍ以下。 相似文献
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重掺碳基区ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管初探严北平，潘静，蔡克理，章其麟，罗晋生（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（河北半导体研究所，石家庄，０５００５１）ＡＳｔｕｄｙｏｆＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ－ＨＢＴｗｉｔｈａＨｅａｖｉｌｙＣ－ｄｏｐｅｄ... 相似文献
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