屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤

为了解决在评估抗辐射屏蔽封装材料的屏蔽效果时,应该以什么参数作为评判依据的问题,对屏蔽材料封装CMOS器件做了一些研究.通过比较有、无屏蔽材料封装CMOS器件在电子辐照下电参数的变化,分析了采用抗辐射屏蔽材料封装的CMOS器件受电子辐照的损伤机理.通过分析,指出了当前屏蔽材料封装存在的不足,以及在采用CMOS器件考察抗辐射屏蔽封装材料时应该重点考虑静态功耗电流.     

铀浓缩厂物料容器辐射水平调查研究

由于铀浓缩工业所涉及的原料与产品均是未经辐照的铀,人们普遍认为装满物料容器的外照射水平比空容器的高,应更加注重其外照射剂量水平。然而,在实践中发现,刚刚倒空的容器比其装满物料时的外照射水平要高。由此,本文对铀浓缩厂物料容器外照射水平进行了调查研究,给出新近倒空容器外照射水平较高的原因,提出要注重对新近倒空容器的外照射辐射防护工作。     

移动式低活度废放射源整备装置设计与研制

在研究了低活度废放射源整备工艺流程及废放射源封装方案和封装容器方案的基础上,研制了移动式低活度废放射源整备装置以及与其配套的低活度放射源封装容器、混凝土包装容器和贮存容器。使用60Co和137Cs废放射源示范整备实验表明:装置布置合理,操作方便,整备装置各系统和设备运行稳定,能顺利开展整备操作。     

研究试验堆的辐照能力

提出将辐照能力作为研究试验堆的一个技术指标和性能参数。辐照能力不仅可作为堆芯装置布置设计的评价指标,而且可用于堆内辐照费用的测算。与研究试验堆辐照能力有关的量包括：辐照空间体积、平均总中子注量率、堆功率和运行时间等。对于辐照能力的几种定义分别给出了表达式,并比较了它们的特点和作用。还以高通量工程试验堆为主要实例,给出了辐照能力的具体数据和应用。     

~(60)Coγ辐照装置启用前的剂量率测量

在重新换装的4.44×10~(15)Bq~(60)Coγ辐照装置启用以前,研究了准确测量剂量率的有关问题。在实验条件下给硫酸亚铁和硫酸铈剂量计“标准化”,并研究它们测量值的精密度。将数据处理统计学方法应用在本工作中。给出了剂量率分布曲线。     

γ射线辐照预处理对麦秸纤维素酶水解产糖的影响

文章涉及γ射线辐射预处理麦秸的辐照效应及辐照后效应研究。实验结果表明,辐照预处理能明显破坏麦秸的结构。随辐照剂量增加,麦秸质量损失增大,粒度分布向细颗粒方向迁移。辐照与粉碎结合预处理有明显的协同效应,较适宜的预处理条件为500kGy、粒度为0.109mm,葡萄糖得率为10.2％。辐照后效应对麦秸酶解产糖有明显的影响,以50、100、200、300和400kGy辐照的麦秸酶解,其辐照后效应与初始效应的比值分别为12.9％、14.9％、8.9％、9.1％（产还原糖）和20.1％（产葡萄糖）。     

Kovar封装CMOS器件X射线剂量增强效应研究

在器件的金属化层及封装等结构中，高原子序数材料在低能X射线的辐照下，会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应，从而使得器件性能严重退化。主要介绍了柯伐封装的CMOS器件，在X射线和γ射线辐照下，其辐照敏感参数阈值电压和漏电流随总剂量的变化关系。并对实验结果进行了比较，得出低能X射线辐照对器件损伤程度大于γ射线，对剂量增强效应进行了有益的探讨。     

钚材料的α能谱以及氦气累积的蒙特卡罗计算

本文根据钚材料的元素成分和放射性核素的级联衰变规律,编程计算了共涉及11种核素杂质以及氦气的生成.采用蒙特卡罗方法计算,得到了自辐照α粒子能谱及其演化规律.在编制的计算程序中设计了独立的随机数发生器,并利用Fortran95的MODULE功能进行模块化封装.这一以封装模块为主体的程序具有良好的通用性和扩展性,可方便地作为一个功能实现部分嵌入钚材料老化研究的其他程序之中.     

高通量工程试验堆辐照试验能力和辐照试验技术

高通量工程试验堆(HFETR)作为我国在役运行功率最高的研究堆,是我国进行各种反应堆燃料和材料辐照性能研究的重要工具和平台。HFETR以动力堆燃料和材料的辐照研究为主,同时兼顾同位素生产等其他任务。HFETR辐照试验能力与其结构相关,包含静态容器辐照试验、仪表化辐照试验和回路辐照试验三种辐照试验形式。HFETR具有与各种辐照试验匹配的成熟的和应用经验丰富的辐照装置设计、辐照参数控制以及复合辐照环境控制等辐照试验技术。大量的材料和燃料辐照试验结果表明,HFETR现有的辐照试验技术能够完全实现受试件的辐照指标要求,并同时确保辐照试验开展以及反应堆运行的安全。     

次级电子不平衡对CMOS器件敏感区吸收剂量和电离总效应的影响

选择双列直插塑料封装的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)器件CC4069六反相器作为研究对象,采用蒙特卡罗方法分析了器件吸收剂量与标称辐照剂量的差异,结合电离总剂量效应敏感参数阈电压的测量,分析评估了不满足次级电子平衡条件对器件敏感区吸收剂量和电离总剂量效应的影响程度,分析比较了标称辐照剂量和修正吸收剂量的PMOS(Positive channel Metal Oxide Semiconductor)和NMOS(Negative channel Metal Oxide Semiconductor)不同偏置下的阈电压漂移变化规律。结果表明:器件敏感层中的吸收剂量只有标称辐照剂量的83.52%。次级电子不平衡下的辐照试验会影响器件的抗辐射水平考核,器件的抗辐射水平被高估了16.5%。     

加速器驱动洁净能系统中的燃耗行为分析

研究了加速器驱动洁净核能系统（ADS）次临界反应堆内核素的演化。分析结果表明：ADS具有嬗变长寿命核废物的能力。从快堆和热堆的比较可知,ADS的快堆具有输出功率大、长寿命超铀放射性废物的累积水平低、裂变产物对反应堆反应性和能量增益影响小等优点。这些优点在利用U－Pu燃料循环的次临界堆中十分明显。对于利用Th-U燃料循环的次临界堆,热堆和快堆都是可以工作的;而对于U－Pu燃料循环的系统,快堆则是较好的选择。     

Problem of the iodine method of purification of zirconium

A method is proposed for the determination of the equilibrium constantsk and k' for the reactions Zr+2I₂–ZrI₄=0 and 2I–I₂=0, which is based on the measurement of the amount of iodine or zirconium liberated in the decomposition of zirconium tetraiodide on a heated surface in the process of establishing equilibrium. The decomposition of the tetraiodide was carried out at 900–1600C on a tungsten filament. The temperature distribution between filament and vessel walls was neglected.The dependence of the sum of atomic and molecular iodine pressures on zirconium tetraiodide pressure was determined at 1430C, and on temperature for 50 mm Hg. The values of kk'² 35 (mm Hg)³ at 1430C and k0.07 mm Hg at 400C, found from the results, differ substantially from known thermodynamic data, but give good agreement between the authors' formula [1] and experimental results on the iodide process of zirconium purification.