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提到半导体领域的创新和卓越贡献,有一家企业不得不说,他就是被称作“硅谷之根”的飞兆半导体(Fairchild Semiconductor,很多人习惯称作仙童半导体)。飞兆半导体成立于1957年,第二年开发出平面晶体管,集成电路的创新由此发端,一个全新行业诞生。 相似文献
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芯片作为人类电子业最伟大的发明之一,已经深入地融进我们的生活,小到手机、电脑,大到汽车、高铁,甚至航天器等,都可以看到芯片的作用.
从1958年集成电路的发明到今天,从1945年肖克利发明的晶体管到5纳米技术的应用,从1958年仙童半导体公司的创立到1971年英特尔发明的微处理器再到目前全世界半导体公司的激烈竞争,无一... 相似文献
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摩尔定律还能风光多少年? 总被引:4,自引:0,他引:4
摩尔定律还能风光多少年?羽南1965年4月仙童半导体公司GordonMoore发表了以后著名于世的"摩尔定律"。他观察了1959年到1965年芯片上晶体管的集成数据,发现每隔18~24个月,芯片上晶体管数目就增加一倍。30多年来,硅谷的半导体公司乃至... 相似文献
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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日在上海庆祝公司始创50周年。1958年,飞兆开发出了平面晶体管,从此开创出一个崭新的行业,获誉“硅谷之父”。今年也是新的飞兆半导体成立暨进入中国市场10周年。通过在功率效率和能源效率方面坚持不懈的努力,2006年飞兆在中国的销售额增长到4.56亿美元。 相似文献
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北京半导体产业早在上一世纪五十年代后半期,在国家"向科学进军"的号召下,从Ge晶体管起步,发展到Si晶体管,又从Si平面管发展到单片半导体集成电路。在上一世纪六十年代后半期到八十年代前半期,20年内北京先后建起一大批部属、市属及区办各种半导体工厂和研究所,最多时达到近20家之多。但是,经过国家改革开放30多年后,在市场竞争最激烈的半导体产业中,在全国各地新建了不少中外合资和外资独资企业,而国有或集体企业已留下不多了。但是在1987年才成立的北京燕东微电子公司,这个国有性质的企业,又是怎样建成、从小到大,而能奋斗至今呢? 相似文献
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一引言 1965年,RCA公司的Becke成功地制造了第一个微波场效应晶体管,使场效应晶体管开始进入微波领域。但是,在其后一段很长的时间进展较为缓慢。随着半导体材料和工艺技术的进步,从1974年开始又有了新的突破。最近几年进展迅速,现在已从实验室阶段走向实用阶段。目前,各国半导体厂家和研究部门纷纷成立微波场效应晶体管的研制机构开展研制工作。有关微波场效应晶体管及其应用的文章亦大量发表,似乎大有微波场效应晶体管热之趋势。 相似文献
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《电子工业专用设备》2006,35(7):47-47
据外电报道,市场研究公司Frost&Sullivan的数字显示,2006年,印度半导体离散件市场规模将达2.9亿美元,与2005年的2.35亿美元的市场规模相比,增幅达23.4%。Frost&Sullivan定义的离散件包括二极管、晶体管、半导体闸流管以及光电半导体产品。该公司表示,目前有十几家公司涉足印度的半导体离散件市场,该市场上的半导体离散件产品包括从中国大陆和中国台湾地区进口,以及飞利浦、STMicro和Agilent Technologies等公司生产的产品。 相似文献
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投资605万美元,由东芝半导体公司和东芝(中国)有限公司分别出资90%和10%的东芝电子管理(中国)有限公司,日前在上海宣告成立。新公司将整合东芝半导体在港、台及中国在陆资源,进行统一管理。可以认为,在高速增长中的中国市场成立电子业务管理公司,是东芝半导体业务改革向其海外市场的延伸。 相似文献
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GrahamLSConnolly 《中国集成电路》2005,(7):60-61
20年多来,集成是半导体行业的一大趋势,但在决定选择集成逻辑器件或分立PHY收发器时,并不能一律都追求集成.毫无疑问,集成是减少器件数量及以芯片组实现有效结构和应用的自然选择.自从飞兆(Fairchild)半导体研究总监高登?摩尔(Gordon Moore)于1965年发表有关集成趋势的理论以来,学术界和技术领域对"Moore's Law"("摩尔·定律")的正确性一直争论不休.摩尔定律已成为衡量技术发展的准则.自该论文发表以来有关集成的不争事实是,芯片上的晶体管数量所呈现的指数式增长早已超出摩尔的预测,而且增长仍在继续(从70年代初的2000多个晶体管到2000年的4000万个).摩尔论文所提出的另一个论断是可制造性、单位成本的降低及成品率的提高.业界现已进入90纳米工艺的时代,增强的结构足可在单个芯片上集成完整的"子系统".然而,这一集成趋势也带来了自身的可制造性及应用接口问题. 相似文献
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三代半导体功率器件的特点与应用分析 总被引:2,自引:1,他引:1
以S i双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献。近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。人们寄希望于宽禁带半导体功率器件来解决第一代、第二代功率器件的输出功率低、效率低和工作频率有局限性以至于无法满足现代雷达、电子对抗和通信等电子装备需求等方面的问题。文中简要介绍了半导体功率器件的发展背景、发展过程、分类、特点、应用、主要性能参数和几种常用的半导体功率器件;重点叙述了宽禁带半导体功率器件的特点、优势、研究进展和工程应用;对宽禁带半导体功率器件在新一代雷达中的应用前景和要求进行了探讨。 相似文献
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1999年12月16日,对美国快捷(Fairchild,也有人称仙童)半导体公司来说是个喜庆的日子,亚太区销售及市场推广副总裁兼董事总经理郭裕亮来到上海,向新闻界郑重宣布Fairchild半导体的深圳与上海办事处正立。 相似文献
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飞思卡尔半导体公司日前推出两款面向中国TD-SCDMA的LDMOS射频功率晶体管MRF8P20160HSR3和MRF8P20100HSR3器件。这些射频功率晶体管已经专为服务于上述网络的基站中所使用的功率放大器进行了优化。 相似文献
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