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应用美军标试验方法1019.5和1019.4分别对两种典型(Complementary Metal-Oxide—Semiconductor Transistor,CMOS)器件进行试验验证,论述了试验原理,对试验现象进行了详细的分析,了解实验室条件下评估空间氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的可行性和保守性。实验表明,两种不同工艺的CC4069器件没有通过1019.5所做出的试验验证,从实验现象观察认为是由于界面陷阱电荷大量建立所引起的。加固LC4007-RHA NMOS却通过了与1019.5相比过分保守的1019.4的试验验证。 相似文献
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从效应研究的角度出发,利用Labview软件,自行研制了基于PCI插卡式虚拟仪器的CMOS器件脉冲总剂量效应在线测试系统,详细介绍了其硬件结构和软件设计思想,利用该系统在"强光一号"辐射模拟装置上开展了试验验证,表明其原理和技术途径是可行的,基本掌握了开展CMOS器件脉冲总剂量损伤以及时间关联退火响应研究的关键测试技术. 相似文献
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在器件的金属化层及封装等结构中,高原子序数材料在低能X射线的辐照下,会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应,从而使得器件性能严重退化。主要介绍了柯伐封装的CMOS器件,在X射线和γ射线辐照下,其辐照敏感参数阈值电压和漏电流随总剂量的变化关系。并对实验结果进行了比较,得出低能X射线辐照对器件损伤程度大于γ射线,对剂量增强效应进行了有益的探讨。 相似文献
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本文论述了湖南省涟源市仙洞矿区熔剂白云岩矿中方解石脉的发育特征。通过统计、对比的方法,论述了方解石脉是影响白云岩矿石质量的最主要因素。 相似文献
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主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的CMOS器件,在不同情况的x射线辐照下,其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将x射线辐照的结果与^60Co辐照的结果比较得出,x射线辐照对器件损伤严重。同时,探讨了柯伐盖封装器件的剂量增强效应。 相似文献
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