空心阴极光源在高纯四氯化硅分析中的应用

四氯化硅是采用最多的一种光导纤维材料,为了减少信息在输送过程中的衰减,对光导纤维材料的纯度要求很高,特别是铜、铁、钴、镍、铬、铂、钒、锰等杂质的含量只允许在ppb(十亿分之一)数量级范围内.对于这类超纯材料中痕量杂质的分析,在光谱分析方面有人用化学光谱法和控制气氛化学光谱法等途径来提高分析的灵敏度.近年来,空心     

镁热法海绵钛生产中杂质元素来源浅析

海绵钛作为一种优质金属被广泛应用于航空航天等各个领域,其中的杂质含量直接影响产品品质,海绵钛中的主要杂质有铁、氧、氯、碳、氮、硅等,文章主要对镁热法海绵钛生产过程中部分杂质的来源进行了分析。     

吹氧条件下铁液中硅和硼的氧化规律

研究了吹氧条件下Fe-C熔体、Fe-C-Si熔体、Fe-C-B熔体和Fe-C-Si-B熔体中碳、硅、硼的氧化规律,实验在中频感应炉中进行,实验温度为1 450±25 ℃.结果表明:含硼生铁中硅和硼首先氧化,达到一定程度后碳才开始氧化;含硼生铁中硅、硼氧化是同时进行的,相互影响.     

热电动势法(TEMF)快速测定微碳铬铁硅含量时其它组分对分析结果影响的研究

实验研究了TEMF法快速测定做碳铬铁中硅含量时其它组分对分析结果的影响。结果表明：当硅、铬含量一定时，样品中碳含量在0．02％－0．15％、磷含量在0．020％－0．040％、硫含量在0．020％－0．040％范围内变化对硅含量的测试值无影响；当硅、碳，磷及硫含量一定时，铬含量在50％-77％范围内变化对硅的测试值亦无影响。     

熔盐电解法制备硅粉的研究

以废旧石英坩埚为原料,在850℃的氯化钙熔盐中直接电解制备硅粉。采用XRD、SEM和ICP-AES对粉体进行表征和杂质含量检测。结果表明,电解后的粉体为呈准球形的单质硅,硼﹑磷杂质含量低,适合于制备太阳能级硅。     

新一代飞机用铝合金板的结构强度

近几十年变形高强铝合金仍然是飞机的基本结构材料。据预测,在机体总重量中,已改进的铝合金所占比重不小于50％。制造更长寿命的宽机身飞机,要求提供的结构铝合金半成品不仅具有高强度、高塑性的性能,而且也要具有足够寿命、低疲劳裂纹增长速度、高断裂韧性等特性。要改善这些特性,就得研究基本合金元素含量和杂质(铁和硅)对合金性能及其最佳组成的影响,研制时效缓和制度和热机加工制度。为此,研制成含有限铁杂质(达0.3％)和硅杂质(达0.2％)的16型铝合金和含铁小于0.15％、含硅0.1％和含铜较少(3.8～     

低铝高纯硼铁的生产方法

日本近几年来正在开发使用铁-硅-硼系和铁-硼-碳-硅系的非晶态合金。为了使这种材料具有能量损失少和磁性稳定的性能,对其所用的原料——硼铁的成分提出了相应地要求。尤其要求硼铁中铝、硫、碳含量尽可能低一些。现将几种生产硼铁的方法综述于后。一、高纯硼铁的精炼以往,生产硼铁的方法,一般是铝热法和电热法。前者生产的产品,其铝含量为7—12%。当然这可能是为了提高硼的回收率而加了过量铝,或者是使用单一的铝为还原剂,如果利用一部分镁粉或铝镁合金粉,则其铝含量可能要低一些。我国目前铝     

硼对耐磨球墨铸铁组织和力学性能的影响

研究了不同硼含量对含碳3．4％－3．8％、含硅2．0％－3．0％，含锰2．0％－＝3．0％的球墨铸铁铸主热处理态组织和力学性能的影响。结果表明：随着硼含量的增加，铸态组织中的碳化物数量增加，硬度提高，冲击韧性下降，当硼含量大于0．010％时，铸态组织中出现了明显的网状或断网状碳化物，冲击韧性下降幅度较大，经淬火、回火后、碳化物发生不同程度的溶解。当硼含量为0．003％－0．0105时，热处理后碳化物基本消失，硬度保持在HRC50左右，冲击韧性达到或超过9J／cm^2；当硼含量超过0．010％时，热处理后仍存在断网状或条块状碳化物，硬度稍有增加，冲击初性明显下降。     

电感耦合高频等离子体(ICP)光谱分析工业硅及纯硅中杂质元素

纯硅中杂质元素的分析,早已采用中子活化,光谱、质谱、极谱等方法进行分析,但对其中硼的测定往往采用单独的分析方法.尤其是工业硅中铁、铝、钙等元素含量高,给其它微量杂质的测定带来困难.因此,上述方法很难满足要求,本文提出了用ICP作光源,同时测定工业硅及纯硅中硼、锰、铁、镁、钒、铜、钛、镍、铬、铝等元素的分析方法.     

硅铁合金中痕量硼的分光光度测定

建立了蒸馏分离 -姜黄素光度法测定硅铁合金中痕量硼的方法。对在氢氟酸介质中溶样时痕量硼的挥发损失及其络合保护问题进行了试验 ,结果表明 ,通过加入适量甘露醇络合保护 ,可有效地防止痕量硼在样品溶解及其溶液蒸发过程中的挥发损失 ,并成功地用于实际样品分析 ,取得了令人满意的结果。同时 ,对所拟溶样条件下所得硼的分析结果是否为全硼问题进行了进一步探讨 ,结果证实 ,所拟溶样条件下硼的测定结果为全硼。方法可用于硅铁合金等含高硅样品及需使用氢氟酸才能分解的样品中痕量硼的分析测定     

国外地质标样中的痕量元素

从资料上见到的国外列有痕量元素推荐值的地质标样愈来愈多.下列50种元素(或成份)的推荐值是目前已发行标样中含量最低的数值(括号内的数字除注明者外,单位均是ppm).可供研制地质标样及制订标准方法时参考.(关于国外地质标样的一般情况,请见《矿石分析译文》1980年第二期).Ag(50ppb,ASK-1)、As(0.7MRG-1)、Au(0.8ppb,BCR-1)、B(4,BCR-1)、Ba(19,SG-1A)、Be(1,ST-1A)、Bi(220,GnA)、非碳酸盐碳(280,SGD-1A)、总碳(630,     

硅中碳的行为与影响

碳是硅中与氧密切相关的重要杂质,现在氧已成为影响器件性能及成品率的关键因素,碳的重要性也日益明显。然而,目前对碳的了解却远不如氧。本文将叙述硅中碳的来源与分布(包括轴向与径方分布、碳条纹及碳沉淀等),碳对材料性能(如NTD硅的退火行为、热施主形成、硅中金扩散、原生单晶中微缺陷等),器件性能(包括功率器件、低压器件及集成电路)的影响等。最后叙述碳与氧沉淀的关系。     

乙基紫萃取光度法测定硅中硼

本文介绍了应用乙基紫萃取光度法测定半导体材料掺硼硅中微量硼的方法。本法具有灵敏度高,不需分离、分析快速的优点。硼曲线范围在20—50×10(-8)克。回收率达90％以上。测定时将样品用HF—H_2O_2处理,赶除硅基体,用CuCl_2作催化剂,用甘露醇作硼的络合剂,富集到硼,形成BF_4~-后再与乙基紫形成有色缔合物,测其消光值。全过程快速简便。     

红外吸收法测定硅中碳含量

一、引言在生长单晶硅的工艺过程中,碳以取代杂质的形式进入晶格,其浓度取决于工艺,其行为严重地影响器件性能。在大规模集成电路的性能分析中也发现由于碳的存在会引起严重的漏电流。碳在硅中的危害性现已引起了普遍重视,因此测量杂质碳的含量对改进工艺,提高单晶硅的质量是不可缺少的。     

高碳锰铁氧化脱磷的试验研究

进行了高碳锰铁脱磷的相关研究,结果表明理论上CaO-FeO-MnO渣系具有在锰铁冶炼温度下的脱磷能力,脱磷试验表明大渣量CaO-FeO-MnO-CaF_2渣系可以将高碳锰铁中磷降低到0.2%以下,同时杂质元素钛、硅、硫、氮均有较大幅度降低,起到了提纯锰铁的作用;硅钙合金结合氧化性脱磷渣复合使用,可以实现高碳锰铁深脱磷,使高碳锰铁P 0.1%,同时硅、碳、硫、氮也有降低,但不降低钛含量。     

高强度耐热合金

英国一家公司研制成一种新型的高强度耐热合金,并有非常好的抗碳化和硫化环境的特性。该合金的组成成分为:镍37％、铁33％、铬20％、钼2.5％、钨2.5、钴2％、铌0.7％、锰0.7％、铝0.2％、硅0.5％、氮0.2％、碳0.05％和硼0.004％。     

微量杂质在工业纯钛中的存在形式及其对力学性能的影响

采用差示扫描量热法(DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜及其附带的能谱仪(SEM+EDS)、电子探针(EPMA)等分析方法和力学性能测试,研究常温下铁、硅、氯、氮、氧、碳(Fe,Si,Cl,M,O,C)等杂质在工业纯钛中的存在形式、分布状况及其对力学性能的影响。结果表明:在工业纯钛中,铁、硅、氯杂质元素的微区元素浓度较低,只有极少区域存在偏聚;碳元素分布不均匀,微区偏聚现象明显;氧元素在工业纯钛中含量较少且分布均匀;随铁、氮、氧、碳、氯等杂质含量增加,工业纯钛的强度和硬度大幅提高,塑韧性显著降低,最大硬度HB增幅为24,屈服强度和抗拉强度的最大增加幅度分别为144 MPa和122 MPa,伸长率的减幅最大为19.8%。     

连铸用含硼保护渣

为提高连铸坯的质量和铸坯成材率,苏联顿涅茨钢厂研制成功了一种连铸机结晶器用的含硼保护渣。这种保护渣含有硼砂和硅硼钙石精矿。保护渣中硼砂的含量为7.5％。硅硼石精矿的含量为70～85％。所用硅硼钙石精矿的化学成分为:B_2O_317.7％,SiO_235.6％,CaO36.0％,其余为FeO、Al_2O_3和MnO     

硼镁铁矿直接冶炼硼铁可行性研究

在实验室研究了以硼镁铁矿为原料,用碳作还原剂,在电炉里采用碳热法生产硼铁的可行性。实验发现:硼镁铁矿石在入炉前进行氧化烧焙,可除去70％硫和40％磷。在炉还内原过程中,为了提高硼的回收率,需要有足够长的还原时间。温度是影响硼回收率最关键的因素,升高温度,有利于硼收率提高。改变渣中组成对硼收率也有明显影响,增加CaO含量使硼收率下降,增加SiO_2含量可使硼收率提高。     

光使无定形硅达到了一个新水平

在硅烷气中进行辉光放电所生产的无定形硅,看来是生产便宜而有效的太阳能电池的最有前途的材料之一。与预料相反,发现用硼或磷等杂质进行硅的掺杂可以产生可控的半导性能,正如结晶硅在材料中引起的广泛兴趣一样。最近,美国新泽西州